HBM4規(guī)范定型：最高32Gb、16層TSV堆棧，6.4Gbps！

近日，標準組織JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會公布了新一代的高帶寬內(nèi)存HBM4的標準制定即將完成。HBM4 旨在超越當前發(fā)布的 HBM3 標準，進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高帶寬、更低功耗以及增加每個芯片和/或堆棧容量等基本功能。這些進步對于需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計算的應(yīng)用程序至關(guān)重要，包括生成式人工智能 （AI）、高性能計算、高端顯卡和服務(wù)器。

具體來說，與 HBM3 相比，HBM4 將每個堆棧的通道數(shù)增加一倍，并具有更大的物理占用空間。為了支持器件兼容性，該標準確保單個控制器可以在需要時同時使用 HBM3 和 HBM4。不同的配置將需要不同的轉(zhuǎn)接板來適應(yīng)不同的封裝。HBM4 將指定 24 Gb 和 32 Gb 容量密度，并可選擇支持 4 層、8 層、12 層和 16 層 TSV 堆棧。該委員會已就高達 6.4 Gbps 的速度達成了初步協(xié)議，并且正在討論更高的頻率。

值得注意的是，英偉達（NVIDIA）已經(jīng)宣布為其下一代 Rubin AI 加速器配備HBM4。

HBM大廠SK海力士此前曾表示，他們計劃將存儲器和邏輯半導(dǎo)體集成到單個封裝中，這意味著不需要額外的封裝技術(shù)，并且考慮到單個芯片將更接近這種實現(xiàn)，它將被證明具有更高的性能效率。為了實現(xiàn)這一目標，SK海力士計劃建立一個戰(zhàn)略“三角聯(lián)盟”，這將涉及臺積電的半導(dǎo)體和英偉達的產(chǎn)品設(shè)計，從而產(chǎn)生可能具有革命性的最終產(chǎn)品。

編輯：芯智訊-林子