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半導(dǎo)體圈大動(dòng)作!8家上市公司擬入股銳立平芯 FD-SOI能否開辟新賽道?

發(fā)布人:芯股嬸 時(shí)間:2023-01-09 來源:工程師 發(fā)布文章

   1月9日訊,隨著下游市場(chǎng)需求爆發(fā)、成本優(yōu)勢(shì)顯現(xiàn),F(xiàn)D-SOI工藝技術(shù)逐漸受到市場(chǎng)的青睞。

  江豐電子、富創(chuàng)精密等公司近日宣布擬認(rèn)購(gòu)中科同芯的合伙份額,用于投資基于FD-SOI工藝的國(guó)產(chǎn)晶圓制造廠商銳立平芯的股權(quán)。中科同芯總規(guī)模將達(dá)4.5億元,投資人囊括概倫電子北方華創(chuàng)、安集科技等8家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上市公司。

  值得關(guān)注的是,銳立平芯發(fā)力FD-SOI工藝技術(shù),不僅豐富了國(guó)內(nèi)晶圓制造技術(shù)路線,而且未來有望繞開EUV發(fā)力先進(jìn)制程邏輯芯片制造,幫助本土半導(dǎo)體開辟新賽道。

  豐富國(guó)內(nèi)晶圓制造技術(shù)路線

  近日,江豐電子和富創(chuàng)精密先后發(fā)布了對(duì)外投資公告,擬分別出資3000萬元、8000萬元認(rèn)購(gòu)廣州中科同芯半導(dǎo)體技術(shù)合伙企業(yè)(以下稱“中科同芯”)的合伙份額。同時(shí)參與此次認(rèn)購(gòu)的,還有北方華創(chuàng)、江豐同創(chuàng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金

  此外,上述4家投資者增資入股之前,已有中科齊芯、安集科技、北京君正南大光電、芯源微、概倫電子等7家投資機(jī)構(gòu)。本次交易完成后,中科同芯總規(guī)模將達(dá)4.5億元,投資人囊括8家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上市公司。

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  據(jù)了解,中科同芯系投資平臺(tái),僅投資于銳立平芯微電子(廣州)有限責(zé)任公司(以下稱“銳立平芯”)的股權(quán)。銳立平芯是采用FD-SOI(即全耗盡型絕緣體上硅技術(shù))平面工藝的先進(jìn)制程晶圓代工廠,本輪融資主要用于產(chǎn)能建設(shè)及工藝研發(fā)。

  “本次投資中科同芯,主要是希望進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)布局。公司未來會(huì)根據(jù)它的需求做相應(yīng)的研發(fā),提供靶材和零部件等材料?!苯S電子相關(guān)負(fù)責(zé)人向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示,大家比較認(rèn)可這個(gè)項(xiàng)目,本次參與認(rèn)購(gòu)的投資機(jī)構(gòu)屬于第二批。

  資料顯示,銳立平芯成立于2022年3月17日,聚焦打造FD-SOI工藝平臺(tái)。截至發(fā)稿日,廣州灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集團(tuán)、澳芯集成分別持股55.56%、44.44%,由國(guó)家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)技術(shù)總師、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)集成電路分會(huì)理事長(zhǎng)、原中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春擔(dān)任公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。

  “從技術(shù)性能本身來講,F(xiàn)D-SOI技術(shù)系統(tǒng)非常適合現(xiàn)在,尤其適用于移動(dòng)通信、IOT、汽車電子等市場(chǎng)領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)廠商此時(shí)發(fā)力FD-SOI技術(shù),不僅能夠滿足下游市場(chǎng)需求,而且進(jìn)一步豐富國(guó)內(nèi)技術(shù)路線?!比A芯金通投資基金創(chuàng)始合伙人吳全告訴記者,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈公司入股、相互協(xié)同,有利于助推國(guó)內(nèi)FD-SOI生態(tài)體系建設(shè)。

  據(jù)悉,F(xiàn)D-SOI和FinFET(即鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)都是晶圓制造領(lǐng)域關(guān)鍵的先進(jìn)工藝技術(shù),但由于多種原因,F(xiàn)inFET占據(jù)目前市場(chǎng)主流位置。國(guó)際上僅格芯、三星、意法半導(dǎo)體等龍頭廠商采用雙技術(shù)路線方案,國(guó)內(nèi)幾乎無一家晶圓廠去發(fā)展FD-SOI工藝。

  中芯國(guó)際相關(guān)人士向記者坦言,目前公司沒有FD-SOI技術(shù)?!熬A制造技術(shù)架構(gòu)體系有著較高的技術(shù)壁壘,廠商面臨著復(fù)雜程度、高研發(fā)投入及未來走向等多重因素考驗(yàn),多數(shù)廠商扎根一個(gè)架構(gòu)體系?!?/span>

  繞開EUV發(fā)力先進(jìn)制程

  上述知情人士告訴者,廣州市政府對(duì)FD-SOI技術(shù)寄予厚望,期望將銳立平芯打造成世界級(jí)FD-SOI集成電路制造基地,助力粵港澳大灣區(qū)建設(shè)“國(guó)家集成電路第三極”。

  據(jù)悉,葉甜春目前同時(shí)兼任廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院院長(zhǎng)(以下稱“研究院”),該研究院由中國(guó)科學(xué)院集成電路創(chuàng)新研究院與廣州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)共同發(fā)起成立,屬于省級(jí)事業(yè)單位。

  研究院聚焦FD-SOI核心關(guān)鍵技術(shù),構(gòu)建以FD-SOI工藝、器件、材料、EDA技術(shù)為核心的FD-SOI創(chuàng)新生態(tài)體系。研發(fā)方向上則覆蓋2X納米FD-SOI產(chǎn)業(yè)技術(shù)、1X納米及以下FDS-OI先導(dǎo)工藝、基于FD-SOI工藝的量子計(jì)算等領(lǐng)域的研究。

  值得關(guān)注的是,隨著后28nm時(shí)代的來臨,格芯、意法半導(dǎo)體等廠商正加大FD-SOI技術(shù)領(lǐng)域的投入力度,再度與FinFET相競(jìng)爭(zhēng)。

  2022年4月,CEA(即法國(guó)原子能和替代能源委員會(huì))、Soitec、格芯及意法半導(dǎo)體計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃,促進(jìn)FD-SOI在汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)應(yīng)用中的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體甚至重啟了向1X納米工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)軍,在先進(jìn)制程方面明確選擇了FD-SOI技術(shù)路線為突破重點(diǎn)。

  對(duì)國(guó)內(nèi)而言,葉甜春曾對(duì)外直言,F(xiàn)D-SOI工藝可幫助本土半導(dǎo)體開辟新賽道,未來5-10年FD-SOI技術(shù)將代替目前主流的FinFET技術(shù)。尤其是先進(jìn)光刻技術(shù)被禁后,F(xiàn)D-SOI技術(shù)路線能夠幫助國(guó)內(nèi)廠商未來繞開EUV發(fā)力先進(jìn)制程邏輯芯片制造。

  “在14nm被國(guó)外限制的情況下,國(guó)產(chǎn)廠商可以通過22nm FD-SOI工藝來升級(jí)或替代相關(guān)技術(shù)需求。且FD-SOI在設(shè)計(jì)和制造成本上具有優(yōu)勢(shì),開發(fā)周期更短?!表f豪創(chuàng)芯高級(jí)投資經(jīng)理方亮向記者解釋稱,22nm FD-SOI工藝比14nm FinFET制程簡(jiǎn)單,光罩?jǐn)?shù)減少12%左右,光罩成本減少35%,可以抵消SOI晶圓帶來的成本增加。

  此外,葉甜春曾提到,國(guó)產(chǎn)平面工藝設(shè)備自主率高達(dá)70%,有能力支撐FD-SOI技術(shù)開發(fā)?!叭绻唤üS,F(xiàn)D-SOI做不起來。需要既把工廠建起來,同時(shí)建立起相應(yīng)的集成電路設(shè)計(jì)環(huán)境、引導(dǎo)新一批設(shè)計(jì)公司,引導(dǎo)國(guó)內(nèi)的裝備企業(yè)、材料企業(yè)和零部件企業(yè)集聚,打造基于FD-SOI的全生態(tài)上下游,努力在集成電路領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)科技自立自強(qiáng)。如果以產(chǎn)品發(fā)布為標(biāo)志,在大家的共同努力下,預(yù)計(jì)4年形成基本的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。”


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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體

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