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集成驅(qū)動(dòng)器
集成驅(qū)動(dòng)器 文章 進(jìn)入集成驅(qū)動(dòng)器技術(shù)社區(qū)
英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列,包括帶有集成驅(qū)動(dòng)器的集成單開關(guān)和半橋
- 消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發(fā)展趨勢(shì)。而這些趨勢(shì)都需要緊湊高效的設(shè)計(jì),同時(shí)還需采用非常規(guī)?PCB設(shè)計(jì),此類設(shè)計(jì)面臨嚴(yán)格的空間限制,從而限制了外部元件的使用。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN??Drive產(chǎn)品系列,進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品系列包括CoolGaN? Drive 650 V G5?單開關(guān)(集成了一個(gè)晶體管和柵極驅(qū)動(dòng)器,采用PQFN 5x6和PQFN 6x8?封裝)和CoolGa
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 CoolGaN Drive 集成驅(qū)動(dòng)器 單開關(guān) 半橋
用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能
- 將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵 TI 集成驅(qū)動(dòng)器
大、中功率MOSFET與IGBT驅(qū)動(dòng)電路方案探討
- 1引言隨著電力電子技術(shù)和電力半導(dǎo)體器件的飛速發(fā)展,近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、...
- 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電路 集成驅(qū)動(dòng)器 隔離
超小型 LED 集成驅(qū)動(dòng)器
- ZD3315 集成塊的面積只有 2mmx3ram ,自帶散熱面,司借助印板銅箔散熱,可驅(qū)動(dòng)四路 LED ,適合在高密度安裝的場(chǎng)合使用。該集成電路不需要外接電感線圈,只需外接一個(gè)電阻和一個(gè)電容就足夠了,流過(guò) LED 的電流和 LED 的點(diǎn)亮可以由外部控制。附圖是其基本應(yīng)用電路。 驅(qū)動(dòng)電壓為 4 . 5 ~ 16V(Vin 的電壓 ) ,每一路可以驅(qū)動(dòng) 1 ~ 4 個(gè)正向?qū)妷簽?VF=3 . 5V 的白色 LED 。如果希望每一路能驅(qū)動(dòng) 5 個(gè)以上的白色 LED 的話,除了要增加電源電壓
- 關(guān)鍵字: LED 集成驅(qū)動(dòng)器
瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比,在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過(guò)20%的功率損耗— 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器(VR)。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
- 關(guān)鍵字: DrMOS MOSFET 單片機(jī) 電源技術(shù) 集成驅(qū)動(dòng)器 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩
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集成驅(qū)動(dòng)器介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條集成驅(qū)動(dòng)器!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)集成驅(qū)動(dòng)器的理解,并與今后在此搜索集成驅(qū)動(dòng)器的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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