MOSFET 安全工作區(qū)域 SOA是什么

如果您想知道或擔心您的 MOSFET 在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的 SOA 數(shù)據(jù)。

在這篇文章中，我們將全面討論 MOSFET 數(shù)據(jù)表中顯示的安全工作區(qū)域 SOA。

以下是 MOSFET 安全工作區(qū)域 SOA 圖，通常在所有雷卯電子LEIDITECH MOSFET數(shù)據(jù)表中都可以看到。

圖中figure 8 MOSFET SOA 被描述為指定 FET 在飽和區(qū)工作時可以處理的最大功率的幅度。

SOA 圖的放大圖如下圖所示。

在上面的 SOA 圖中，我們能夠看到所有這些限制和邊界。在圖表的更深處，我們發(fā)現(xiàn)許多不同的單個脈沖持續(xù)時間的額外限制。圖中的這些線可以通過計算或物理測量來確定。

在較早和較早的數(shù)據(jù)表中，這些參數(shù)是用計算值估計的。

但是，通常建議對這些參數(shù)進行實際測量。如果您使用公式對它們進行評估，您最終可能會得到比實際應用中 FET 所能承受的實際值大得多的假設值?；蛘撸鄬τ?FET 實際可以處理的內容，您可能會將參數(shù)降級（過度補償）到一個可能過于柔和的水平。

因此，在我們接下來的討論中，我們學習了通過真正實用的方法而不是通過公式或模擬來評估的 SOA 參數(shù)。

讓我們首先了解什么是 FET 中的飽和模式和線性模式。

參考上圖，線性模式定義為RDS(on)或FET的漏源電阻一致的區(qū)域。

這意味著，通過 FET 的電流與通過 FET 的漏源偏壓成正比。它通常也被稱為歐姆區(qū)，因為 FET 的作用本質上類似于固定電阻器。

現(xiàn)在，如果我們開始增加 FET 的漏源偏置電壓，我們最終會發(fā)現(xiàn) FET 在稱為飽和區(qū)的區(qū)域工作。一旦 MOSFET 工作被迫進入飽和區(qū)，通過 MOSFET 穿過漏極到源極的電流（安培）不再響應漏極到源極偏置電壓的增加。

因此，無論您增加多少漏極電壓，該 FET 都會繼續(xù)通過它傳輸固定的最大電流水平。

控制電流的唯一方法通常是改變柵源電壓。

但是，這種情況似乎有點令人費解，因為這些通常是您對線性和飽和區(qū)域的教科書描述。之前我們了解到，這個參數(shù)通常被稱為歐姆區(qū)域。然而，有些人實際上將其命名為線性區(qū)域。也許，心態(tài)是，嗯，這看起來像一條直線，所以它必須是線性的？

如果你注意到人們在討論熱插拔應用程序，他們會說，好吧，我在線性區(qū)域工作。但這本質上在技術上是不合適的。

現(xiàn)在，既然我們知道了什么是 FET 飽和區(qū)域，我們現(xiàn)在可以詳細查看我們的 SOA 圖。SOA 可以分解為 5 個單獨的限制。讓我們了解它們到底是什么。

圖中的第一條灰色線表示 FET 的 RDS(on) 限制。這是由于器件的導通電阻而有效限制通過 FET 的最大電流量的區(qū)域。

換言之，它表示在 MOSFET 的最大可容忍結溫下可能存在的 MOSFET 的最高導通電阻。

我們觀察到這條灰線具有一個正的恒定斜率，這僅僅是因為這條線內的每個點都具有相同數(shù)量的導通電阻，根據(jù)歐姆定律，其中規(guī)定 R 等于 V 除以 I。

SOA 圖中的下一條限制線表示當前限制。在圖表上方，可以看到由藍色、綠色、紫色線表示的不同脈沖值，上方水平黑線限制為 400 安培。

紅線的短水平部分表示器件的封裝限制，或 FET 的連續(xù)電流限制 (DC)，約為 200 安培。

第三個 SOA 限制是 MOSFET 的最大功率限制線，由橙色斜線表示。

正如我們注意到的那樣，這條線帶有一個恒定的斜率，但卻是一個負斜率。它是恒定的，因為這條 SOA 功率限制線上的每個點都承載相同的恒定功率，由公式 P = IV 表示。

因此，在這個 SOA 對數(shù)曲線中，這會產(chǎn)生 -1 的斜率。負號是因為流過 MOSFET 的電流隨著漏源電壓的增加而減少。

這種現(xiàn)象主要是由于 MOSFET 的負系數(shù)特性在結溫升高時會限制通過器件的電流。

接下來，在其安全工作區(qū)域內的第四個 MOSFET 限制由黃色斜線表示，它代表熱不穩(wěn)定性限制。

正是在 SOA 的這個區(qū)域中，對于實際測量設備的運行能力變得非常重要。這是因為無法通過任何適當?shù)姆绞筋A測該熱不穩(wěn)定區(qū)域。

因此，我們實際上需要對這方面的MOSFET進行分析，找出FET可能失效的地方，具體器件的工作能力究竟如何？

因此我們現(xiàn)在可以看到，如果我們采取這個最大功率限制，并將其一直延伸到黃線的底部，那么，我們突然發(fā)現(xiàn)了什么？

我們發(fā)現(xiàn) MOSFET 故障限制處于非常低的水平，與數(shù)據(jù)表上宣傳的最大功率限制區(qū)域（由橙色斜率表示）相比，該值要低得多。

或者假設我們碰巧過于保守，并告訴人們，嘿，黃線的底部區(qū)域實際上是 FET 可以處理的最大值。好吧，這個聲明我們可能是最安全的，但是我們可能已經(jīng)過度補償了設備的功率限制能力，這可能不合理，對吧？

這就是為什么這個熱不穩(wěn)定區(qū)域不能用公式確定或聲稱，而是必須實際測試的原因。

SOA 圖中的第五個限制區(qū)域是擊穿電壓限制，由黑色垂直線表示。這僅僅是 FET 的最大漏源電壓處理能力。

根據(jù)圖表，該設備具有 100 伏 BVDSS，這解釋了為什么這條黑色垂直線在 100 伏漏源標記處強制執(zhí)行。

多研究熱不穩(wěn)定性的早期概念會很有趣。為此，我們需要概述一個稱為“溫度系數(shù)”的短語。

MOSFET 溫度系數(shù)可以定義為電流隨 MOSFET 結溫變化的變化。

Tc = ?ID / ?Tj

因此，當我們在其數(shù)據(jù)表中檢查 MOSFET 的傳輸特性曲線時，我們發(fā)現(xiàn) FET 的漏源電流與 FET 增加的柵源電壓的關系，我們還發(fā)現(xiàn)該特性在 3不同的溫度范圍。

零溫度系數(shù) (ZTC)

如果我們查看用橙色圓圈表示的點，這就是我們所說的 MOSFET 的零溫度系數(shù)。

在這一點上，即使器件的結溫不斷升高，也不會增強通過 FET 的電流傳輸。

?ID / ?Tj = 0

其中ID為 MOSFET 的漏極電流， Tj代表器件的結溫

如果我們觀察這個零溫度系數(shù)（橙色圓圈）之上的區(qū)域，當我們從負溫度 -55 攝氏度移動到 125 攝氏度時，通過 FET 的電流實際上開始下降。

?ID / ?Tj < 0

這種情況表明 MOSFET 確實變熱了，但通過器件消耗的功率卻越來越低。這意味著設備實際上不存在不穩(wěn)定的危險，并且可能允許設備過熱，并且與 BJT 不同，可能沒有熱失控情況的風險。

然而，在零溫度系數(shù)（橙色圓圈）以下區(qū)域的電流下，我們注意到了這樣一種趨勢，即器件溫度的升高，即跨過負 -55 到 125 度，導致電流傳輸容量為實際增加的設備。

?ID / ?Tj > 0

這是因為 MOSFET 的溫度系數(shù)在這些點上高于零。但是，另一方面，通過 MOSFET 的電流增加會導致 MOSFET 的 RDS(on)（漏源電阻）成比例地增加，并且還會導致器件的體溫逐漸成比例地升高，從而導致更大的電流通過設備傳輸。當 MOSFET 進入正反饋環(huán)路的這個區(qū)域時，它可能會導致 MOSFET 行為不穩(wěn)定。

然而，沒有人能判斷上述情況是否會發(fā)生，也沒有簡單的設計來預測這種不穩(wěn)定性何時會在 MOSFET 內部出現(xiàn)。

這是因為 MOSFET 可能涉及大量參數(shù)，具體取決于其單元密度結構本身，或封裝的靈活性，以均勻地散發(fā)整個 MOSFET 主體的熱量。

由于這些不確定性，必須為每個特定的 MOSFET 確認指定區(qū)域中的熱失控或任何熱不穩(wěn)定性等因素。不，MOSFET的這些屬性不能簡單地通過應用最大功率損耗方程來猜測。

SOA 數(shù)據(jù)在器件經(jīng)常在飽和區(qū)工作的 MOSFET 應用中非常有用。

它在熱插拔控制器應用中也很有用，在這些應用中，通過參考其 SOA 圖表來準確了解 MOSFET 能夠承受多少功率變得至關重要。

實際上，您會發(fā)現(xiàn) MOSFET 安全工作區(qū)值往往對大多數(shù)處理電機控制、逆變器/轉換器或 SMPS 產(chǎn)品的消費者非常有用，這些產(chǎn)品通常在極端溫度或過載條件下運行。