存儲器中采用銅工藝對于設備市場的影響

　　按Information Network總裁Robert Casterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導體設備市場下降超過40%以上, 而與銅互連直接相關連的設備僅下降8.7%。

　　在2006未Micron技術公司首先在DRAM產品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進。之后所有的存儲器制造商, 以三星為首都對于存儲器生產線進行升級改造, 導入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設備和材料的市場。公司認為此種趨勢將影響半導體設備市場的各個方面一直到2011年。

　　顯然影響最大的是傳統(tǒng)的鋁互連淀積設備, 如高密度等離子體HDP CVD, 用作不摻雜(USG)和摻雜(PSG and FSG) 薄膜生長設備的銷售額在2009年下降72%。

　　由于存儲器芯片制造中采用銅工藝集成, 與傳統(tǒng)的邏輯工藝不同. 而DRAM和閃存應用于大量的存儲器應用中, 其要求更高的長寬比, 尺寸更小和對于導線的阻抗更會敏感。

　　銅的阻擋層金屬淀積推動PVD設備市場的增長, 典型為Ta/TaN或者TiN的雙層結構。隨著特征尺寸繼續(xù)縮小,要求更薄的阻擋層金屬層使大馬士革結構中銅的用量擴大, 來維持更低的有效電阻率, 所以銅互連工藝過渡是個挑戰(zhàn)。

　　Castellano補充由于向銅互連工藝過渡會大大影響CMP設備中的磨料(slurry) 和襯墊(pad) 市場。實際上由于銅互連工藝很快的推廣, 之后將趨穩(wěn)定, 這些消耗品會加入總的CMP等半導體設備市場中去。