瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”

瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”
實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能

--與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗—

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。

R2J20602NP符合英特爾公司提議的“集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”封裝標(biāo)準(zhǔn)（以下稱作“DrMOS”）。它集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端開關(guān)電源MOSFET。R2J20602NP是瑞薩科技繼第一代的R2J20601NP支后開發(fā)的第二代DrMOS標(biāo)準(zhǔn)兼容產(chǎn)品，也是在工藝和封裝結(jié)構(gòu)方面進(jìn)行了改進(jìn)的更高性能的第二代產(chǎn)品。

R2J20602NP的特性總結(jié)如下。
（1）40A的最大輸出電流
40A的最大輸出電流——代表了業(yè)界的最高性能——采用瑞薩科技的高性能功率MOSFET技術(shù)、新開發(fā)的高輻射/低損耗封裝，以及專為功率MOSFET性能而優(yōu)化的高速驅(qū)動器IC。這些技術(shù)支持需要大電流的CPU、FPGA和存儲器等電子元件。

（2）與當(dāng)前的瑞薩產(chǎn)品相比，功率損耗降低20%以上
當(dāng)工作在1MHz開關(guān)頻率時，其大約為89%的最高效率實現(xiàn)了業(yè)界最高水平（Vin = 12V，Vout = 1.3V）。其輸出電流為25A，功率損耗為4.4W——業(yè)界的最低水平——比瑞薩當(dāng)前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于實現(xiàn)高效的電源配置，并抑制散熱量，從而開發(fā)出一個節(jié)能的最終產(chǎn)品。

（3）小型封裝與第一代產(chǎn)品引腳安排兼容
其封裝與瑞薩當(dāng)前的R2J20601NP引腳安排兼容。8