基于TMS320 F28335信號(hào)處理板的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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2．2 電源模塊設(shè)計(jì)
整個(gè)處理板的外部輸入電壓為5 V和±12 V，分別通過(guò)對(duì)應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)換芯片為模擬和數(shù)字部分提供不同的電壓幅值。對(duì)于數(shù)字部分，電源模塊需要為DSC提供1．9 V的核電壓，同時(shí)為DSC的外圍和其他芯片提供3．3 V的外圍電壓。本系統(tǒng)選用LT1963AES8集成芯片提供1．9 V，LT1963AEST-3．3集成芯片提供3．3 V。對(duì)于模擬部分，系統(tǒng)要求輸入ADC的信號(hào)幅值范圍在±12V內(nèi)，所以系統(tǒng)分別選用LT1086IT-12和LT11 75IT把輸入的±15V電壓轉(zhuǎn)換成±12V。
2．3 數(shù)字電路設(shè)計(jì)
數(shù)字部分電路主要是以DSC為中心的應(yīng)用電路。該部分主要是對(duì)ADC傳送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、存儲(chǔ)，同時(shí)完成DSC同上位機(jī)的通信和數(shù)據(jù)傳輸。由圖1可以看到，它包含以下幾個(gè)部分。外圍SRAM擴(kuò)展，EEPROM擴(kuò)展電路，SCI上位機(jī)通信接口電路。
2．3．1 外圍SRAM擴(kuò)展
考慮到TMS320F28335片內(nèi)的RAM資源有限，加上程序空間和數(shù)據(jù)空間RAM僅為34 kB，16位數(shù)據(jù)寬度，從而需要對(duì)片內(nèi)的RAM進(jìn)行擴(kuò)展，來(lái)滿足較大量程序的運(yùn)行。本系統(tǒng)選用Cypress公司的CY7C1011CV33-12ZSXE集成芯片，利用TMS320F28335提供的XINTF接口完成片外RAM的擴(kuò)展。
XINTF是TMS320F28335所提供的一個(gè)非復(fù)用異步總線，用來(lái)完成外部異步器件的擴(kuò)展。XINTF可以映射外設(shè)到3個(gè)固定的內(nèi)存映射區(qū)域，當(dāng)外部資源掛接到某個(gè)區(qū)域時(shí)，則需要通過(guò)XINTF的一個(gè)片選信號(hào)來(lái)進(jìn)行外部資源的選定。
CY7C1011CV33-12ZSXE是一個(gè)CMOS的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器，其容量大小為64 kB，16位數(shù)據(jù)寬度。圖2是外圍SRAM擴(kuò)展電路連接圖。本文引用地址：http://2s4d.com/article/161948.htm
如圖2所示，本系統(tǒng)選用ZONE7區(qū)域作為RAM的外圍擴(kuò)展。DSC通過(guò)其XZCS7管腳向片外SRAM發(fā)送片選信號(hào)。WE信號(hào)用來(lái)控制DSC對(duì)片外SRAM的讀寫(xiě)，當(dāng)DSC的XWEo管腳為低電平，則DSC對(duì)片外RAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作；XWEo為高電平，同時(shí)DSC的XRD管腳為低電平，則為讀操作。
評(píng)論