臺積電推出0.25微米車用一次性可編程存儲器硅知識產權

　　臺積電今日宣布，推出通過美國汽車電子協(xié)會(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100產品規(guī)格驗證標準的0.25微米車用一次性可編程存儲器(One-time-programmable) 硅知識產權。

　　此一硅知識產權與TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝、混合信號/模擬(Mixed signal/analog)工藝以及標準CMOS邏輯工藝完全相容，因此無需額外增加其他工藝步驟，提供車用電源管理及模擬產品系統(tǒng)單芯片制造一個理想的選擇。

　　TSMC0.25微米車用一次性可編程存儲器硅知識產權系通過AEC-Q100第一級 (AEC-Q100 grade1) 產品規(guī)格驗證，包括良率電氣特性測試的全面測試(Fully tested at multi-probe)以及能在攝氏125度的高溫下資料保存(Data retention)能力達到10年的嚴格標準;進行資料讀取作業(yè)(Read operation)的設定電壓為7.5伏特，而實際編程操作的電壓為5伏特。

　　TSMC系以自力旺電子公司所授權取得的位元儲存格(Bit-Cell)結構技術為基礎，開發(fā)出此一符合TSMC工藝及故障分析標準的0.25微米車用一次性可編程存儲器硅知識產權。同時，提供電性分析及測試方法文件，以符合車用電子嚴格的安全標準要求。

　　TSMC車用電子項目處長鄭國棟表示：「繼推出通過AEC-Q100驗證，針對微控制器(MCU)產品應用的0.25微米與0.18微米嵌入式閃存硅知識產權之后，TSMC又再推出此一0.25微米車用一次性可編程存儲器硅知識產權，為客戶提供更多的選擇，滿足對模擬訊號調整(Analog trimming)、校準設定(Calibration configuration)、加密設定(Encryptions keys)以及在客戶端內完成客制化作業(yè)(In-field customizations)等日漸增加的需求。