基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究 作者： 時間：2011-04-14 來源：網(wǎng)絡(luò) 英飛凌汽車電子生態(tài)圈 掃碼關(guān)注獲取最新最全汽車電子技術(shù)方案與實用技巧 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> ω0為脈沖信號的角頻率，E為信號幅值，圖2為脈沖信號幅值E為1時的主帶寬頻譜圖。本文引用地址：http://2s4d.com/article/179243.htm 經(jīng)過分析可知，脈沖信號的主帶寬為9．1MHz，比一般的低頻率脈沖信號的主帶寬要高，同時由于本文脈沖信號幅值為4kV，帶外頻率的干擾也不能忽視，這樣干擾信號的頻譜分布范圍更寬。在低頻段其產(chǎn)生的干擾以近場干擾為主，高頻段以輻射干擾為主，需要在電磁兼容措施中區(qū)別考慮。 上一頁 1 2 3 4 下一頁
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