推挽軟開關(guān)的實現(xiàn)
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先請大家看兩個波形：第一個是MOS管漏極的波形(帶載500W),可以看出此時漏感引起的尖峰已經(jīng)蕩然無存(無任何的吸收或鉗位)
本文引用地址：http://2s4d.com/article/179287.htm
再看下變壓器次級電流的波形:串聯(lián)0.1R的電阻測得的，已經(jīng)接近正弦波。
其實看到這個框圖我想大家都懂了。
發(fā)一個雙通道測的兩個推挽管的D極的電壓和電流的波形，電流波形是通過探測MOS管的源極管腳的壓降測得的。
通過這個波形直觀地介紹推挽軟開關(guān)的實現(xiàn)原理:
死區(qū)時只是C1D充電,C2DS放電，或者相反，確實未達到完全的0電壓開通，但很接近了。我發(fā)個硬開關(guān)的對比圖給大家看下。大家可以對比28貼的圖：
這個硬開關(guān)時的電流尖峰已經(jīng)很可怕了，如果把上面這通道改為1V/格(不是200MV/格)，圖為：
重新調(diào)了一下加大了Ds電容和變壓器的漏感，波形似乎更像軟開關(guān)了。
二極管兩端的波形，居然沒有任何的尖峰。
重新調(diào)了一下死區(qū)。
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