2010電子封裝技術(shù)與高密度集成技術(shù)國(guó)際會(huì)議

—— 會(huì)議通知

作者：時(shí)間：2010-05-06 來源：電子產(chǎn)品世界

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在過去十多年間，由中國(guó)電子學(xué)會(huì)生產(chǎn)技術(shù)學(xué)分會(huì)(CEPS)主辦的電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議，分別在中國(guó)的北京、上海、深圳等地成功舉辦過十屆，為來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家、學(xué)者和研究人員提供了一個(gè)交流電子封裝技術(shù)新進(jìn)展、新思路的重要技術(shù)平臺(tái)。為了更方便國(guó)內(nèi)外同行參加電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ICEPT），集中行業(yè)內(nèi)高水平的技術(shù)與學(xué)術(shù)力量，打造封裝國(guó)際會(huì)議品牌，經(jīng)國(guó)內(nèi)外同行建議，由中國(guó)電子學(xué)會(huì)決定，從2008年起，電子封裝技術(shù)(ICEPT)和高密度封裝(HDP) 合并為電子封裝技術(shù)和高密度封裝國(guó)際會(huì)議(ICEPT-HDP)。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/108715.htm

ICEPT-HDP 2010將于2010年8月在中國(guó)西安舉行，為期4天。將有來自近20個(gè)國(guó)家和地區(qū)的代表參加，擬發(fā)表論文約300余篇。會(huì)議將通過專題講座、特邀報(bào)告、分會(huì)報(bào)告、論文張貼、展覽展示等形式對(duì)電子封裝各技術(shù)領(lǐng)域中的最新進(jìn)展進(jìn)行交流，誠(chéng)邀業(yè)界人士踴躍參與。

一、大會(huì)主要信息

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó) 西安會(huì)議時(shí)間：2010年8月

會(huì)議指定網(wǎng)站：http://www.icept.org

會(huì)議規(guī)模：400-500人

會(huì)議主題

q 先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成: 球柵陣列封裝、芯片級(jí)封裝、倒裝芯片、晶圓級(jí)封裝、三維封裝、系統(tǒng)封裝等。

q 高密度基板及組裝技術(shù): 嵌入式無源和有源元件；高密度互連、印刷電路多層板及表面封裝技術(shù)等。

q 封裝設(shè)計(jì)與模擬: 各種新型封裝/組裝設(shè)計(jì)；對(duì)電子封裝的電、熱、光和機(jī)械特性建模、模擬和驗(yàn)證的方法/技術(shù)/軟件；芯片-封裝-印刷電路板的共同設(shè)計(jì)；多功能和多尺度的建模、模擬、驗(yàn)證方法及其軟件技術(shù)。

q 新興領(lǐng)域封裝: 傳感器、執(zhí)行器、微電機(jī)系統(tǒng)、納電機(jī)系統(tǒng)、微光電機(jī)系統(tǒng)；光電子和發(fā)光二極管封裝；液晶顯示，無源元件，及射頻、功率、高壓器件；基于納米線、納米管、高分子聚合物的納米器件等。

q 封裝材料與工藝: 鍵合絲、焊錫、芯片下填料、塑封料、粘接劑、薄膜材料、介電材料、基板材料和導(dǎo)熱材料的最新進(jìn)展；綠色電子材料、納米材料和其它能夠提高封裝性能和降低成本的新型材料；以及各種各樣的封裝與組裝工藝。

q 封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù): 新型的封裝和組裝制造設(shè)備；質(zhì)量監(jiān)控、工藝過程控制及針對(duì)新興領(lǐng)域封裝的相關(guān)封裝設(shè)備/測(cè)量方法的進(jìn)展；光刻、激光加工技術(shù)；提升可制造性和良品率、降低成本及改善使用可靠性的新型封裝/組裝技術(shù)；及用于工藝有效性模擬和監(jiān)控，成本分析等相關(guān)的先進(jìn)方法/軟件。

q 質(zhì)量與可靠性控制: 封裝/組裝制造質(zhì)量監(jiān)視與質(zhì)量評(píng)估；用于快速可靠性數(shù)據(jù)收集和分析，可靠性模擬和壽命預(yù)測(cè)的先進(jìn)方法/技術(shù)/軟件；新型領(lǐng)域封裝技術(shù)中的相關(guān)可靠性問題；及新的失效分析的方法/技術(shù)/工具。