基于MAX5026的單光子探測(cè)器直流偏壓源設(shè)計(jì)

1 引 言

　　單光子探測(cè)是一種檢測(cè)極微弱光的方法，在近紅外波段，雪崩光電二極管(APD)是探測(cè)極微弱光的主要器件之一。APD是一種能實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換且具有內(nèi)部增益的高靈敏度光電探測(cè)器，其工作電壓不高，噪聲相對(duì)較小，非常適合極微弱光信號(hào)(如單個(gè)光子信號(hào))的探測(cè)。

　　由于單光子探測(cè)是在高技術(shù)領(lǐng)域的重要地位，他已經(jīng)成為各發(fā)達(dá)國(guó)家光電子學(xué)重點(diǎn)研究的課題之一。在量子密鑰分發(fā)、天文測(cè)光、分子生物學(xué)、超高分辨率光譜學(xué)、非線形光學(xué)、光時(shí)域反射等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中，都涉及到極微弱光信號(hào)的檢測(cè)問(wèn)題。在量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)中，量子信息的載體是單光子，如何將攜帶信息的單光子探測(cè)出來(lái)是實(shí)現(xiàn)量子密鑰分發(fā)的關(guān)鍵。APD是實(shí)現(xiàn)單光子探測(cè)的核心器件。在單光子探測(cè)器設(shè)計(jì)中，為了開(kāi)發(fā)APD的極限靈敏度，APD必須置于反向偏壓(Vb)稍高于雪崩擊穿電壓(Vbr)之上，即所謂的蓋格(Gerger Mode)模式下工作，使APD的雪崩增益M取最佳值MOPT，才能達(dá)到較高的探測(cè)效率。然而在蓋格模式時(shí)，APD的雪崩增益M不僅與環(huán)境溫度T還與其直流偏壓Vb的大小密切相關(guān)。

　　2 蓋格模式下APD雪崩特性

　　雪崩光電二極管的雪崩增益M的大小與電子或空穴的有關(guān)，其雪崩過(guò)程是一個(gè)復(fù)雜的隨機(jī)過(guò)程，通常用平均雪崩增益M來(lái)表示。M與擊穿電壓Vbr、偏置電壓Vb的關(guān)系可用以下經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)描述：

　　
其中n是與溫度有關(guān)的特性指數(shù)(在2.5～7之間變化，取決于光電材料)。從公式可以看出，APD可以工作在兩種方式下：一是偏置電壓小于擊穿電壓，然而在這種情況下雪崩增益過(guò)小，不足以捕捉到單個(gè)光子信號(hào)。二是偏置電壓稍高于擊穿電壓，理論上雪崩增益為無(wú)窮大，一個(gè)注入耗盡層載流子就能觸發(fā)APD雪崩，產(chǎn)生mA量級(jí)的電流，使單光子探測(cè)成為可能。由此可見(jiàn)，APD的雪崩增益M僅與其反向偏壓Vb大小密切相關(guān)。因此，為了獲得最佳的雪崩增益MOPT，APD的偏壓控制電路設(shè)計(jì)顯得尤為重要。

　　當(dāng)APD的反向偏置電壓高于雪崩擊穿電壓時(shí)，偏壓的任何微小抖動(dòng)都能改變APDs結(jié)區(qū)場(chǎng)強(qiáng)的大小，不但能影響到APD的雪崩增益M還會(huì)為探測(cè)器帶來(lái)了非光子脈沖噪聲，如散粒噪聲、附加噪聲等。因此，用作單光子探測(cè)器的APD偏壓源必須滿足下列條件：第一，電壓要足夠高，能夠達(dá)到APD的雪崩擊穿電壓以上；第二，能夠提供足夠的電流，滿足APD雪崩時(shí)電流迅速增大的要求；第三，要有足夠小的紋波，盡量減小由于電源電壓抖動(dòng)帶來(lái)的噪聲。這就意味著APD的反向偏置電壓的電壓穩(wěn)定性足夠的高。

　　3 連續(xù)可調(diào)APD直流偏壓源

　　由線性元件構(gòu)成的線性電源電路中，電壓調(diào)整管要工作在放大狀態(tài)，發(fā)熱量大，效率低，需要加體積龐大的散熱片，此外，同樣也是大體積的工頻變壓器也會(huì)帶來(lái)工頻干擾，單光子探測(cè)器核心器件APD若沒(méi)做好足夠的電磁屏蔽，也會(huì)為探測(cè)帶來(lái)額外的誤差。在較高直流電壓輸出時(shí)，要作到高穩(wěn)定度和低紋波輸出，在電路設(shè)計(jì)上較復(fù)雜。

　　MAX5026是MAXIM公司生產(chǎn)的固定頻率、脈沖寬度可調(diào)的低噪聲升壓轉(zhuǎn)換器，是一個(gè)專門(mén)為APD，LCD，低噪聲變?nèi)荻O管等提供直流偏置電源的表帖元件。其內(nèi)部的橫向DMOS開(kāi)關(guān)器件頻率固定為500 kHz，且具有40 V的耐壓極限。工作時(shí)使用一個(gè)工作于非連續(xù)電流模式的電感L，故意減慢開(kāi)關(guān)速度，用來(lái)降低高頻電壓毛刺。開(kāi)關(guān)速度的降低還能減小高頻di/dt和dv/dt速率，最大限度地減小了通過(guò)電流環(huán)、印刷電路板線條和元件管腳問(wèn)的電容向周?chē)娐份椛浠騻鲗?dǎo)進(jìn)來(lái)的噪聲，近一步減小可能帶來(lái)的噪聲。