F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設計之比較

　　引言

　　高性能和環(huán)保是當前技術創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。

　　若系統(tǒng)設計需要采用半導體存儲器技術，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。

　　本文將闡釋F-RAM 和 BBSRAM存儲器之間的功能差異和設計差異。本文還會特別強調(diào)F-RAM如何能夠為設計人員提供具備成本優(yōu)勢和更簡化的系統(tǒng)及維護的前瞻性的環(huán)保選擇方案。

　　在許多數(shù)據(jù)記錄應用中，BBSRAM存儲器都扮演了重負荷芯片的角色。BBSRAM易于使用，耐久性高，寫入速度快，但它的最大缺點是需要電池。而電池既給環(huán)境造成有害影響，也給設計和系統(tǒng)帶來障礙。

　　而F-RAM是一種成熟的半導體技術，具有寫入速度極快、耐久性高和功耗超低等特性。F-RAM固有非易失性的特點，性能堪比SRAM，卻又無需電池，這些都在設計和功能方面為工程師提供了顯著的優(yōu)勢。

　　去掉電池還有助于工程師在系統(tǒng)設計中節(jié)省空間。只要采用F-RAM，就不必為擔心電池受標準焊接工藝損害而對之進行專門處理，從而節(jié)省成本。在當今環(huán)保意識高漲的全球文化氛圍中，F(xiàn)-RAM無需電池更換和處理工序，減少了電池帶來的污染，是一種更為環(huán)保的解決方案。

　　下文將對F-RAM 和 BBSRAM進行了比較分析，強調(diào)了這兩種存儲器選擇之間的功能和設計差異，以及它們對生態(tài)、成本和性能的相關影響。