在PCB設(shè)計(jì)中使用SDRAM與DDR RAM
嵌入式計(jì)算機(jī)、視覺(jué)設(shè)備、數(shù)據(jù)采集模塊等都需要一些內(nèi)存,無(wú)論是閃存芯片還是RAM模塊。通常情況下,閃存芯片或小型eMMC模塊不會(huì)用于臨時(shí)存儲(chǔ),因?yàn)樵O(shè)備需要不斷重寫(xiě)。相反,如果您碰巧需要一個(gè)易失性(即臨時(shí)的)內(nèi)存解決方案,您可以選擇靜態(tài)或動(dòng)態(tài)RAM(SRAM或DRAM)。在這兩種類(lèi)型的ram中,有異步和同步兩種類(lèi)型,其中同步型通常用于現(xiàn)代高速電子設(shè)備中。
SDRAM是這些標(biāo)準(zhǔn)的、低速/低容量選項(xiàng)之一,可用于無(wú)外部板的板載存儲(chǔ)器。沒(méi)有使用過(guò)RAM模塊的設(shè)計(jì)師們可能會(huì)想到大型DDR RAM棒,就像你在臺(tái)式機(jī)或筆記本電腦上安裝的那樣。取而代之的是,單個(gè)RAM芯片可以安裝在一塊板上,而且它們不需要是典型的SODIMM棒上的那種高速、大容量RAM IC。如果您需要決定在您的電路板中使用哪種類(lèi)型的內(nèi)存,請(qǐng)繼續(xù)閱讀SDRAM與DDR內(nèi)存模塊的一些基本設(shè)計(jì)指南。
SDRAM與DDR RAM模塊SDRAM(synchronous dynamic RAM,同步動(dòng)態(tài)RAM)模塊是現(xiàn)代電子技術(shù)中使用的標(biāo)準(zhǔn)RAM模塊。在比較SDRAM和DDR時(shí),需要注意的是DDR是SDRAM的一種,最早的ddrsdram芯片是1997年由三星發(fā)布的。從那時(shí)起,新一代的解甲歸田產(chǎn)生了,內(nèi)存容量也提高了。不過(guò),以單數(shù)據(jù)速率運(yùn)行的SDRAM模塊并沒(méi)有消失。從這里開(kāi)始,每當(dāng)我提到“SDRAM”,只要知道我指的是單數(shù)據(jù)速率版本,而不是DDR。
下表比較了SDRAM和DDR的一些基本操作參數(shù)。從這個(gè)表中我們可以看出,除了時(shí)鐘速率和容量外,這兩種類(lèi)型的存儲(chǔ)器具有相似的功能。
非DDR SDRAM模塊 | DDR模塊 | |
最大總線時(shí)鐘速率 | 200MHz | 1600MHz |
容量 | <1 Gb (Up to 256 or 512 Mb max) | >1 Gb |
總線寬度 | 最多32位 | 最多64位 |
長(zhǎng)度匹配 | 是的(非??犊?,在某些產(chǎn)品中可耐受400-500mil) | 是的 |
接口類(lèi)型 | 同步 | 同步 |
阻抗 | 50歐姆特性 | 取決于控制器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,也有差分對(duì) |
包裹 | BGA 封裝 (例如TFBGA) or TSOP | BGA封裝 |
成本 | 低(約5美元) | 可能很高 |
一般來(lái)說(shuō),DDR中較高的時(shí)鐘速率,以及DDR每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸2倍數(shù)據(jù)的事實(shí),意味著DDR模塊比單數(shù)據(jù)速率SDRAM快得多。這兩種類(lèi)型的RAM都有同步接口,這意味著它們使用源同步時(shí)鐘來(lái)觸發(fā)來(lái)自內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸。這需要在總線上強(qiáng)制執(zhí)行長(zhǎng)度調(diào)整,以便
上面列出的DDR編號(hào)是用于DDR4模塊的;DDR3和更早的版本將有更低的規(guī)格,以及更低的成本。DDR5正在將上表中的限制提高到更高的時(shí)鐘頻率(3200 MHz)和數(shù)據(jù)速率(每個(gè)模塊高達(dá)6400 MT/s),最新的消費(fèi)和服務(wù)器產(chǎn)品將于2021年晚些時(shí)候推出。所有這些都引出了一個(gè)問(wèn)題:如果DDR具有更高的容量和數(shù)據(jù)傳輸速率,為什么不在每個(gè)需要易失性內(nèi)存的系統(tǒng)中使用DDR?
為什么要使用單速率SDRAM?對(duì)于某些系統(tǒng),使用板載DDR模塊或通過(guò)邊緣連接器訪問(wèn)DDR棒都是過(guò)火了。除非在嵌入式設(shè)備上運(yùn)行完整的操作系統(tǒng)或多個(gè)應(yīng)用程序,否則不需要那么多的RAM。這并不意味著小型嵌入式系統(tǒng)不需要大量?jī)?nèi)存。通常,所需的內(nèi)存是非易失性的,可以通過(guò)閃存芯片、SD卡或eMMC模塊提供。
以下是您可能希望在嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)中使用SDRAM模塊而不是完整DDR模塊的一些主要原因:
與MCU的接口:我還沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò)一個(gè)可以連接到DDR模塊的MCU;你至少需要一個(gè)微處理器或一個(gè)FPGA。然而,一些更強(qiáng)大的mcu可以通過(guò)內(nèi)部控制器訪問(wèn)大量的易失性內(nèi)存。這個(gè)STM32F7系列MCU是一個(gè)非常流行的例子;它的內(nèi)部靈活內(nèi)存控制器(FMC)可以用來(lái)訪問(wèn)大約100兆赫的SDRAM。
低成本:在需要大量?jī)?nèi)存的嵌入式系統(tǒng)中,例如執(zhí)行嵌入式推理任務(wù)的具有ML能力的小型系統(tǒng),系統(tǒng)可能需要大量?jī)?nèi)存,這些內(nèi)存可以由RAM模塊提供。由于這類(lèi)系統(tǒng)的部署預(yù)計(jì)只會(huì)增加,所以當(dāng)SDRAM芯片可以完成這項(xiàng)工作時(shí),使用昂貴的DDR模塊是沒(méi)有意義的。
更容易布線:由于SDRAM芯片運(yùn)行速度稍慢,信號(hào)上升時(shí)間較慢,所以長(zhǎng)度匹配要求就容易得多。一定要對(duì)這些限制進(jìn)行編碼在你的設(shè)計(jì)規(guī)則里
減少串?dāng)_:任何高速數(shù)字協(xié)議,包括DDR4與其他總線內(nèi)部的一些總線接口會(huì)有串?dāng)_。低速運(yùn)行的好處在于總線中信號(hào)之間的串?dāng)_不那么強(qiáng)烈。
相同的總線拓?fù)洌?/span>SDRAM和DDR使用相同類(lèi)型的總線,這意味著它們具有相同的信號(hào)集,并且信號(hào)具有相同的含義。如果你知道如何路由一個(gè)單數(shù)據(jù)速率SDRAM接口,那么你就知道了如何更快地使用DDR接口。
不是每一個(gè)系統(tǒng)都需要一個(gè)單獨(dú)的數(shù)據(jù)速率SDRAM模塊,但它們肯定更容易與基于微控制器構(gòu)建的流行嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)一起使用。如果您正在設(shè)計(jì)一個(gè)定制的單板計(jì)算機(jī)或主板,并且您的系統(tǒng)需要高內(nèi)存,那么就咬緊牙關(guān),使用一個(gè)或多個(gè)DDR模塊。如果你從來(lái)沒(méi)有使用過(guò)現(xiàn)代的DDR模塊,你仍然可以低到DDR2,而且與典型的SDRAM模塊相比,你的系統(tǒng)將有足夠的內(nèi)存。
在比較SDRAM和DDR時(shí),一旦確定了所需內(nèi)存的類(lèi)型和數(shù)量,請(qǐng)使用中最好的PCB布局軟件AD創(chuàng)建你的物理布局。當(dāng)您需要評(píng)估PCB布局中的信號(hào)完整性和EMI時(shí),AD用戶可以使用EDB Exporter extension將其設(shè)計(jì)導(dǎo)入到Ansys field solvers并執(zhí)行一系列強(qiáng)大的信號(hào)完整性仿真。當(dāng)您完成設(shè)計(jì)并希望將文件發(fā)布給制造商時(shí) Altium 365型 He平臺(tái)使協(xié)作和共享項(xiàng)目變得更加容易。
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