新穎電壓型有源箝位正激控制IC-LM5027
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2．11 振蕩器及外同步能力
LM5027的振蕩器頻率由外部電阻設(shè)置。其接于RT端和AGND之間。為了設(shè)置需要的振蕩器頻率。RT電阻用下式計(jì)算：
例如要200kHz頻率，則RT=27．4kΩ，RT電阻要緊靠IC。直接接于RT與AGND端。外部電阻的偏差和頻率的偏差必須在電氣特性之內(nèi)。LM50 27可以同步到外部時(shí)鐘，加一個(gè)窄脈沖到RT端即可。外部時(shí)鐘頻率至少要高于自由運(yùn)轉(zhuǎn)頻率10％。如果外時(shí)鐘頻率低于RT決定的頻率，LM50 27將不會(huì)去同步。外同步脈沖要經(jīng)過一支100pF電容接到RT端，脈寬要15～150ns。當(dāng)同步脈沖傳輸從低電平到高電平時(shí)(上升沿)RT端電壓必須超過3．2V。在時(shí)鐘信號(hào)為低電平時(shí)，RT端的電壓將箝在2V，RT端穩(wěn)壓器的內(nèi)阻大約100Ω。RT端的電阻總是要接入的，無論是自由振蕩還是外同步。
2．12 柵驅(qū)動(dòng)輸出
LM5027包含三個(gè)獨(dú)立的柵驅(qū)動(dòng)器。OUTA為初級(jí)主開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng)N溝MOSFET的柵，源出漏入電流為2A。箝位驅(qū)動(dòng)器OUTB設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng)P溝MOSFET的柵，源出漏人能力為1A。第三個(gè)驅(qū)動(dòng)器為OUTSR，用于驅(qū)動(dòng)二次側(cè)同步整流的MOSFET。經(jīng)過變壓器或隔離驅(qū)動(dòng)器。驅(qū)動(dòng)OUTSR的驅(qū)動(dòng)器源出漏入能力為3A。
2．13 驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)間及調(diào)整
三個(gè)獨(dú)立的時(shí)間延遲調(diào)整允許一個(gè)大的柔性的死區(qū)給用戶去將系統(tǒng)的效率最佳化。有源箝位輸出(OUTB)與主輸出(OUTA)在一個(gè)區(qū)間。有
源箝位的輸出要覆蓋主輸入。覆蓋時(shí)間提供死區(qū)給主開關(guān)和P溝箝位開關(guān)，分別在其上升沿和下降沿。上升沿控制由TIME1端設(shè)置，下降沿控制用一個(gè)電阻從TIME3端到AGND設(shè)置。
PWM的上升沿與OUTB的上升沿同時(shí)動(dòng)作，OUTSR輸出的下降沿與之沒有延遲。OUTSR的上升沿在主開關(guān)(OUTA)關(guān)斷之后用電阻從TIME2端到AGND設(shè)置。
2．14 過熱保護(hù)
內(nèi)部熱關(guān)斷電路由集成電路在最大結(jié)溫超出時(shí)提供保護(hù)。當(dāng)芯片溫度超過165℃時(shí)，控制器強(qiáng)制進(jìn)入低功耗待機(jī)狀態(tài)，關(guān)斷三個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)。偏置源VCC和REF也被禁止。過熱保護(hù)特色可以防止芯片毀壞。在熱關(guān)斷后重新起動(dòng)時(shí)，軟啟動(dòng)電容完全放電，控制器在結(jié)溫降到145℃以下時(shí)按順序重新起動(dòng)。
2．15 VIN
加到VIN端的電壓通常與系統(tǒng)電壓及變壓器初級(jí)的電壓是相同的，其允許的變化范圍是13V-90V，瞬間能承受150V。進(jìn)入VIN端的電流取決于VCC驅(qū)動(dòng)的電容負(fù)載和開關(guān)頻率。如果VIN進(jìn)入的電流超出其封裝能力，則應(yīng)該采用外部電壓加到VCC端，見圖4，去禁止內(nèi)部起動(dòng)源，VCC降至7．5V，如果外加電壓，則為8～15V。VIN到VCC的串聯(lián)穩(wěn)壓器包含VIN到VCC之間的二極管，在正常工作時(shí)，此二極管不會(huì)正向偏置。VCC電壓絕對(duì)不能超過VIN電壓。本文引用地址：http://2s4d.com/article/178771.htm
在輸入電壓大于100V的應(yīng)用的情況下，由外部電源給IC供電，將VIN與VCC端接在一起，如圖5所示。工作電壓為10～15V，推薦用13V，這樣可以關(guān)斷內(nèi)部的高壓起動(dòng)源。
2．16 UVLO
欠壓閂鎖閾值在內(nèi)部UVLO端設(shè)置在2V，外部用兩支電阻組成分壓器接于UVLO端，如圖6所示。
LM5027的VPWR加UVLO端電壓超過2V時(shí)，LM5 027才能工作。低于此值時(shí)，內(nèi)部20μA電流漏使能，減小UVLO端電壓，使IC閂鎖。UVLO電壓超過2V時(shí)，電流漏關(guān)閉，R1和R2電阻值推薦如下：
此處，VHYS為UVLO在VPWR電壓下的窗口，VPWR為開啟電壓，如果LM5027在VPWR達(dá)到34V時(shí)使能，窗口為1．8V，則R1為90kΩ，R2計(jì)算出為6．19kΩ。LM5027將在UVLO達(dá)0．4V時(shí)關(guān)斷，外部加一支NPN晶體管可以控制IC的關(guān)斷。
評(píng)論