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恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

—— 業(yè)界最豐富的產(chǎn)品組合采用節(jié)省空間的1 mm x 0.6 mm 封裝
作者: 時(shí)間:2012-08-02 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  中國(guó)上海,7月30日——半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)今日宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無(wú)引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的產(chǎn)品陣容。目前,提供60款雙極性(BJT)和12款小信號(hào)單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品,均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm DFN塑料SMD封裝——是業(yè)界提供最小封裝(DFN1006)最豐富的產(chǎn)品組合。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/135311.htm

  新的產(chǎn)品組合包括大量的通用晶體管和開關(guān)晶體管,例如符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的BC847和BC857,以及PMBT3904和PMBT3906。同時(shí),還提供42種可選配電阻晶體管(RETs),涵蓋所有標(biāo)準(zhǔn)電阻組合。

  除了這些標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,還提供高能效BJTs和MOSFETs,滿足所有行動(dòng)通訊應(yīng)用對(duì)低功耗和更長(zhǎng)電池壽命的需求。晶體管1 APBSS2515MB的低飽和電壓,可處理高達(dá)1A的峰值電流,并具有低至150 mV的超低飽和電壓。PMZB290UN等20~60V MOSFET具有低至250 mΩ的極低導(dǎo)通電阻,可降低導(dǎo)通損耗。

  在智能手機(jī)、MP3播放器、平板計(jì)算機(jī)和電子閱讀器等由電池驅(qū)動(dòng)的小型超薄電子設(shè)備上,這些產(chǎn)品是各種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)功能的理想之選。它們同樣適合類似于空間受限的非行動(dòng)通訊型應(yīng)用,如LED電視機(jī)和汽車儀表盤。

  最新DFN1006B-3產(chǎn)品組合的電氣性能和散熱性能與采用SOT23、SOT323或SOT416等更大封裝的等效設(shè)備相同,可作1:1的替換。這就節(jié)省了寶貴的PCB空間,因?yàn)槌叽鐬?x0.6 mm(0402英寸)的無(wú)引腳封裝比SOT23要小10倍且高度還小于其一半。1006 mm

  恩智浦半導(dǎo)體的雙極性小信號(hào)晶體管產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Joachim Stange表示:“在功率開關(guān)應(yīng)用的小型化競(jìng)賽中,DFN1006可幫助工程師搶得先機(jī),并且很有可能取代SOT23成為新標(biāo)準(zhǔn)。通過提供業(yè)界最豐富的DFN1006產(chǎn)品組合以及大量供貨的能力,我們已為支持客戶順利過渡到采用這種超小型晶體管封裝做好了準(zhǔn)備。”



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