集成驅(qū)動(dòng)器文章最新資訊

通過集成驅(qū)動(dòng)器和高級(jí)保護(hù)功能簡化GaN電源設(shè)計(jì)

高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵（GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競爭對(duì)手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時(shí)降低了柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗。此外，半導(dǎo)體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中，從而縮小印刷電路板（PCB）的占地面積要求，同時(shí)簡化供應(yīng)鏈。GaN 應(yīng)用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無鉛（TOLL）封裝是電源設(shè)計(jì)的有效選擇。采用此封
關(guān)鍵字：集成驅(qū)動(dòng)器高級(jí)保護(hù) GaN 電源設(shè)計(jì)

消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發(fā)展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設(shè)計(jì)，同時(shí)還需采用非常規(guī)?PCB設(shè)計(jì)，此類設(shè)計(jì)面臨嚴(yán)格的空間限制，從而限制了外部元件的使用。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN??Drive產(chǎn)品系列，進(jìn)一步豐富了其氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品系列包括CoolGaN? Drive 650 V G5?單開關(guān)（集成了一個(gè)晶體管和柵極驅(qū)動(dòng)器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8?封裝）和CoolGa
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolGaN Drive 集成驅(qū)動(dòng)器單開關(guān) 半橋

將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字：氮化鎵 TI 集成驅(qū)動(dòng)器

1引言隨著電力電子技術(shù)和電力半導(dǎo)體器件的飛速發(fā)展，近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、...
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)電路集成驅(qū)動(dòng)器隔離

根據(jù)永磁無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)參數(shù)、成本及靈活性等各方面的要求，設(shè)計(jì)了以AVR單片機(jī)及LM621集成驅(qū)動(dòng)器為核心的硬件平臺(tái)。本控制系統(tǒng)保護(hù)功能較完善，硬件結(jié)構(gòu)簡單，成本較低，在實(shí)際工程中有一定的應(yīng)用價(jià)值。
關(guān)鍵字：單片機(jī) AVR 集成驅(qū)動(dòng)器 LM621 201111 BLDC

ZD3315 集成塊的面積只有 2mmx3ram ，自帶散熱面，司借助印板銅箔散熱，可驅(qū)動(dòng)四路 LED ，適合在高密度安裝的場合使用。該集成電路不需要外接電感線圈，只需外接一個(gè)電阻和一個(gè)電容就足夠了，流過 LED 的電流和 LED 的點(diǎn)亮可以由外部控制。附圖是其基本應(yīng)用電路。驅(qū)動(dòng)電壓為 4 ． 5 ～ 16V(Vin 的電壓 ) ，每一路可以驅(qū)動(dòng) 1 ～ 4 個(gè)正向?qū)妷簽?VF=3 ． 5V 的白色 LED 。如果希望每一路能驅(qū)動(dòng) 5 個(gè)以上的白色 LED 的話，除了要增加電源電壓
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瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
關(guān)鍵字： DrMOS MOSFET 單片機(jī) 電源技術(shù) 集成驅(qū)動(dòng)器模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩

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