ALM-1912特征及其應(yīng)用

ALM-1912是Avago公司的一個(gè)GPS前端模塊，結(jié)合了高增益低噪聲放大器（LNA）和GPS FBAR濾波器。LNA采用Avago專(zhuān)利的GaAs增強(qiáng)模式pHEMT工藝，在確保低噪聲和高線(xiàn)性度的前提下實(shí)現(xiàn)高增益，同時(shí)嚴(yán)格控制了噪聲指數(shù)分布。

器件含有一個(gè)兼容CMOS的關(guān)斷引腳，可以用于開(kāi)關(guān)LNA或電流調(diào)節(jié)。該濾波器利用Avago的FBAR濾波器實(shí)現(xiàn)在手機(jī)、PCS和WLAN波段的低GPS波段插入損耗和異常信號(hào)抑制。

低噪聲指數(shù)、高增益以及低電流消耗特性使其適用于關(guān)鍵的低功耗GPS應(yīng)用或者低電量情形。

圖1 ALM-1912應(yīng)用電路


圖2 ALM-1912演示和應(yīng)用電路元件表

ALM-1912主要特性

• 低噪聲指數(shù)

• 異常Cell/PCS/WLAN波段抑制

• 低外部組件數(shù)

• 在RF輸入和RF輸出時(shí)完全匹配

• 關(guān)斷電流： 1µA

• 兼容CMOS的關(guān)斷引腳（SD）

• ESD：在RFin引腳處大于3kV

• 器件尺寸為2.9mm×2.0mm×0.95mm

• 可通過(guò)外部電阻/電壓調(diào)節(jié)偏置電流

• 無(wú)鉛且不含鹵素

• 規(guī)格說(shuō)明（25℃時(shí)的典型性能）

- 增益為19.3dB

- NF為1.62dB

- IIP3為+1.5dBm

- IP1dB為-8dBm

- S11為-9.5dB

- S22為13.5dB

- Cell波段抑制：> 57dBc

- PCS波段抑制：> 53dBc

- WLAN波段抑制：> 52dBc


圖3 ALM-1912演示和應(yīng)用電路框圖

ALM-1912應(yīng)用

• GPS前端模塊

注意：

該模塊在輸入和輸出RF引腳完全匹配。這些引腳同時(shí)還有內(nèi)置耦合和DC模塊化電容。利用高Q電感線(xiàn)圈可以實(shí)現(xiàn)最佳的噪聲性能。該電路演示了利用標(biāo)準(zhǔn)的0402芯片電感可以獲得低噪聲性能。

C2和L2組成了匹配的網(wǎng)絡(luò)來(lái)影響LNA的頻率響應(yīng)和線(xiàn)性度，可對(duì)二者進(jìn)行調(diào)節(jié)來(lái)優(yōu)化增益和回波損耗。

在測(cè)試過(guò)程中，L1和R1避免演示板受到外部干擾。在實(shí)踐應(yīng)用中并不需要。同樣，C1和C3分別抑制在Vdd和Vsd端接收的外部噪聲的影響。這些組件在實(shí)際操作中都不需要。

利用或不利用R2來(lái)改變Vsd電壓，或者將Vsd的電壓固定為Vdd并調(diào)節(jié)R2使電流達(dá)到理想值，可以進(jìn)行偏置控制。

Vdd=Vsd=2.7V ，R2=4.7kΩ將產(chǎn)生6mA的電流；Vdd=Vsd=1.8V并且R2=2.7kΩ時(shí)，產(chǎn)生的電流為4mA；Vdd=Vsd=2.8V，R2為15kΩ時(shí)電流為4mA。