Intel65nm工藝成熟尋獲漏電流解決辦法

   Intel即將推出一系列基于65nm工藝的處理器，這已經(jīng)是公開(kāi)的秘密。65nm的工藝使得Intel可以在一片晶圓中制造出更多的處理器，隨之而來(lái)的是產(chǎn)能、效率以及利潤(rùn)的增長(zhǎng)。當(dāng)然，這種工藝更復(fù)雜、需要巨大的投資以提高成品率。 目前，處理器的典型研發(fā)周期是24到32個(gè)月，而在十年以前是大約48個(gè)月。研發(fā)過(guò)程的主要任務(wù)就是尋找和定位錯(cuò)誤。Intel的技術(shù)和研發(fā)集團(tuán)專門負(fù)責(zé)發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤并對(duì)其進(jìn)行修正——這往往被稱為“納米手術(shù)”，因?yàn)檎麄€(gè)過(guò)程都在10nm以內(nèi)的空間內(nèi)進(jìn)行。集團(tuán)的領(lǐng)導(dǎo)Markus Kuhn指出：Intel現(xiàn)在可以對(duì)5nm左右的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行操作，相當(dāng)于對(duì)一個(gè)原子進(jìn)行控制。

    Intel Fab12工廠的經(jīng)理Steven Megli表示：即使制造環(huán)境的濕度稍有不同，也會(huì)對(duì)成品率造成嚴(yán)重影響。Intel希望在全球的工廠推廣65nm工藝，但Steven Megli也承認(rèn)這幾乎不太可能，即使在Fab12，也只有90%的環(huán)境參數(shù)滿足要求。

Intel在量產(chǎn)之前不放過(guò)任何一個(gè)微小錯(cuò)誤的努力得到了回報(bào)——65nm的工藝僅需20個(gè)月就達(dá)到了成熟的水平，而180nm用了38個(gè)月、130nm用了30個(gè)月、90nm用了26個(gè)月。

Intel可以發(fā)現(xiàn)任何微小的錯(cuò)誤，但為何沒(méi)有發(fā)現(xiàn)基于90nm工藝的處理器明顯的電流泄漏現(xiàn)象？對(duì)此，Markus Kuhn表示：Intel很清楚的意識(shí)到了這個(gè)問(wèn)題，但這個(gè)問(wèn)題是在研發(fā)的過(guò)程中引入的。雖然在提升處理器頻率時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱量，但之前Intel認(rèn)為這個(gè)問(wèn)題不太重要。這僅僅到最近這才成為一個(gè)令人頭疼的問(wèn)題。在65nm工藝中，電流泄漏已經(jīng)大大降低。但Markus Kuhn認(rèn)為業(yè)界無(wú)法解決氧化柵極所帶來(lái)的電流泄漏問(wèn)題，這屬于量子機(jī)械效應(yīng)，不可避免。

那么，Intel能在這條路走多遠(yuǎn)呢？Markus Kuhn表示這遠(yuǎn)無(wú)止境。下一個(gè)研發(fā)的目標(biāo)是32nm工藝的處理器，并有望在2009年投放市場(chǎng)。隨后，就將步入納米時(shí)代，瞄準(zhǔn)20nm或更細(xì)的工藝。