錦正茂高低溫探針臺(tái)T8-LY100的技術(shù)指標(biāo)

      高低溫探針臺(tái)T8-LY100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80K-420K高低溫測(cè)試環(huán)境，通過(guò)外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器，可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測(cè)，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。

技術(shù)指標(biāo)：

1.真空腔體約直徑260mm，

2.帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英

3.樣品載臺(tái)直徑：(50mm)平整度<5微米

4.樣品臺(tái)直徑：50mm

5.移動(dòng)范圍：±25mm

6.溫度范圍：80K-420K，控溫精度：0.1-0.5K

7.制冷方式：液氮

8· X-Y-Z行程范圍：±25mm*±25mm*0-12.5mm線性運(yùn)動(dòng)，位移精度：1um

9· 預(yù)留光纖接入口做光響應(yīng)測(cè)試

10· 預(yù)留四個(gè)探針座的接口

11· 探針長(zhǎng)度38mm，直徑0.5mm，針尖直徑1um

12· 兩套CCD相機(jī)（能看清1-2um）

13·耦合一套四軸應(yīng)變裝置（定制）

14·三同軸射頻接口：4只，外接三同軸連接線雙向公頭，長(zhǎng)度 2米

15. 配50升液氮罐輸液管

16. 真空抽口KF50

17.重量：75kg