TSMC確認采用Cadence 3D-IC技術應用于其CoWoS參考流程

　　全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)，今天宣布TSMC已經(jīng)確認采用Cadence 3D-IC技術應用于其CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate)參考流程，用來開發(fā)CoWoS?測試載具，包含一個SoC與Cadence Wide I/O存儲器控制器與PHY IP。這是晶圓廠方面的首個硅驗證的參考流程，可用于多晶粒集成，并包含TSMC CoWoS?與Cadence 3D-IC技術，使得3D-IC設計成為電子公司的可靠選擇。

　　3D-IC解決方案中經(jīng)檢驗的可靠技術涵蓋Cadence Encounter? RTL-to-signoff和Virtuoso?定制/模擬平臺。同樣包含于其中的還有Cadnece系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品，以及最近剛收購的Sigrity電源感知芯片/封裝/電路板信號完整性解決方案，幫助工程師攻克從規(guī)劃到實現(xiàn)、測試、分析和驗證的整個過程中的晶粒堆疊與硅載體問題，。TSMC獨特的CoWoS?組合凸塊單元可以簡化凸塊分配，目前在Cadence Encounter Digital Implementation(EDI)System、QRC Extraction和Cadence Physical Verification System中自動獲得支持。CoWoS?參考流程有CoWoS?設計工具包可用，以及從TSMC測試載具獲得硅驗證結果。

　　TSMC 選擇Cadence的高帶寬、低功耗 Wide I/O控制器與PHY設計IP解決方案，使用CoWoS?技術連接SoC與Wide I/O DRAM，其存儲器界面的峰值數(shù)據(jù)率超過100Gbit/Sec。

　　3D-IC技術為工程師開發(fā)當今復雜設計提供了多種主要優(yōu)勢，包括更高的性能，降低的功耗，以及更小的體積。TSMC的CoWoS?是一種綜合的工藝技術，將多個芯片捆綁在單個設備里，降低功耗與體積，同時提升系統(tǒng)性能。Cadence 3D-IC技術可以幫助數(shù)字、定制與封裝環(huán)境之間的多芯片協(xié)同設計，在各芯片與硅載體上都采用了硅通孔技術(TSV)，并支持微型凸塊排列、布置、布線、可測性設計以及從系統(tǒng)的角度進行分析與驗證。Wide I/O控制器與PHY展示了在3D-IC技術上應用存儲器子系統(tǒng)的優(yōu)勢，大幅降低運作功率，提高存儲器帶寬。

　　“Cadence 3D-IC技術助力新一代高性能移動設備，并提供了系統(tǒng)性能與功率效率方面的極大優(yōu)勢，”Cadence硅實現(xiàn)部門研發(fā)部高級副總裁Chi-ping Hsu說，“我們繼續(xù)與TSMC在CoWoS?工藝上進行合作，確保此底層技術能夠繼續(xù)支持重要的新興技術。”

　　“TSMC繼續(xù)與Cadence緊密合作，在業(yè)界推廣3D-IC技術，”TSMC設計底層技術營銷部門高級主管Suk Lee說，“我們已經(jīng)花了三年時間與OIP產(chǎn)業(yè)鏈的合作伙伴一起準備CoWoS?設計流程用于生產(chǎn)，現(xiàn)在我們已經(jīng)做好準備幫助客戶用TSMC CoWoS?技術進行3D-IC設計。”