新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 三星啟動64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)

三星啟動64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)

—— 三星開始啟動64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)
作者: 時間:2010-10-13 來源:cnBeta 收藏

  就在啟動32GB 20nm閃存生產(chǎn)線四個月后,確認(rèn)目前已經(jīng)啟動64GB,3位元閃存的批量生產(chǎn)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/113464.htm

  由于蘋果公司在iOS設(shè)備(包括Apple TV等新品)中廣泛使用了閃存,因此加大產(chǎn)能和升級存儲密度降低成本成為當(dāng)務(wù)之急。

  最新的發(fā)展計劃將32GB 3位元閃存產(chǎn)能提升一倍,并增加60%以上的30nm制程產(chǎn)能,并且新的閃存DDR技術(shù)可以加快設(shè)備速度,一方面也可以滿足SSD、閃存/SD攝像機、智能手機的需求。



關(guān)鍵詞: 三星 NAND 20納米

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉