有關(guān)三星 1.4 納米工藝,首批細(xì)節(jié)浮出水面
三星是第一家在 2022 年中期推出依賴于環(huán)柵 (GAA) 納米片晶體管的工藝技術(shù)的公司,其 SF3E(也稱為 3 納米級環(huán)柵耳,3GAE)。該公司使用該技術(shù)制造各種芯片,但據(jù)信該節(jié)點(diǎn)的使用僅限于微型芯片,例如用于加密貨幣挖掘的芯片。明年,三星 計(jì)劃 推出 SF3 技術(shù),該技術(shù)有望被更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域所采用。三星計(jì)劃在 2025 年推出其性能增強(qiáng)型 SF3P 技術(shù),該技術(shù)專為數(shù)據(jù)中心 CPU 和 GPU 設(shè)計(jì)。
同樣在 2025 年,三星預(yù)計(jì)將推出 SF2(2nm 級)制造工藝,該工藝不僅依賴 GAA 晶體管,還將采用背面功率傳輸,這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來了巨大的好處, 也許在推出基于 GAA 的 SF3E 后三星生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的最大改革將發(fā)生在 2027 年,屆時(shí)三星的 SF1.4 技術(shù)將通過將納米片數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)來獲得額外的納米片。
增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動電流,從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管,從而增強(qiáng)其開關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外,更多的納米片可以更好地控制電流,這有助于減少漏電流,從而降低功耗。此外,改進(jìn)的電流控制還意味著晶體管產(chǎn)生的熱量更少,從而提高了功率效率。
英特爾和臺積電都打算分別于 2024 年和 2025 年開始使用 GAA 晶體管及其 20A 和 N2(2 納米級)工藝技術(shù)。當(dāng)這些公司推出基于納米片的節(jié)點(diǎn)時(shí),三星將在環(huán)柵晶體管方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),這可能對代工廠有利。
來源:車匯
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