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電流源設計小Tips(二):如何解決運放振蕩問題(2)

作者: 時間:2013-08-16 來源:網絡 收藏

看似只有一個輸入端Vin,但有前提條件——理想電源。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/174820.htm

此電路共有5個輸入端,Vin、Vcc、Vee、Vp和GND。

1. Vin為設定輸入端,自然希望所有系統(tǒng)輸出都只與其相關。

2. Vcc和Vee為運放電源。通常運放只需要5mA以內的偏流,因此只需濾波電容大于100uF既可限制紋波在可容忍的范圍內,況且Vcc和Vee一般會有78xx穩(wěn)壓,78xx的紋波抑制能力不低于100倍即40dB,運放本身的電源抑制比至少80dB,因此Vcc和Vee的小幅變化對系統(tǒng)的影響基本可以忽略,即Vcc和Vee可視為理想電源。

3. GND也是輸入端?不錯,除非銅的電阻率為0,否則地阻抗會起作用。如果PCB嚴格一點接地,由于地阻抗造成的問題基本不用考慮。否則,PCB設計不合格。

還剩下一個Vp,雖然Vp也可由78xx得到,穩(wěn)壓前還可用大電容濾波,但MOSFET是沒有電源抑制能力的,因此Vp的波動會通過影響輸出電流(一定頻率下,系統(tǒng)調整能力是有限的)直接作用在Rsample上,并反應在運放輸入端Vin-。

100mA的電源的紋波問題是容易處理的,如果電流達到A_級別以上,很少有便宜的穩(wěn)壓IC可以處理,雖然LT108x能達到5A,但是在Vdrop不大的情況下,如果Vdrop=3V,一般的小散熱器就會力不從心,5A只是瞬間電流儲備能力,不推薦連續(xù)使用。因此A_級別以上的電源大多直接整流濾波得到,紋波不可小視。雖然理論上2000uF/A的濾波電容已足夠抑制紋波,但那是在變壓器內阻極低的前提下。更大電流的電源很多由可控硅調壓得到,那個紋波就更厲害,即使濾波電容很大,紋波仍可由示波器清晰看到。

如果Vp由開關電源提供,開關電源工作頻率附近的噪聲將作為輸入信號進入電路。

如果紋波頻率很低,例如100Hz,系統(tǒng)在此頻率完全可以應對,但Vp引入的信號(紋波和噪聲)通常不是正弦波,而是非對稱三角波,上升沿和下降沿分別為電容充電和放電曲線的一部分,富含諧波,而且諧波頻率很高,但幅度逐次衰減。開關電源更是如此,由于其工作頻率很高,紋波基波幅度已經很大,因此可能造成更顯著的問題。

紋波或其某個諧波通過Vp進入電路后,如果系統(tǒng)在此頻率上調整能力有限,將造成輸出電流波動(系統(tǒng)無法以足夠的速率相應反向調整),并反應在Rsample上,進入Vin-。運放隨即調整輸出端,但能力有限,輸出端尚未調整好,紋波的幅度和相位就可能發(fā)生變化,再次通過Rsample反饋到Vin-就可能出現相位裕量不足的情況,從而誘發(fā)振蕩。

由電路理論出發(fā),如果系統(tǒng)在某個頻率上控制能力(帶寬)不足,則無法抑制此頻率上的電源波動影響。因此要么提高系統(tǒng)帶寬,要么改善電源質量。

然而,對于恒流電子負載而言,原則上要面對各種電壓源Vp,而且大多數是作為中間產品的實驗源,性能參差,紋波水平各異。改善電源質量基本是句空話。提高系統(tǒng)帶寬對于穩(wěn)恒用途又實在意義不大,而且造成成本陡增。

還有一種消極但便宜而且適應性強的處理辦法,使運放無法看到高頻率的紋波,即積分補償。

在運放Vin-和輸出端之間添加Rm、Cm串聯網絡,使Rsample上的電壓進入Vin-之前由RF、Rm和Cm進行積分濾波,使輸出電流中高次諧波成分無法(或大部分無法)進入運放。對于電子負載,積分補償更為重要。

7.JPG

由于RF、Rm和Cm構成積分器,因而稱為積分補償。積分補償的0dB頻率fi0dB由RF和Cm決定fi0dB=1/2piRFCm。

大于0dB頻率的紋波成分受到衰減,直至達到Rm和Cm確定的回轉(零點)頻率fiz=1/2piRmCm?;剞D的作用在于不過分降低系統(tǒng)對高頻的反應能力。

0dB頻率至少應低于誘發(fā)振蕩的紋波頻率10倍,已達有效衰減。

8.JPG

很多電路不使用Rm,即沒有回轉頻率。那一定有Cm很小(100pF左右)的前提,否則如果Cm很大,積分頻響曲線在高頻段衰減過于嚴重,將造成系統(tǒng)高頻控制力下降。對于Vp性能不太好的情況,Cm可能取值很大,因此Rm是必要的。

顯然,積分器0dB頻率越低,系統(tǒng)越穩(wěn)定,但也會由于Rm、Cm和Rc、Cc構成的局部反饋使系統(tǒng)瞬態(tài)性能降低,因此適可而止。

積分補償沒有固定的經驗值,如果Vp質量較好,Cm甚至可以降至22pF,反之,如果Vp質量很差(例如電子負載通常見到的情況),Cm可增大至1uF。

此外Cm的選擇還與運放GBW有關,GBW越高(當然要有頻率足夠高的MOSFET配合),系統(tǒng)對于高頻的控制能力越強,Cm可越小。

Rm決定回轉頻率,通常回轉頻率高于0dB頻率10倍以上,因此Rm大致為1/10RF=100 Ohm。

因此,如果可能,一定首先改善Vp質量。

好在本次只做100mA的電流源,一個7824或LM317就搞定了。在此情況下Cm=1000pF足矣。fi0dB=160kHz,fiz=1.6MHz,160kHz頻率以上由Vp造成的電流紋波/噪聲可由輸出減振器網絡消除。

本次增加成本:

100 Ohm電阻 1只 單價0.01元,合計0.01元

1000pF/50V電容 1只 單價0.03元,合計0.03元

合計0.04元

合計成本:9.55元


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