中電科專(zhuān)家?guī)闶崂碇袊?guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展大事紀(jì)
新中國(guó)成立后,我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也迎來(lái)了新的起點(diǎn)和生機(jī)。
1956年國(guó)家提出“向科學(xué)進(jìn)軍”,制訂了發(fā)展各門(mén)尖端科學(xué)的“十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃”,與此同時(shí)根據(jù)國(guó)外發(fā)展電子器件的進(jìn)程相應(yīng)地提出了中國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)的發(fā)展方向,將此類(lèi)技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一,從原材料開(kāi)始,自力更生研究半導(dǎo)體器件。
六十多年后的今天,特別是改革開(kāi)放以后,半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)從第一代的硅材料、鍺材料發(fā)展到第二代的砷化鎵、磷化銦,再到第三代的碳化硅和氮化鎵等,逐漸豐富和完善。但是也要看到,從技術(shù)含量方面來(lái)講,現(xiàn)階段我國(guó)和世界先進(jìn)水平的差距仍然較大,在一些關(guān)鍵高端領(lǐng)域仍有不少路要走。因此,在新的環(huán)境和形式下更要把握住機(jī)遇,迎接挑戰(zhàn)。
本期我們邀請(qǐng)到中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體材料分會(huì)的秘書(shū)長(zhǎng)、中國(guó)電科首席專(zhuān)家林健先生,聽(tīng)他揭秘中國(guó)半導(dǎo)體材料的發(fā)展大事紀(jì)。
芯片揭秘 | 中電科專(zhuān)家?guī)闶崂碇袊?guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展大事紀(jì)
以下內(nèi)容由對(duì)話整理
后起之秀:中國(guó)材料業(yè)三十年的發(fā)展歷程
機(jī)遇or挑戰(zhàn)?材料行業(yè)“敢問(wèn)路在何方”
從“0”到“1”的創(chuàng)新該從何抓起
幻實(shí)(主播)
我對(duì)材料類(lèi)的公司相對(duì)而言了解較少,想請(qǐng)教一下,為什么中國(guó)電科對(duì)材料這么關(guān)注?
林健(嘉賓)
從它的歷史來(lái)看,中國(guó)電科前期叫國(guó)家電子工業(yè)部,2002年,國(guó)家電子工業(yè)部被分成了兩部分,一部分叫CEC(中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)),幾乎包含了所有電子部的工廠;另一部分是把所有研究所變成了CETC,加了一個(gè)T(technology)。CETC全產(chǎn)業(yè)鏈都做,包括從整機(jī)到元器件再到材料,全部自我配套。所以說(shuō)材料是最基礎(chǔ)的,也是最重要的一環(huán),是必須要做的。
幻實(shí)(主播)
您是什么時(shí)候加入材料行業(yè)的?
林?。钨e)
大學(xué)畢業(yè)后我就被分配到46所工作了。
幻實(shí)(主播)
您在大學(xué)里學(xué)什么?
林?。钨e)
學(xué)的是半導(dǎo)體集成電路,嚴(yán)格來(lái)講叫做半導(dǎo)體物理與器件,這個(gè)專(zhuān)業(yè)所學(xué)的內(nèi)容就是集成電路;到46所工作之后,重點(diǎn)開(kāi)始了材料方面的研究。因?yàn)閲?guó)家分工不同,所以我們是從最早的硅、鍺這類(lèi)第一代材料開(kāi)始做起的,中國(guó)的第一顆單晶硅就是我們所拉制出來(lái)的,那是1959年。
幻實(shí)(主播)
在剛解放沒(méi)幾年的時(shí)候?
林?。钨e)
是,為了給國(guó)慶十周年獻(xiàn)禮,中國(guó)自主生產(chǎn)了第一顆單晶硅。
丁守謙1959年9月率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研制出新中國(guó)第一顆單晶硅
(圖源:天津日?qǐng)?bào)新聞客戶(hù)端)
幻實(shí)(主播)
那時(shí)候46所就已經(jīng)有建制了嗎?
林?。钨e)
當(dāng)時(shí)不叫46所,而是叫做601實(shí)驗(yàn)所,這是公安部的一個(gè)研究所。
幻實(shí)(主播)
為什么制造單晶硅是由公安部管呢?
林健(嘉賓)
當(dāng)時(shí)這種材料比較先進(jìn),美國(guó)已經(jīng)率先做出。在公安系統(tǒng)內(nèi)據(jù)說(shuō)是用于偵聽(tīng)、偵測(cè),于是公安部下達(dá)命令,安排天津市公安局負(fù)責(zé)執(zhí)行。那時(shí)國(guó)內(nèi)還沒(méi)有這些材料的研究人員,于是就從勞改農(nóng)場(chǎng)里找了一些上世紀(jì)50年代從北大、清華、南開(kāi)這些學(xué)校畢業(yè)的大學(xué)生、研究生,把他們中搞物理學(xué)的人集合起來(lái),進(jìn)行材料方面的研究。
這些人從零開(kāi)始。首先硅是什么、硅的熔點(diǎn)是多少都不知道,只能從書(shū)本上來(lái)找這些知識(shí),把理論變成實(shí)際。為了熔化它,他們拿電烙鐵去試,鐵能熔化,它卻熔化不了,實(shí)際操作過(guò)程中需要純度,還不能氧化……其實(shí)那代人真的很不容易,非常令人敬佩。
幻實(shí)(主播)
十年間能做出來(lái),當(dāng)時(shí)應(yīng)該也投入了不少代價(jià)。
林?。钨e)
他們基本就是以所為家,不分晝夜拼命地干。從開(kāi)始動(dòng)工到拉出中國(guó)第一顆單晶硅僅僅用了13個(gè)月。
幻實(shí)(主播)
這個(gè)速度跟國(guó)際比起來(lái)也不會(huì)太差吧?
林?。钨e)
跟當(dāng)時(shí)國(guó)際的水平差了有6年左右。
幻實(shí)(主播)
是否說(shuō)明我們?cè)诓牧仙厦嫫鸩讲⒉凰闾恚?/span>
林健(嘉賓)
是的,硅材料差6年左右,二代砷化鎵材料實(shí)際上差得更短——他們是1964年投入實(shí)用階段,我們是1965年,水平比較接近。
幻實(shí)(主播)
為什么后來(lái)差距就越來(lái)越遠(yuǎn)了?
林?。钨e)
我國(guó)真正恢復(fù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展是在十一屆三中全會(huì)之后,這時(shí)候與別的國(guó)家差距已經(jīng)很大了。雖然時(shí)間上差了十幾年,但實(shí)際上我們跟人家的技術(shù)差距超過(guò)二十年。
幻實(shí)(主播)
您畢業(yè)參加工作的時(shí)候是不是就在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)?
林?。钨e)
我是1987年大學(xué)畢業(yè)的。雖然那時(shí)中國(guó)已經(jīng)改革開(kāi)放,但一切發(fā)展仍然舉步維艱,尤其是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)剛開(kāi)始復(fù)蘇,當(dāng)時(shí)的工廠很難往下經(jīng)營(yíng),許多都面臨倒閉。
首先,咱們與國(guó)外差距太大,我們的發(fā)展時(shí)刻遭受著國(guó)外的打壓,要知道在當(dāng)時(shí)國(guó)外產(chǎn)品很容易就能買(mǎi)到;其次,由于剛剛起步,我們做的產(chǎn)品價(jià)格高昂,質(zhì)量卻不及國(guó)外,客戶(hù)自然不愿意用。
其實(shí)上世紀(jì)80年代的半導(dǎo)體已經(jīng)不是特別景氣了,當(dāng)時(shí)我們班有40人,但真正從事相關(guān)工作的不超過(guò)10個(gè)人。
幻實(shí)(主播)
您為何能堅(jiān)持下來(lái)呢?
林?。钨e)
有國(guó)家使命在,另外我個(gè)人對(duì)這方面也很有興趣。
幻實(shí)(主播)
在46所您最開(kāi)始是做什么方向的研究?
林健(嘉賓)
我所在的第一研究室主要的研究方向是二代砷化鎵材料,第二研究室是做單晶硅材料,兩個(gè)研究室合并后,硅和砷化鎵都成了我的研究方向。
三代半導(dǎo)體材料的性能比較
(圖源:電子發(fā)燒友網(wǎng))
幻實(shí)(主播)
那個(gè)時(shí)候的半導(dǎo)體材料研究和現(xiàn)在相比有什么不同?
林?。钨e)
變化相當(dāng)大。我剛畢業(yè)的時(shí)候,硅材料還是1.5英寸、2英寸、2.5英寸。2.5英寸什么概念?就是63.5毫米直徑的圓,現(xiàn)在的人很多都不知道“63.5”這個(gè)概念。
大多數(shù)人的認(rèn)知最起碼是2英寸、3英寸、4英寸,很少有人聽(tīng)說(shuō)過(guò)1.5英寸、2.5英寸這類(lèi)。但在上世紀(jì)80年代、90年代初期,我們的水平就是這樣。1990年,我們單位與中國(guó)陜西機(jī)械學(xué)院聯(lián)合做了一臺(tái)硅單晶爐,那是中國(guó)第一臺(tái)大直徑單晶爐,這種大直徑單晶爐能制出最大單晶硅就是2.5英寸。
幻實(shí)(主播)
拉制出來(lái)以后會(huì)直接做下一步的生產(chǎn)嗎?
林?。钨e)
實(shí)際上都有。我剛工作的時(shí)候,很多1.5英寸、2英寸的硅片都是用于生產(chǎn)。當(dāng)時(shí)中國(guó)的半導(dǎo)體廠,北邊有吉林華微,南邊有揚(yáng)州晶體管廠,都在用這種小直徑的材料。
點(diǎn)擊圖片獲取半導(dǎo)體圈兒的“神秘組織”艾新德魯夫更多精彩
幻實(shí)(主播)
為進(jìn)一步促進(jìn)政、產(chǎn)、學(xué)、研、用協(xié)同創(chuàng)新的交流與合作,中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體材料分會(huì)去年舉辦了《2021中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展(開(kāi)化)峰會(huì)》。您在會(huì)上的發(fā)言主題是“砥礪過(guò)往三十年,抓住機(jī)遇展未來(lái)”,這里的機(jī)遇指什么?能不能給我們解釋一下?
林健(嘉賓)
這個(gè)主題確實(shí)是我提出來(lái)的。
機(jī)遇是從2017年美國(guó)制裁中芯國(guó)際開(kāi)始,再到制裁華為以及中國(guó)一些其他相關(guān)企業(yè)。當(dāng)時(shí),我們確實(shí)受到了不小的打壓,在國(guó)際市場(chǎng)上也很難買(mǎi)到一些先進(jìn)的零部件、設(shè)備、技術(shù)等。但這對(duì)我們本身也是一個(gè)機(jī)遇,為什么這么說(shuō)?就半導(dǎo)體材料而言,國(guó)產(chǎn)8英寸、12英寸等大尺寸硅片在參數(shù)、穩(wěn)定性等指標(biāo)上與國(guó)外廠商相比還是有差距的。美國(guó)制裁之前,想要把國(guó)產(chǎn)的產(chǎn)品拿到器件廠、集成電路廠去用,對(duì)方基本上不愿意用,國(guó)外進(jìn)口質(zhì)量有保障,價(jià)格又便宜,咱們做的東西跟人家比沒(méi)有多少競(jìng)爭(zhēng)力?,F(xiàn)在,很多國(guó)外的先進(jìn)產(chǎn)品拿不到了,不得已而用國(guó)產(chǎn),所以這是一個(gè)難得的機(jī)遇。
國(guó)產(chǎn)雖然質(zhì)量不好、穩(wěn)定性差,但是在產(chǎn)品落地使用后會(huì)得到不斷提升的機(jī)會(huì),能在改進(jìn)技術(shù)和解決問(wèn)題的過(guò)程中自主提高、完善。國(guó)外越是打壓,就越逼著我國(guó)的民族企業(yè)不斷前行。這幾年來(lái),我們很多民族企業(yè)的產(chǎn)品都做得非常好,比如上海新昇,要知道12英寸大硅片原來(lái)國(guó)際上只有5家在做。
新中國(guó)成立后國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
(圖源:電子技術(shù)應(yīng)用網(wǎng))
幻實(shí)(主播)
聽(tīng)說(shuō)他們(新昇)供不應(yīng)求?
林?。钨e)
是的,因?yàn)槎纪ㄟ^(guò)認(rèn)證了。90納米、40納米、28納米,甚至14納米都通過(guò)了認(rèn)證。此外,某種意義上說(shuō)新冠疫情對(duì)中國(guó)也是一個(gè)機(jī)遇。國(guó)外很多工廠都處于半停產(chǎn)或者停產(chǎn)狀態(tài),只有中國(guó)現(xiàn)在一枝獨(dú)秀。
幻實(shí)(主播)
除了您剛剛提到的大硅片,還有什么材料也會(huì)迎來(lái)大幅增長(zhǎng)?
林健(嘉賓)
這種增長(zhǎng)主要還是靠社會(huì)需求帶動(dòng)的。當(dāng)下的社會(huì)需求主要來(lái)自5G、新能源汽車(chē)、智能手機(jī)等。作為第一代半導(dǎo)體材料,其實(shí)現(xiàn)在“幾代”這種說(shuō)法已經(jīng)逐漸不用或者改叫元素半導(dǎo)體,最早的硅材料和鍺材料就是元素半導(dǎo)體。無(wú)論是集成電路,還是其他各種半導(dǎo)體器件,目前90%以上都是用硅材料。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)中,沒(méi)有任何一種材料可以完全取代硅。
為什么這么說(shuō)?首先,地球地殼的1/4都是硅,儲(chǔ)量非常大;另外它的工藝成熟度很高,制造器件的成本卻非常低,幾乎沒(méi)有任何一種材料能夠取代它的這兩點(diǎn)特性。
另一方面,其他一些新材料,比如二代砷化鎵、磷化銦,我們稱(chēng)之為化合物材料,在某些性能、參數(shù)指標(biāo)上會(huì)比硅好,例如頻率、功率等。半導(dǎo)體器件的發(fā)展大體可以歸為兩個(gè)方向——一是追求功率,二是追求頻率。這兩項(xiàng)做的越大越高,器件的性能就會(huì)越好。
就頻率發(fā)展而言,砷化鎵材料比硅有優(yōu)勢(shì),而磷化銦在頻率上可以做得更高,能到太赫茲,比砷化鎵又有優(yōu)勢(shì)。二代砷化鎵材料不僅可以用于軍事,還可以民用。例如我們手機(jī)中的人臉識(shí)別用的就是砷化鎵材料,它的應(yīng)用很廣,但是使用量永遠(yuǎn)趕不上硅。
就功率發(fā)展而言,第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵兩種材料異軍突起。要知道,碳化硅材料已經(jīng)納入了國(guó)家十四五發(fā)展規(guī)劃。純粹的碳化硅,可以做高壓大功率的電力電子器件,在碳化硅襯底上增加氮化鎵,可以朝著微波射頻器件方向發(fā)展。另外,現(xiàn)在還出現(xiàn)了一些新材料。之前我們把碳化硅和氮化鎵叫寬禁帶半導(dǎo)體材料,它的禁帶寬度是在3.2到3.4;而氧化鎵這類(lèi)超寬禁帶或者叫第四代半導(dǎo)體材料,它的禁帶寬度達(dá)到4.9;金剛石、氮化鋁的禁帶寬度就更高了,分別是5.6和6.2,這些超寬禁帶的功率會(huì)更大。
半導(dǎo)體禁帶寬度是半導(dǎo)體的一個(gè)重要特征參量,
其大小主要決定于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
(圖源:電子產(chǎn)品世界網(wǎng))
幻實(shí)(主播)
看起來(lái),半導(dǎo)體材料這條賽道太火爆了。
林?。钨e)
沒(méi)錯(cuò)。據(jù)我們協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),目前至少30多家都在做碳化硅材料,這還不算器件廠、模塊廠等。其實(shí)碳化硅的材料也分為兩個(gè)方向:一個(gè)是做汽車(chē)、電力電子,另一個(gè)是做微波射頻等。雖然性能上比硅、砷化鎵都有優(yōu)勢(shì),但還不能完全壓制。坦率地說(shuō)碳化硅的市場(chǎng)份額并沒(méi)有那么大,真正能做得比較好的也就只有四、五家。
幻實(shí)(主播)
我覺(jué)得每一種材料都有自己的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),但是每選擇一種材料,它對(duì)應(yīng)的設(shè)備、工藝,還有整個(gè)產(chǎn)線都要發(fā)生巨大的變化,可能它的通用性并沒(méi)有那么強(qiáng),選擇材料時(shí),誰(shuí)來(lái)做評(píng)估和相應(yīng)的認(rèn)定呢?我們知道材料商處在上游,下游廠商如果不配合,新材料也難以被推廣、應(yīng)用。產(chǎn)業(yè)內(nèi)目前是用一種什么樣的模式在推進(jìn)材料發(fā)展的?
林?。钨e)
材料必須跟著器件走,而器件跟著市場(chǎng)的需求走,沒(méi)有需求這些東西做出來(lái)就沒(méi)人要。所以,首先要有需求。這種需求可能基于已有材料在功率、頻率等指標(biāo)上的瓶頸。我們的手機(jī)也是這樣一點(diǎn)點(diǎn)發(fā)展過(guò)來(lái)的,現(xiàn)在智能手機(jī)頻率做得非常高就是為了能夠?qū)崿F(xiàn)各種功能。總之,都是從應(yīng)用角度來(lái)帶動(dòng)半導(dǎo)體材料的發(fā)展。
2021年全球半導(dǎo)體營(yíng)收增長(zhǎng)了 25%,
預(yù)計(jì) 2022 年半導(dǎo)體總銷(xiāo)售額將增長(zhǎng) 11%
(圖源: IC Insights )
幻實(shí)(主播)
您怎么看材料市場(chǎng)過(guò)熱的事實(shí)?
林?。钨e)
我認(rèn)為一些資本有點(diǎn)盲目。一聽(tīng)說(shuō)這種材料好,就投這種材料。換個(gè)角度看,過(guò)熱不完全是壞事,剛開(kāi)始我們可以廣泛發(fā)展,最終再看誰(shuí)有能力,誰(shuí)往前走。
幻實(shí)(主播)
您了解過(guò)很多材料公司,也熟悉很多種材料,您覺(jué)得一種新材料被市場(chǎng)普遍采用的核心決定因素有哪些?
林?。钨e)
市場(chǎng)要有需求,材料才會(huì)有發(fā)展,這是最基本的。如果只是科學(xué)家搞理論研究,肯定沒(méi)什么用。一個(gè)需求出現(xiàn),為了滿(mǎn)足它,才會(huì)針對(duì)性地研究一些新的材料。
幻實(shí)(主播)
所以做材料的從業(yè)者反而更要去到終端看看。
幻實(shí)(主播)
其實(shí)現(xiàn)在很多人都在議論,中國(guó)的基礎(chǔ)科學(xué)發(fā)展慢,基礎(chǔ)材料依舊是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的薄弱環(huán)節(jié)。我想向您求證一下這個(gè)觀點(diǎn)對(duì)嗎?
林?。钨e)
我很高興能夠看到最近幾年大家從上到下開(kāi)始重視基礎(chǔ),國(guó)家也出臺(tái)了很多政策,但基礎(chǔ)科學(xué)研究并不能一蹴而就,也不是一朝一夕就能完成的,因?yàn)樗婕暗拿嫣珡V了——比如說(shuō)材料研究,不僅要涉及方方面面的材料知識(shí),還要與國(guó)家的工業(yè)體系融合。為什么這么說(shuō)?一種材料,國(guó)家沒(méi)有設(shè)備能做出來(lái),沒(méi)有檢測(cè)儀器能夠檢測(cè)到,那也是毫無(wú)意義的。
幻實(shí)(主播)
整體工業(yè)體系起不來(lái),只投資材料也可能沒(méi)有結(jié)果。
林健(嘉賓)
現(xiàn)在都講“從0到1”的創(chuàng)新,其實(shí)我們?cè)谶@塊還很弱——我們有著出色的“從1到100”的創(chuàng)新能力,復(fù)制、引進(jìn)、消化、吸收再創(chuàng)新,但是想要實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有,這方面就需要國(guó)家加強(qiáng)對(duì)基礎(chǔ)科學(xué)的投入。
幻實(shí)(主播)
聽(tīng)我們節(jié)目的有很多都是這個(gè)行業(yè)的從業(yè)者,最后我也想請(qǐng)您給我們分享您看到的機(jī)遇或者是一些呼吁。
林?。钨e)
希望大家能長(zhǎng)期關(guān)注這個(gè)行業(yè),不能因?yàn)閲?guó)外的制裁才認(rèn)識(shí)到它的重要性。政策角度來(lái)說(shuō),國(guó)家要有持續(xù)性的扶持;人才培養(yǎng)角度來(lái)看,現(xiàn)在已經(jīng)有幾所學(xué)校在開(kāi)設(shè)相關(guān)專(zhuān)業(yè),半導(dǎo)體材料發(fā)展的方方面面都需要一個(gè)綜合性的支持,這樣才能往前發(fā)展。
在集成電路中,材料是最基礎(chǔ)的要素,其重要性不言而喻。
我國(guó)在1959年就自主拉制成功第一顆國(guó)產(chǎn)單晶硅,實(shí)現(xiàn)了從無(wú)到有的突破,可以說(shuō)起步并不晚。此后的幾十年中雖歷經(jīng)中斷,但整體而言材料行業(yè)一直向前發(fā)展,硅片大小從1.5英寸增加到12英寸,其功率和頻率性能均得到了鞏固和提高。
但是也要看到,2018年發(fā)生的中美貿(mào)易摩擦?xí)r隔四年后依舊對(duì)我國(guó)產(chǎn)生著影響。一方面,美國(guó)的制裁促使國(guó)內(nèi)加快了自主研發(fā)速度,改變了過(guò)去長(zhǎng)期、普遍依賴(lài)進(jìn)口的局面,為民族企業(yè)產(chǎn)品的升級(jí)迭代提供了機(jī)遇;另一方面資本的大量涌入使材料市場(chǎng)投資過(guò)熱,賽道擁擠,而真正的市場(chǎng)份額有限,無(wú)法消化過(guò)大的投入,長(zhǎng)此以往會(huì)拉低整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)程。
基礎(chǔ)研發(fā)需要高校持續(xù)不斷地輸送技術(shù)和人才,材料生產(chǎn)要根據(jù)器件需求走,而器件需求則要根據(jù)市場(chǎng)需求定。目前,針對(duì)我國(guó)基礎(chǔ)學(xué)科發(fā)展較弱的問(wèn)題,國(guó)家已經(jīng)做出相應(yīng)舉措,在全國(guó)包括清華、北大、武大在內(nèi)的14所高校設(shè)立了集成電路學(xué)院與研究院。相信不久的將來(lái),我國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)會(huì)迎來(lái)屬于自己的“芯”時(shí)代。
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