爾必達已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

　　爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。

　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動柵(floating gate)技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術可幫助生產(chǎn)較目前市場上產(chǎn)品體積更小、功能更強大NAND閃存芯片。

　　爾必達的目標是成為全球第一個大規(guī)模生產(chǎn)基于電荷擷取技術NAND閃存芯片的芯片制造商。

　　諸如爾必達等僅生產(chǎn)DRAM(dynamic random access memory)芯片的半導體制造商正在試圖增加生產(chǎn)閃存芯片的能力，以滿足將閃存和DRAM整合成單一模塊以用于移動電話的強烈需求。這類產(chǎn)品的市場正日益增長，部分原因是智能手機的全球普及。