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主存儲器部件的組成與設(shè)計

作者: 時間:2012-08-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1、主概述

本文引用地址:http://2s4d.com/article/165074.htm

(1)主的兩個重要技術(shù)指標(biāo)

◎讀寫速度:常常用存儲周期來度量,存儲周期是連續(xù)啟動兩次獨立的操作(如讀操作)所必需的時間間隔。

◎存儲容量:通常用構(gòu)成存儲器的字節(jié)數(shù)或字?jǐn)?shù)來計量。

(2)主存儲器與CPU及外圍設(shè)備的連接

是通過地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線進行連接,見下圖

主存儲器與CPU的連接

◎地址總線用于選擇主存儲器的一個存儲單元,若地址總線的位數(shù)k,則最大可尋址空間為2k。如k=20,可訪問1MB的存儲單元。

◎數(shù)據(jù)總線用于在計算機各功能之間傳送數(shù)據(jù)。

◎控制總線用于指明總線的工作周期和本次輸入/輸出完成的時刻。

(3)主存儲器分類

◎按信息保存的長短分:ROM與RAM

◎按生產(chǎn)工藝分:靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器

靜態(tài)存儲器(SRAM):讀寫速度快,生產(chǎn)成本高,多用于容量較小的高速緩沖存儲器。

動態(tài)存儲器(DRAM):讀寫速度較慢,集成度高,生產(chǎn)成本低,多用于容量較大的主存儲器。

靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器主要性能比較如下表:

靜態(tài)和動態(tài)存儲器芯片特性比較

SRAM DRAM

存儲信息 觸發(fā)器 電容

破壞性讀出 非 是

需要刷新 不要 需要

送行列地址 同時送 分兩次送

運行速度 快 慢

集成度 低 高

發(fā)熱量 大 小

存儲成本 高 低

動態(tài)存儲器的定期刷新:在不進行讀寫操作時,DRAM 存儲器的各單元處于斷電狀態(tài),由于漏電的存在,保存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉,為此必須定時予以補充,稱為刷新操作。

2、動態(tài)存儲器的記憶原理和讀寫過程

(1)動態(tài)存儲器的:由單個MOS管來存儲一位二進制信息。信息存儲在MOS管的源極的寄生電容CS中。

◎?qū)憯?shù)據(jù)時:字線為高電平,T導(dǎo)通。

寫“1”時,位線(數(shù)據(jù)線)為低電平, VDD(電源)將向電容充電

寫“0時,位線(數(shù)據(jù)線)為高電平, 若電容存儲了電荷,則將會使電容完成放電,就表示存儲了“0”。

◎讀數(shù)據(jù)時:先使位線(數(shù)據(jù)線)變?yōu)楦唠娖?,?dāng)字線高電平到來時T導(dǎo)通,若電容原存儲有電荷( 是“1” ),則電容就要放電,就會使數(shù)據(jù)線電位由高變低;若電容沒有存儲電荷( 是“0” ),則數(shù)據(jù)線電位不會變化。檢測數(shù)據(jù)線上電位的變化就可以區(qū)分讀出的數(shù)據(jù)是1還是0。

注意

①讀操作使電容原存儲的電荷丟失,因此是破壞性讀出。為保持原記憶內(nèi)容,必須在讀操作后立刻跟隨一次寫入操作,稱為預(yù)充電延遲。

②向動態(tài)存儲器的存儲單元提供地址,是先送行地址再送列地址。原因就是對動態(tài)存儲器必須定時刷新(如2ms),刷新不是按字處理,而是每次刷新一行,即為連接在同一行上所有存儲單元的電容補充一次能量。

③在動態(tài)存儲器的位線上讀出信號很小,必須接讀出放大器,通常用觸發(fā)器線路實現(xiàn)。

④存儲器芯片內(nèi)部的行地址和列地址鎖存器分先后接受行、列地址。

⑤RAS、CAS、WE、Din、Dout時序關(guān)系如下圖:

3、教學(xué)計算機的內(nèi)存儲器

(1)靜態(tài)存儲器的存儲原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)(P207)

(2)教學(xué)計算機內(nèi)存儲器的

◎地址總線:記為AB15~AB0,統(tǒng)一由地址寄存器AR驅(qū)動,地址寄存器AR只接收ALU輸出的信息。

◎控制總線:控制總線的信號由譯碼器74LS139給出,功能是指出總線周期的類型:

※內(nèi)存寫周期 用MMW信號標(biāo)記

※內(nèi)存讀周期 用MMR信號標(biāo)記

※外設(shè)(接口)寫周期 用IOW信號標(biāo)記

※外設(shè)(接口)讀周期 用IOR信號標(biāo)記

※內(nèi)存在工作 用MMREQ信號標(biāo)記

※外設(shè)在工作 用IOREQ信號標(biāo)記

※寫控存周期 用SWA信號標(biāo)記

◎數(shù)據(jù)總線:分為內(nèi)部數(shù)據(jù)總線IB與外部數(shù)據(jù)總線DB兩部分。主要完成計算機各功能之間的數(shù)據(jù)傳送。

總線的核心技術(shù)是要保證在任何時刻只能把一組數(shù)據(jù)發(fā)送到總線上,卻允許一個和多個同時接受總線上的信息。所用的電路通常為三態(tài)門電路。

◎系統(tǒng)時鐘及時序:教學(xué)機晶振1.8432MHz,3分頻后用614.4KHz的時鐘作為系統(tǒng)主時鐘,使CPU、內(nèi)存、IO同步運行。

CPU內(nèi)部的有些寄存器用時鐘結(jié)束時的上升沿完成接受數(shù)據(jù),而通用寄存器是用低電平接收的。內(nèi)存或I/O讀寫操作時,每個總線周期由兩個時鐘組成,第一個時鐘,稱為地址時間,用于傳送地址;第二個時鐘,稱為數(shù)據(jù)時間,用于讀寫數(shù)據(jù)

◎靜態(tài)存儲器的字位擴展:

教學(xué)計算機的內(nèi)存儲器用靜態(tài)存儲器芯片實現(xiàn),由2K字的ROM區(qū)和2K字RAM區(qū)組成。內(nèi)存字長16位,按字尋址。

ROM由74LS2716只讀存儲器ROM(每片2048個存儲單元,每單元為8位二進制位)兩片完成字長的擴展。地址分配在:0~2047

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