Globalfoundries與IMEC簽署亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS合作計劃

　　擁有阿拉伯財閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，比利時的IMEC簽署了一項關(guān)于在亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)和硅上氮化鎵（GaN-on-Si：可用于制造固態(tài)照明器件，功率器件和射頻電路器件等）技術(shù)結(jié)成長期戰(zhàn)略合作伙伴的合作協(xié)議。

　　IMEC并沒有透露雙方這次合作協(xié)議的年限，以及IMEC從這項合作中能得到多少金額的營收等協(xié)議細(xì)節(jié)內(nèi)容，僅稱Globalfoundries已成為IMEC的CMOS技術(shù)核心合作伙伴。除了Globalfoundries之外，臺積電，Intel，三星，爾必達(dá)，Hynix等公司也與IMEC存在研發(fā)合作關(guān)系。

　　IMEC的亞22nm CMOS研究項目的目標(biāo)是開發(fā)出可供量產(chǎn)的邏輯/存儲用芯片產(chǎn)品制程工藝。項目的內(nèi)容包含從下一代IC芯片制造用材料及設(shè)備結(jié)構(gòu)研究，制造用器具，制造工序安排，制程整合等各個方面，還包括22nm下一代制程技術(shù)的開發(fā)和研究。另外，Globalfoundries還將加入IMEC的EUV光刻技術(shù)，邏輯/存儲芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)，納米級互連技術(shù)以及3D芯片整合技術(shù)的研究項目中去。

　　與此同時，Globalfoundries還加入了IMEC的氮化鎵研究計劃，該項目的目標(biāo)是研發(fā)出高性能高費(fèi)效比的硅上氮化鎵固態(tài)照明技術(shù)，力圖在200mm尺寸的硅晶圓襯底上采用硅上氮化鎵制程研發(fā)出適用的硅上氮化鎵制程技術(shù)，這項技術(shù)研發(fā)成功之后，砷化鎵器件在功率器件，射頻電路器件等應(yīng)用場合均可獲益。

　　除了與IBM領(lǐng)導(dǎo)的Fishkill制造技術(shù)聯(lián)盟展開合作之外，GlobalFoundries一直在發(fā)展有自家特色的制程研發(fā)能力。不過GlobalFoundries的發(fā)言人此地?zé)o銀三百兩地表示：“與IMEC的合作將是我們現(xiàn)有研發(fā)項目的一個補(bǔ)充，不會影響到我們與其它機(jī)構(gòu)/公司如IBM,CNSE,Sematech等主要合作伙伴的合作關(guān)系。”