英特爾已經(jīng)完成第二套High NA EUV光刻機組裝

10月10日消息，ASML 新任首席執(zhí)行官 Christophe Fouquet 近日在SPIE大會上介紹了ASML的High NA EUV光刻機，并表示英特爾的第二套 High NA EUV光刻機已經(jīng)組裝完成。

Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻機將不太可能像當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機那樣出現(xiàn)延遲交貨的情況，其原因是ASML找到了組裝掃描儀子組件的新方法，就是直接在客戶工廠進(jìn)行安裝，無需經(jīng)歷拆卸及再組裝的過程，這將大大節(jié)省ASML與客戶之間的時間和成本，有助于加快High NA EUV光刻機的發(fā)貨和交貨。

英特爾院士兼曝光技術(shù)總監(jiān)Mark Phillips在Christophe Fouquet之后的演講中也表示，英特爾已經(jīng)在波特蘭工廠完成了兩套的High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝。

此外，Mark Phillips 還公布了一些的數(shù)據(jù)，說明了 High NA EUV光刻機相對于標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機所帶來的改進(jìn)，通過High NA EUV光刻機應(yīng)用出來的改善結(jié)果可能要比之前想象中還要多。

Mark Phillips 強調(diào)，由于已經(jīng)有了經(jīng)驗，第二套 High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝速度比第一個還要更快。 據(jù)稱，High NA EUV光刻機所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運行。 用于 High NA EUV光刻機的光罩檢測工作已經(jīng)按計劃開始進(jìn)行。 因此，英特爾無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。

另外，Mark Phillips還被問到了關(guān)于CAR（化學(xué)放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問題。 他的說法是 CAR 目前還夠用，但可能在未來某個時候需要金屬氧化物光阻劑。英特爾目標(biāo)是要Intel 14A制程技術(shù)能在2026~2027年量產(chǎn)，屆時將制程技術(shù)進(jìn)一步進(jìn)行提升。

編輯：芯智訊-林子