愛(ài)仕特與漢磊集團(tuán)達(dá)成SiC領(lǐng)域多項(xiàng)合作，將共同開(kāi)發(fā)8英寸SiC MOS技術(shù)

3月15日，中國(guó)臺(tái)灣漢磊集團(tuán)董事長(zhǎng)徐建華到訪(fǎng)愛(ài)仕特進(jìn)行交流。雙方在以下方面達(dá)成重要合作，基于雙方2022年已簽署的LTA協(xié)議，漢磊將重點(diǎn)考慮滿(mǎn)足愛(ài)仕特的代工產(chǎn)能需求；為1700V和3300V SiC MOS的量產(chǎn)準(zhǔn)備；共同合作開(kāi)發(fā)SiC MOS trench工藝技術(shù)；共同合作開(kāi)發(fā)SiC MOS 8英寸工藝技術(shù)。

交流中，徐建華介紹了漢磊集團(tuán)SiC MOS現(xiàn)有的代工產(chǎn)能和新技術(shù)研發(fā)狀況，擴(kuò)產(chǎn)的規(guī)劃和詳細(xì)進(jìn)展，后續(xù)重點(diǎn)發(fā)展車(chē)規(guī)級(jí)芯片代工（長(zhǎng)期為英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)MOS提供代工服務(wù)）。

愛(ài)仕特方面，展示了公司自主研發(fā)并生產(chǎn)的全SiC MOS模塊，全部采用漢磊代工生產(chǎn)的1200V 17毫歐SiC MOS芯片，也是國(guó)內(nèi)率先上車(chē)使用的自主研發(fā)的SiC MOS芯片。

資料顯示，漢磊科技成立于1985年，是全球第一家Linear Bipolar IC專(zhuān)業(yè)代工廠，具備化合物半導(dǎo)體氮化鎵 (GaN) 及碳化硅 (SiC)專(zhuān)業(yè)代工能力，擁有1座 4/5英寸晶圓廠、2座 6英寸晶圓廠。其中，4英寸月產(chǎn)能為1000 pcs、5英寸月產(chǎn)能為8000 pcs，6英寸月產(chǎn)能分別為17000 pcs和33000 pcs。

愛(ài)仕特主要從事第三代半導(dǎo)體碳化硅大功率電力電子芯片與模塊，以及相關(guān)系統(tǒng)方案的開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品涵蓋電壓650V-3300V、電流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗損的SiC MOS模塊，以及基于SiC MOS模塊的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)方案，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際水平，提供各類(lèi)規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。

目前，愛(ài)仕特采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 產(chǎn)品，并建立起車(chē)規(guī)級(jí)的 SiC MOS 模塊工廠。

據(jù)悉，愛(ài)仕特團(tuán)隊(duì)與臺(tái)灣漢磊有著長(zhǎng)達(dá)十余年的合作歷史，雙方團(tuán)隊(duì)深入合作，共同研發(fā)，配合默契，創(chuàng)造出多項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先奇跡：  2020年愛(ài)仕特SiC MOS六英寸工藝量產(chǎn)；  2021年愛(ài)仕特SiC MOS 1200V 17毫歐芯片量產(chǎn)，1200V 80毫歐芯片良率高達(dá)95%；  2022年愛(ài)仕特SiC MOS通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證。