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為chiplet鋪平道路

發(fā)布人:13616275630 時間:2022-07-03 來源:工程師 發(fā)布文章

封裝行業(yè)正在將chiplet的應(yīng)用范圍擴大到少數(shù)芯片供應(yīng)商之外,為下一代3D芯片設(shè)計和封裝奠定了基礎(chǔ)。新的chiplet標(biāo)準(zhǔn)和應(yīng)用確定基于chiplet的設(shè)計可行性的成本分析工具是兩個新的重要組成部分。與其他努力一起,我們的目標(biāo)是推動chiplet模型向前發(fā)展,盡管該技術(shù)仍存在挑戰(zhàn)和差距。


使用這種方法,裝廠可以在庫中具有不同功能和過程節(jié)點的模塊化模具或chiplet的菜單。然后,芯片客戶可以選擇這些chiplet中的任何一種,并將它們組裝在高級封裝中,從而形成一種新的復(fù)雜芯片設(shè)計,作為系統(tǒng)芯片(SoC)的替代方案。Intel、AMDMarvell等公司已經(jīng)證明這種chiplet模型是可行的,這些公司設(shè)計自己的chiplet和互連?,F(xiàn)在,業(yè)界其他人都在探索chiplet,這主要是因為對許多人來說,擴展變得太困難,成本太高,而且移動到新節(jié)點的功率和性能優(yōu)勢正在縮小。高級封裝為在不同技術(shù)節(jié)點組合芯片提供了一種經(jīng)濟高效的方法,而chiplet則為增加互連RC延遲提供了解決方案。他們還承諾更快地開發(fā)復(fù)雜芯片,并且可以針對特定市場和應(yīng)用進(jìn)行定制。


傳統(tǒng)上,為了開發(fā)復(fù)雜的IC產(chǎn)品,供應(yīng)商設(shè)計了一種在同一個芯片上集成所有功能的芯片。在隨后的每一代中,每個芯片的功能數(shù)量都急劇增加。在最新的節(jié)點(7nm5nm)上,成本和復(fù)雜性急劇上升。(節(jié)點是指特定的流程及其設(shè)計規(guī)則)谷歌高級技術(shù)開發(fā)工程師穆達(dá)西爾·艾哈邁德(Mudasir Ahmad)在最近的一次演講中表示:“設(shè)計新硅節(jié)點的成本正在上升,只是給你一個衡量標(biāo)準(zhǔn),現(xiàn)在制作5nm芯片的成本與制作10nm7nm芯片的成本之和差不多,它非常昂貴?!?/span>

雖然傳統(tǒng)方法仍然是新設(shè)計的一種選擇,但chiplet為客戶提供了另一種解決方案,但像任何新技術(shù)一樣,chiplet集成并不簡單。目前,基于chiplet的設(shè)計只用于高端產(chǎn)品,而不是日常設(shè)計。即便如此,提出一個基于chiplet的模型也需要幾個部分。只有少數(shù)幾家大公司具備所需的內(nèi)部專業(yè)知識和能力,其中大部分是專有的。


這將基于chiplet方法的采用限制在少數(shù)幾個方面,但現(xiàn)在,正在努力使基于chiplet的設(shè)計更易于使用。這些努力包括:

  •       l ASE、AMD、Arm、谷歌、英特爾、Meta、微軟、高通、三星和TSMC組成了一個新的chiplet聯(lián)盟。該小組發(fā)布了一項新的開放式芯片間互連規(guī)范,使chiplet能夠在封裝中相互通信。

  •   l 開放領(lǐng)域特定體系結(jié)構(gòu)(ODSA)子項目正在對類似的技術(shù)進(jìn)行最后的潤色。ODSA還剛剛發(fā)布了一個新的成本分析工具,該工具有助于確定基于chiplet的設(shè)計是否可行。

  •   l 多家裝公司正在開發(fā)制造技術(shù),以將基于chiplet的設(shè)計投入生產(chǎn)。


chiplet具有挑戰(zhàn)性


通常,要開發(fā)基于chiplet的設(shè)計,第一步是定義產(chǎn)品。然后,擬議基于chiplet的設(shè)計需要幾個部分,例如產(chǎn)品架構(gòu)、已知良好芯片KGD和芯片間互連。它還需要一個健全的制造戰(zhàn)略。KGD是設(shè)計中使用的模具或chiplet。芯片間互連允許chiplet在設(shè)計中相互通信。通過開發(fā)或采購這些部件,至少在紙面上,芯片客戶可以開發(fā)基于chiplet的設(shè)計。但最大的問題是,這種設(shè)計是可行的還是具有成本效益的。這可能是一個主要的絆腳石,阻止厭惡風(fēng)險的芯片客戶考慮使用chiplet,為了幫助客戶,ODSA發(fā)布了一個成本分析軟件工具,其中包括開發(fā)基于chiplet的設(shè)計所涉及的所有可能組件和成本的電子表格。


谷歌的艾哈邁德說:“沒有通用規(guī)則規(guī)定你應(yīng)該一直使用chiplet,或者不應(yīng)該。這取決于具體的應(yīng)用程序,我們需要一個可用于每個應(yīng)用程序的模型來提供反饋,通過電子表格,芯片客戶可以使用通用框架將數(shù)據(jù)輸入其中。然后他們可以嘗試了解為特定應(yīng)用程序制作chiplet是否有意義?!背杀静皇俏ㄒ坏囊蛩?。工程師還必須關(guān)注chiplet的挑戰(zhàn)。據(jù)艾哈邁德稱,以下是其中的一些挑戰(zhàn):

l報廢成本:如果一個chiplet在一個或多個最終設(shè)計中失敗,設(shè)備可能會報廢,這會增加報廢成本。

l測試:為了最大限度地減少廢料損失,設(shè)計需要更多的測試覆蓋率。

l產(chǎn)量:包的復(fù)雜性可能會影響總體產(chǎn)量。

l性能:將信號從一個模具移動到另一個模具可能會降低產(chǎn)品的性能。

商業(yè)模式是另一個挑戰(zhàn)?!叭绻胁煌墓?yīng)商提供不同的零件,而您將它們?nèi)看虬?,誰負(fù)責(zé)什么?誰對故障負(fù)責(zé)?”艾哈邁德問道。


架構(gòu)、KGD、互連


成本和技術(shù)挑戰(zhàn)只是chiplet等式的一部分,客戶還必須定義產(chǎn)品并為設(shè)計選擇架構(gòu),這里有很多選擇??蛻艨梢詫⒛>呒傻浆F(xiàn)有的高級軟件包或新體系結(jié)構(gòu)中,扇出是一種選擇。在扇出封裝的一個示例中,DRAM芯片堆疊在封裝中的邏輯芯片上,在高端系統(tǒng)中使用2.5D是另一種選擇;在2.5D中,模具堆疊在插入器上,或側(cè)對側(cè)連接。插入器集成了硅通孔(TSV),它提供了從模具到電路板的電氣連接。在一個示例中,ASIC和高帶寬存儲器(HBM)并排放置在插入器上,HBMDRAM內(nèi)存堆棧。

另一種選擇是將芯片集成到新的3D架構(gòu)中,例如,Intel正在開發(fā)一種GPU體系結(jié)構(gòu),代號為Ponte Vecchio,該設(shè)備在一個封裝中的五個不同流程節(jié)點上集成了47個瓷磚或芯片。

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圖1 高性能計算封裝的不同選擇,基于插入器的2.5D與扇出式基板芯片(FOCoS)。來源:ASE

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圖2 更多2.5D封裝、高密度扇出(HDFO)、橋接封裝和芯片的示例。資料來源:Amkor


任何基于chiplet的架構(gòu)都需要已知良好的芯片,即符合給定規(guī)范的芯片,如果沒有KGD,包裝可能會出現(xiàn)產(chǎn)量低或在現(xiàn)場出現(xiàn)故障。ASE工程技術(shù)營銷總監(jiān)曹麗紅(Lihong Cao)在最近的一次活動中表示:“我們收到裸模,并將其放入包裝中,以交付具有功能的產(chǎn)品,關(guān)于KGD,我們希望對其進(jìn)行全面測試,并具有良好的功能。我們希望它達(dá)到100%?!?/span>


這不是唯一的挑戰(zhàn)。在一個封裝中,一些模具堆疊在一起,而其他模具則存放在其他地方。因此,您需要一種使用芯片間互連將一個芯片連接到另一個芯片的方法。如今的類似芯片的設(shè)計使用專有互連連接芯片,這限制了該技術(shù)的采用。QP Technologies母公司Promex總裁兼首席執(zhí)行官理查德·奧特(RichardOtte)表示:“chiplet成為新IP的最大障礙是標(biāo)準(zhǔn)化,必須在chiplet之間建立標(biāo)準(zhǔn)/通用通信接口,這樣才能在多個包裝提供商之間實現(xiàn)?!?/span>


好消息是,一些組織正在為chiplet制定開放式芯片間互連標(biāo)準(zhǔn),目前有幾種相互競爭的技術(shù),目前尚不清楚哪種技術(shù)會獲勝,或者如何將它們結(jié)合起來ODSA正在準(zhǔn)備一種稱為線束(BoW)的芯片間互連技術(shù)。其他芯片到芯片技術(shù)包括高級接口總線(AIB)、CEI-112G-XSROpen HBI。在最新的努力中,IntelSamsung、TSMC和其他公司支持的一個新芯片聯(lián)盟發(fā)布了UCIe,該規(guī)范涵蓋了芯片間I/O物理層、芯片間協(xié)議和軟件堆棧。


上述所有規(guī)范都定義了封裝中chiplet之間的標(biāo)準(zhǔn)互連,但它們都是不同的。ASECao表示:“UCIeBoW都是開放規(guī)范,它們定義了封裝中chiplet之間的互連,并實現(xiàn)了開放的chiplet生態(tài)系統(tǒng),但它們與如何定義層和以不同方式優(yōu)化應(yīng)用程序不同?!?。

事實證明,沒有一種互連技術(shù)能夠滿足所有需求。工程師將選擇滿足給定應(yīng)用要求的選項。JCET首席技術(shù)官Choon Lee表示:“不同標(biāo)準(zhǔn)之間存在重疊子集,因此,堅持一個標(biāo)準(zhǔn)可能沒有什么意義,一般來說,chiplet的功能塊是由設(shè)備制造商定義的,他們知道如何優(yōu)化芯片之間的互連?!?/span>


chiplet堆疊/粘合選項


一旦定義了chiplet體系結(jié)構(gòu)、KGD和互連,下一步就是確定將產(chǎn)品投入生產(chǎn),是否像以前一樣,封裝或類似chiplet的設(shè)計可以在鑄造廠、內(nèi)存制造商或OSAT制造和組裝。一些(但并非所有)鑄造廠和內(nèi)存制造商都有自己的內(nèi)部封裝組裝業(yè)務(wù),每個供應(yīng)商都有不同的能力。每個公司都在開發(fā)一種或多種不同的方法,將不同的chiplet組裝、堆疊和粘合在一起。先進(jìn)的鍵合技術(shù)包括熱壓、激光輔助和銅混合鍵合,熱壓鍵合(TCB)和激光輔助鍵合(LAB)都利用了帶有銅微泵的傳統(tǒng)倒裝芯片工藝。在此過程中,在芯片上形成銅凸點,然后使用倒裝芯片鍵合器、LABTCB將器件鍵合到另一個結(jié)構(gòu)上。相比之下,銅混合鍵合使用銅互連而不是傳統(tǒng)的凸點來堆疊和連接芯片。傳統(tǒng)的倒裝芯片工藝用于制作多種封裝類型。其中一種稱為球柵陣列(BGA),用于多種芯片應(yīng)用。為了制作BGA封裝,該過程從在晶圓廠的晶圓上制造芯片開始。然后,在晶圓的一側(cè)形成基于焊料的微小銅凸點,這些凸點由一根帶有薄鎳擴散屏障的銅柱和一個錫銀焊料帽組成,銅凸塊將一個模具連接到另一個模具或封裝中的基板,這些突起在不同的結(jié)構(gòu)之間提供了小而快速的電氣連接,制作銅凸點是一個眾所周知的過程。

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圖3 微泵工藝流程。資料來源:John Lau,Unimicron


一旦在晶圓上形成凸起,芯片就被切成丁。然后,該設(shè)備進(jìn)行傳統(tǒng)的倒裝芯片工藝。首先,將模具放置在倒裝芯片鍵合機中。通常,倒裝芯片鍵合機用于以300μm50μm的凹凸間距堆疊和鍵合模具。今天的凹凸間距可擴展到40μm及以下。(節(jié)距是指模具上相鄰?fù)箟K之間的間距。)(K&S)首席技術(shù)官鮑勃·奇拉克(BobChylak)表示:“很多倒裝芯片設(shè)備都不需要精確的定位。”倒裝芯片粘合機將芯片取出,將錫球浸入助焊劑中,然后將其放置在PCB上,此過程重復(fù)數(shù)次。最后,在PCB上放置幾個模具,有時稱為模具基板。然后,它會經(jīng)歷大規(guī)?;亓鬟^程。Chylak說:“PCB經(jīng)過回流爐,回流爐熔化焊料,然后使其固化?!痹诨亓骱高^程之后,PCB上的模具將經(jīng)歷一個清潔步驟,然后,系統(tǒng)在PCB上的每個凸模上注入模具化合物。中山大學(xué)研究員萬春創(chuàng)在一篇論文中說:“(這會密封)所有組件,保護(hù)設(shè)備內(nèi)部的模具和凸起。”然后,將較大的C4焊球植入基板PCB基板下方,最后,將PCB上的芯片切塊,創(chuàng)建單個BGA封裝,每個單元內(nèi)都有芯片。


行業(yè)需要一種不同的解決方案,用于使用最先進(jìn)的銅微泵的高級封裝,涉及40μm螺距和更緊密的間距。但在這些球場上使用傳統(tǒng)倒裝芯片鍵合機是一個挑戰(zhàn),對于更細(xì)的間距,一些封裝廠使用TCB40μm10μm的凹凸間距下進(jìn)行芯片堆疊和鍵合應(yīng)用,通常,TCB用于2.5D/3D封裝的芯片堆疊和鍵合。

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圖4 2.5D/3D系統(tǒng)架構(gòu)。銅微泵連接中介層和基模。資料來源:Rambus


TCB工藝中,使用傳統(tǒng)的凸點工藝在模具上形成微小的銅凸點,不過,在這種情況下,凹凸越小,音調(diào)越細(xì)。然后,與傳統(tǒng)的倒裝芯片鍵合機不同,封裝廠使用TCB工具。K&SChylak說:“熱壓鍵合機沒有加熱整個電路板及其上的所有芯片,而是抓住芯片,像普通倒裝芯片一樣將其浸入焊劑中,然后將其放置在PCB上,焊接頭上有一個加熱器。它加熱到焊料的熔點后,將芯片固定到位,然后它冷卻下來,焊料凝固?!?/span>


同時在實驗室工藝中,使用傳統(tǒng)的凸點工藝在模具上形成微小的銅凸點,然后,將凸模和基板放置在實驗室工具中,該系統(tǒng)利用激光產(chǎn)生的熱量將模具對準(zhǔn)并粘合到基板上,(實驗室設(shè)備)具有紅外激光源(980nm波長)和光學(xué)系統(tǒng)(均化器)這可以產(chǎn)生一束銳利且均勻的激光束,能夠以極高的爬升速度選擇性地加熱目標(biāo)區(qū)域。JCET的高級研發(fā)工程師瓦格諾·阿爾維斯·布拉甘卡在一篇論文中說:“實驗室過程的加熱機制是基于一種材料對光子能量的吸收,以及這種能量隨后向原子的耗散?!逼渌藢@項工作作出了貢獻(xiàn)。


在實驗室系統(tǒng)中,鍵合過程在不到一秒鐘的時間內(nèi)發(fā)生,熱應(yīng)力很低。LABTCB快,但它需要特定供應(yīng)商提供的專用設(shè)備。AmkorJCET正在開發(fā)實驗室,該技術(shù)自2019年左右開始生產(chǎn)。JCETLee說:“該實驗室一直在生產(chǎn)高性能計算應(yīng)用程序,在這些應(yīng)用程序中,由于翹曲或殘余應(yīng)力導(dǎo)致的凹凸不濕或開裂可能是至關(guān)重要的?!?/span>OSAT希望將實驗室的間距提高到10μm左右。Amkor高級封裝開發(fā)和集成副總裁邁克爾·凱利(MichaelKelly)表示:“我們已經(jīng)使用無鉛銅凸點和激光輔助鍵合方法演示了低至10μm的間距,我們的產(chǎn)品在20μm間距領(lǐng)域獲得了資格,這些都是晶片上的,大部分是專用傳感器?!?/span>


混合鍵合


TCB
LAB都擴展到10μm的凹凸間距。除此之外,該行業(yè)還需要一種新的解決方案,即銅混合鍵合。這里的想法是使用細(xì)間距銅連接直接堆疊和連接模具,而不是傳統(tǒng)的微型泵。銅混合鍵合并不新鮮。2005年,Ziptronix推出了一種稱為低溫直接鍵合互連(DBI)的技術(shù),被認(rèn)為是銅混合鍵合的第一種版本。2015年,索尼授權(quán)DBI,并為其CMOS圖像傳感器線實施該技術(shù)。其他圖像傳感器供應(yīng)商也許可使用DBI。


對于CMOS圖像傳感器,供應(yīng)商遵循晶圓到晶圓混合鍵合工藝流程。首先,在一個晶圓廠中加工兩個不同的晶圓。第一塊晶圓由多個處理器芯片組成,第二晶圓由多個像素陣列芯片組成,目標(biāo)是將每個像素陣列芯片堆疊在每個處理器芯片的頂部。為此,將兩個晶圓插入晶圓鍵合機,鍵合機對齊每個芯片,并使用兩步鍵合工藝將其連接起來,首先,它形成介電-介電鍵,然后是金屬-金屬連接,最后,將晶圓上的芯片切成小片并封裝,形成圖像傳感器。索尼和OmniVision使用XperiDBI工藝,分別以3.1μm3.9μm間距生產(chǎn)CMOS圖像傳感器?,F(xiàn)在,業(yè)界正在開發(fā)用于3D芯片和封裝應(yīng)用的銅混合鍵合。AMDGraphcoreYMTC已經(jīng)宣布了使用不同供應(yīng)商提供的混合鍵合的產(chǎn)品。其他人正在研發(fā)封裝中,混合鍵合用于晶圓到晶圓和芯片到晶圓的鍵合。在芯片到晶圓中,兩個帶芯片的晶圓在晶圓廠中加工,然后,將第一晶圓上的芯片切成小塊,并使用混合鍵合將其鍵合到第二晶圓。


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圖5 Xperi的芯片到晶圓混合鍵合流程。來源:Xperi


芯片到晶圓為封裝客戶提供了更多的選擇,但這是一個具有挑戰(zhàn)性的過程。Xperi產(chǎn)品營銷副總裁Abul Nuruzzaman表示:“CMOS圖像傳感器采用晶圓對晶圓混合鍵合形成,鍵合芯片具有相似的封裝面積,兩種晶圓都具有足夠高的產(chǎn)量,并且具有成熟的硅供應(yīng)鏈和工藝,在2.5D3D高級封裝中,有時需要一種芯片到晶圓的鍵合技術(shù),它還需要KGD、不同的芯片尺寸以及來自不同技術(shù)節(jié)點或晶圓尺寸的芯片,切割、芯片處理和組裝必須與混合鍵合工藝兼容,而混合鍵合工藝對該行業(yè)來說相對較新?!?/span>


除了Xperi,ImecIntel、Leti、Micron、SamsungTSMC也在開發(fā)銅混合鍵合工藝,所有銅混合鍵合工藝都相似。首先,在一個晶圓廠的兩個晶圓上處理所需的芯片設(shè)計,然后,每個晶圓都在晶圓廠中進(jìn)行一次大馬士革工藝。為此,在晶圓的一側(cè)沉積電介質(zhì)材料。在這些材料上,為晶圓上的每個芯片刻制和蝕刻微小的過孔,然后將銅材料沉積在晶圓上。然后,化學(xué)機械拋光(CMP)工具拋光表面,剩下的是每個芯片的微小通孔中的銅金屬化材料。裸露的銅過孔代表焊盤,晶圓的表面必須完好無損。因此,CMP后,使用計量工具檢查表面拓?fù)涫欠翊嬖谌毕荨H缓螅瑢⑿酒谐尚∑旁谝粋€晶圓上。使用晶片粘合機,將模具堆疊并粘合到第二個晶片上。然后將最終粘合的芯片切成小片。


這是一個具有挑戰(zhàn)性的過程。在流動過程中,不需要的顆粒和缺陷可能會出現(xiàn)在模具上,顆粒會導(dǎo)致粘結(jié)墊中出現(xiàn)空隙,即使一個100nm的粒子落在焊盤上,也會導(dǎo)致數(shù)百次連接失敗。


結(jié)論


迄今為止,只有少數(shù)供應(yīng)商開發(fā)和制造了基于chiplet的設(shè)計,為了更廣泛地采用這項技術(shù),幾個關(guān)鍵的部分已經(jīng)到位,鑒于在高級節(jié)點開發(fā)芯片的成本不斷上升,業(yè)界比以往任何時候都更需要這種chiplet模型。


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