IBM芯片技術研發(fā)獲新突破:碳納米管體積小

　　據(jù)國外媒體報道，IBM近日表示，該公司位于美國紐約州約克城高地(Yorktown Heights)的IBM TJ沃森研究中心科學家們已在碳納米芯片研究方面取得重大進展?？茖W家們將碳納米管安裝到一塊硅片上，以創(chuàng)造出一塊有1萬個晶體管工作的混合芯片。而這一數(shù)字是傳統(tǒng)硅晶體管數(shù)量上限的100倍左右。

　　據(jù)悉，碳納米晶體管除了體積小之外，導電性能也很優(yōu)越。在該技術下生產出來的芯片性能將獲得巨大的提升。不過，由于該技術尚未成熟，預計至少十年之后才能用于商業(yè)生產。

　　在芯片領域，近些年來研究者們越來越擔憂“摩爾定理(一塊芯片上工作的晶體管數(shù)量每12至18個月能翻倍)失效的時間可能會提早”。IBM表示，這是一項重大的研究突破，值得為之興奮。過去50年以來在芯片研究領域硅一直是基礎材料，雖然其存在著不足，但截至目前科學家們仍然尚未找到一個好的解決方案，而科學家們預期碳納米可使芯片制造商能夠生產出“開關速度比硅類成分快很多”的更小晶體管。

　　IBM研究中心負責太陽能發(fā)電技術的蘇普拉蒂克-古哈(Supratik Guha)表示，其研究小組認為碳納米產品的表現(xiàn)會超過通過其他任何材料轉變而生產出來的產品。在總體時鐘頻率 (clock speed )方面，近些年來從整體來看處理器行業(yè)已處于“撞墻停滯”狀態(tài)，這迫使該行業(yè)轉變方向而生產多核處理器，以幫助處理工作載荷而不是繼續(xù)提高時鐘頻率。科學家們預計一旦該項新技術能夠在本世紀末用于實際中，那么未來的處理器的時鐘頻率將會比現(xiàn)在高出很多。