(2021.10.25)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞

2021.10.18- 2021.10.22

1. 魏少軍：集成電路成不了風(fēng)口上的豬也不可能出現(xiàn)彎道超車！

集成電路成不了“風(fēng)口上的豬”。集成電路這個(gè)領(lǐng)域也不可能出現(xiàn)彎道超車，我們只有按照產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律，回歸產(chǎn)業(yè)的本源，回歸技術(shù)驅(qū)動(dòng)的本源，踏踏實(shí)實(shí)地認(rèn)真做好集成電路這一硬科技發(fā)展。

硬科技是經(jīng)過長(zhǎng)期研究和積累形成的具有較高技術(shù)門檻的高科技。魏少軍指出，集成電路就屬于硬科技領(lǐng)域，我們要按照硬科技的規(guī)律來發(fā)展。發(fā)展硬科技需要有科學(xué)工匠精神，需要長(zhǎng)期的堅(jiān)持。

2. 臺(tái)積電TSMC21Q3電話會(huì)議紀(jì)要產(chǎn)能緊張延續(xù)至2022年，半導(dǎo)體行業(yè)結(jié)構(gòu)性長(zhǎng)期增長(zhǎng)

Q3營(yíng)收按新臺(tái)幣計(jì)算4147億新臺(tái)幣增長(zhǎng)11.4%，按美元計(jì)算149億美元?jiǎng)t增長(zhǎng)12%。營(yíng)收增長(zhǎng)主要受4大應(yīng)用平臺(tái)業(yè)務(wù)推動(dòng)：智能手機(jī)、高性能計(jì)算HPC、物聯(lián)網(wǎng)IoT及汽車相關(guān)應(yīng)用；毛利率環(huán)比擴(kuò)大1.3個(gè)百分點(diǎn)達(dá)51.3%，毛利增長(zhǎng)主要是因?yàn)榉庋b工藝的盈利能力提升和更優(yōu)化的技術(shù)組合；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率環(huán)比擴(kuò)大2.1個(gè)百分點(diǎn)達(dá)41.2%，主要由于更優(yōu)化的經(jīng)營(yíng)杠桿?？傮w來看，我們?nèi)径鹊腅PS是6.03新臺(tái)幣、ROE為30.7%。

各工藝制程的營(yíng)收能力：先進(jìn)制程收入(7nm及以下)占52%，其中7nm工藝收入占晶圓總收入的34%。

智能手機(jī)業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)15%，占比44%；高性能計(jì)算HPC業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)9%，占比37%；物聯(lián)網(wǎng)IoT業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)23%，占比9%；汽車電子業(yè)務(wù)環(huán)比增長(zhǎng)5%，占比4%；數(shù)字消費(fèi)電子業(yè)務(wù)環(huán)比下降2%，占比3%。

公司有信心保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，我們已經(jīng)有3nm和2nm等新工藝的推出時(shí)間表。到2025年，2nm工藝在資本密度和性能方面會(huì)是最具競(jìng)爭(zhēng)力的工藝節(jié)點(diǎn)，2nm工藝節(jié)點(diǎn)將在公司的考慮范圍內(nèi)。

N3因?yàn)榧夹g(shù)更復(fù)雜，要使用更多成本更高的新設(shè)備，成本會(huì)比N5要高。但產(chǎn)能爬坡的進(jìn)度會(huì)與前面的工藝節(jié)點(diǎn)很類似。會(huì)有更多的客戶參與N3工藝，且2022年將會(huì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，收入確認(rèn)將在2023年Q1出現(xiàn)。

對(duì)于N3及N3E工藝，EUV的雙重模版技術(shù)Double Patterning將對(duì)成本結(jié)構(gòu)帶來什么影響？

從N3到N3E，我們可以提供更好的晶體管性能和更好的制造工藝窗口。他們的成本相似，但客戶會(huì)享受更好的成品率、缺陷密度和晶體管性能。

3. 臺(tái)積電屈服了！

10月22日下午，臺(tái)積電表示，將在11月8日截止日期前，向美國(guó)提交臺(tái)積電工廠訂單、庫存量、銷售記錄等相關(guān)商業(yè)機(jī)密數(shù)據(jù)！近日，美國(guó)政府以「提高供應(yīng)鏈透明度」為由，要求芯片制造商提供機(jī)密數(shù)據(jù)，引發(fā)臺(tái)積電、三星等半導(dǎo)體公司擔(dān)憂。

10月21日，美國(guó)商務(wù)部表示，Intel和英飛凌等公司已同意自愿提供數(shù)據(jù)。美方表示，將檢查半導(dǎo)體公司提供的數(shù)據(jù)質(zhì)量，若有敷衍之虞，不排除改成強(qiáng)制調(diào)查！

4. 中芯國(guó)際張昕提出新型戰(zhàn)略供應(yīng)商的定義和要求，聯(lián)手戰(zhàn)略伙伴共建產(chǎn)業(yè)新生態(tài)

張昕提到，經(jīng)過20年的持續(xù)努力，北京地區(qū)已經(jīng)形成了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的主體，具有領(lǐng)先和示范作用。形成的原因在于提前布局了產(chǎn)業(yè)鏈條最難、最需要時(shí)間布局的集成電路制造和裝備企業(yè)，成功地探索出了一條發(fā)展中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的正確道路。

當(dāng)前中芯北京、中芯北方加起來3000多臺(tái)設(shè)備，但平均每種只有4臺(tái)，未來目標(biāo)將要發(fā)展到30臺(tái)/種。張昕指出：“做這個(gè)事的意義和原因在于批量采購，支持戰(zhàn)略供應(yīng)商。這是國(guó)內(nèi)漫長(zhǎng)的11年培養(yǎng)戰(zhàn)略供應(yīng)商的一個(gè)過程。做這一切的初心就是為改變產(chǎn)業(yè)鏈的不公平性?！?/p>

5. 過去6個(gè)月華為中芯國(guó)際供應(yīng)商獲得價(jià)值數(shù)十億美元的許可證，美國(guó)鷹派欲徹底封堵

自2019年特朗普政府時(shí)期批準(zhǔn)許可以來，113份價(jià)值610億美元的出口許可證被批準(zhǔn)用于相關(guān)供應(yīng)商向華為出售產(chǎn)品和技術(shù)，而另外188份價(jià)值近420億美元的許可證被批準(zhǔn)用于相關(guān)供應(yīng)商向中芯國(guó)際出售產(chǎn)品和技術(shù)。

數(shù)據(jù)還顯示，供應(yīng)商向中芯國(guó)際供貨的出口許可證申請(qǐng)中，有90%獲得了批準(zhǔn)。而同期供應(yīng)商向華為供貨的申請(qǐng)中，僅有69%獲得了批準(zhǔn)。

6. 英特爾第三季度營(yíng)收191.92億美元， 凈利同比增長(zhǎng)60%

據(jù)報(bào)道，英特爾今天公布了該公司的2021財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示，英特爾第三季度營(yíng)收為191.92億美元，與去年同期的183.33億美元相比增長(zhǎng)5%；凈利潤(rùn)為68.23億美元，與去年同期的42.76億美元相比增長(zhǎng)60%。不計(jì)入某些一次性項(xiàng)目（不按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則），英特爾第三季度調(diào)整后凈利潤(rùn)為69.97億美元，與去年同期的45.46億美元相比增長(zhǎng)54%。

按照部門劃分，英特爾客戶計(jì)算集團(tuán)第三季度凈營(yíng)收（其中包含芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收）為96.64億美元，相比之下去年同期為98.47億美元，同比下降2%；運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為33.17億美元，相比之下去年同期為35.54億美元。其中，平臺(tái)業(yè)務(wù)營(yíng)收為89.54億美元，相比之下去年同期為87.62億美元；其他業(yè)務(wù)營(yíng)收為7.10億美元，相比之下去年同期為10.85億美元。

英特爾數(shù)據(jù)中心集團(tuán)第三季度營(yíng)收為64.96億美元，相比之下去年同期為59.05億美元，而分析師此前預(yù)期為66.6億美元；運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為20.57億美元，相比之下去年同期為19.03億美元。其中，平臺(tái)業(yè)務(wù)營(yíng)收為57.47億美元，相比之下去年同期為51.51億美元；其他業(yè)務(wù)營(yíng)收為7.49億美元，相比之下去年同期為7.54億美元。

英特爾物聯(lián)網(wǎng)集團(tuán)第三季度營(yíng)收為13.68億美元，相比之下去年同期為9.11億美元；運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為3.81億美元，相比之下去年同期為1.08億美元。其中，IOTG業(yè)務(wù)營(yíng)收為10.42億美元，相比之下去年同期為6.77億美元；Mobileye業(yè)務(wù)營(yíng)收為3.26億美元，相比之下去年同期為2.34億美元。

英特爾第三季度非可變存儲(chǔ)解決方案集團(tuán)營(yíng)收為11.05億美元，相比之下去年同期為11.53億美元；運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為4.42億美元，相比之下去年同期為2900萬美元。

英特爾第三季度可編程解決方案集團(tuán)營(yíng)收為4.78億美元，相比之下去年同期為4.11億美元；運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為7600萬美元，相比之下去年同期的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為4000萬美元。

7. 華潤(rùn)微深度報(bào)告：功率龍頭業(yè)績(jī)迎來拐點(diǎn)，新型業(yè)務(wù)拓展順利進(jìn)行

公司主營(yíng)的MOSFET、IGBT、功率IC等產(chǎn)品，產(chǎn)品線齊全，公司兼?zhèn)浯ず头鉁y(cè)業(yè)務(wù)，可以自由調(diào)節(jié)公司產(chǎn)能分配，更好的研發(fā)環(huán)境可以確保公司產(chǎn)品的不斷迭代。目前功率半導(dǎo)體供不應(yīng)求的環(huán)境，MCU產(chǎn)品的持續(xù)漲價(jià)、公司產(chǎn)能的規(guī)劃、產(chǎn)線的升級(jí)都給公司業(yè)績(jī)帶來極高確定性，筆者認(rèn)為應(yīng)給與公司極高的關(guān)注。

8. 平頭哥半導(dǎo)體副總裁孟建熠專訪，揭開玄鐵RISC-V處理器開源背后的秘密

在2021云棲大會(huì)上，阿里云智能總裁、達(dá)摩院院長(zhǎng)張建鋒宣布旗下平頭哥半導(dǎo)體自研的四款玄鐵RISC-V系列處理器開源，并開放系列工具及系統(tǒng)軟件，引發(fā)了業(yè)界的極大關(guān)注。

據(jù)最新公布的數(shù)據(jù)顯示，目前平頭哥玄鐵系列處理器出貨已超25億顆，擁有150余家客戶、超500個(gè)授權(quán)數(shù)。

9. TrendForce：明年12英寸產(chǎn)能同增14%， 超半數(shù)為成熟制程

根據(jù)TrendForce周三（20日）發(fā)布的產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)，新增的12英寸產(chǎn)能中，超過半數(shù)為當(dāng)前短缺最為嚴(yán)重的成熟制程，即1Xnm及以上制程，預(yù)計(jì)能有效緩解至今為止仍很緊張的芯片供應(yīng)問題。

市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)估，2022年全球晶圓代工8英寸年均產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)6%，12英寸則增長(zhǎng)14%。

10. 面對(duì)晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)高墻，三星如何突破20%魔咒？

以5納米制程基準(zhǔn)，每1萬片設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施的投資約3.5萬億韓元，粗估三星美國(guó)新廠170億美元投資，約可增加6萬片產(chǎn)能。

三星預(yù)計(jì)在2022年上半，首發(fā)成為全球首家量產(chǎn)3納米GAA的業(yè)者，采用GAA技術(shù)將可減少半導(dǎo)體漏電流，提升電源使用效率，2023年預(yù)計(jì)推出第二代3納米GAA，2025年將挺進(jìn)2納米GAA。10納米以下先進(jìn)制程，臺(tái)積電、三星市占率分別為60%及40%，但三星如想追上臺(tái)積電，或許也得同時(shí)對(duì)傳統(tǒng)制程(legacy node)進(jìn)行投資與優(yōu)化。

臺(tái)積電的防守與隱憂

臺(tái)積電董事會(huì)主導(dǎo)經(jīng)營(yíng)在投資策略上相對(duì)保守穩(wěn)健，因此最近三星喊出2022年上半，量產(chǎn)3納米GAA制程時(shí)，臺(tái)積電仍顯得老神在在，按部就班於2022年下半推出3納米FinFET制程，并不打算在3納米冒然導(dǎo)入GAA。臺(tái)積電也許有良率、獲利等方面考量，但這方面的包袱，三星反而較小。

11. 華登國(guó)際黃慶：我們?cè)耸臧雽?dǎo)體投資冷板凳

回顧華登國(guó)際的投資歷史，基本覆蓋了中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展史。華登國(guó)際1987年成立，上世紀(jì)90年代來到中國(guó)來投資，是科技部邀請(qǐng)華登國(guó)際介紹風(fēng)險(xiǎn)投資概念，之前我們?cè)跂|南亞、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣投資。那是一個(gè)拓荒的年代，彼時(shí)中國(guó)還沒有“股權(quán)投資”這個(gè)行業(yè)。

我們當(dāng)時(shí)投資中芯國(guó)際，是一筆非常艱難的投資，而發(fā)展到今天，中芯國(guó)際已經(jīng)是中國(guó)最大的半導(dǎo)體廠商。還投資了華潤(rùn)微電子，當(dāng)時(shí)叫無錫上華，今天也是響當(dāng)當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體公司。2004年，我們領(lǐng)投了半導(dǎo)體設(shè)備公司中微，后者在科創(chuàng)板上市，一直到今天，我還是中微的董事。格科微電子也是我們?cè)?006年投資的，它是今年最大的半導(dǎo)體上市公司，去年銷售額超過十億美元?？傊?，我們堅(jiān)持坐了十年半導(dǎo)體投資的冷板凳，盡管非常艱難但又非常堅(jiān)定。

2019年科創(chuàng)板設(shè)立，是一個(gè)劃時(shí)代的標(biāo)志。當(dāng)年創(chuàng)業(yè)板給了我們信心，但是在創(chuàng)業(yè)板上市的公司并不多，沒有起到當(dāng)時(shí)我們想象的作用，有很多框框條條，跟創(chuàng)新科技公司的實(shí)際狀況不匹配?？苿?chuàng)板來了，真正意義上對(duì)標(biāo)納斯達(dá)克，支持高科技公司，比如非盈利公司也可以上市。以前我們做一家公司，可能要十幾年才能上市，現(xiàn)在一個(gè)公司五六年就可以上市，這一系列事情代表中國(guó)高科技投資的春天到來了。如今投資界的人都涌進(jìn)高科技賽道，跟科創(chuàng)板的設(shè)立也非常有關(guān)。

今天國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)可以說是“不差錢”，所以開始投資存儲(chǔ)，而存儲(chǔ)的投資可能要上千億元，例如合肥長(zhǎng)鑫和長(zhǎng)江存儲(chǔ)，這樣的情景放在以前難以想象。

其中一位董事長(zhǎng)講了一個(gè)故事，他問一個(gè)朋友“企業(yè)成功的要素是什么”，這個(gè)企業(yè)家說，有很好的投資人非常重要，很好的投資人占成功10%的比重，還需要一個(gè)很好的團(tuán)隊(duì)，這個(gè)團(tuán)隊(duì)占30%，還有60%是什么，是“堅(jiān)持”。這位董事長(zhǎng)本意是想贊揚(yáng)華登國(guó)際能夠堅(jiān)持，事實(shí)上我們能做出這樣的成績(jī)，也是因?yàn)槲覀兺顿Y的公司也都非常堅(jiān)持。

12. 居龍：全球缺芯推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈加速重整

雖然缺芯是一大問題，但與此同時(shí)數(shù)字經(jīng)濟(jì)智能應(yīng)用推動(dòng)了半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長(zhǎng)，到目前為止，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額已經(jīng)有逾20%的增長(zhǎng)，今年將突破5000億美元，甚至達(dá)到5500億美元。各大機(jī)構(gòu)也預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)三年連續(xù)增長(zhǎng)，正在進(jìn)入超級(jí)周期。

對(duì)于我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展現(xiàn)狀，居龍表示：“過去一年取得了很大的進(jìn)步，但是這一年內(nèi)我們?nèi)〉玫某煽?jī)是過去10年、20年，甚至是30年累積的結(jié)果。未來，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商也將有著巨大的機(jī)遇，但我們也要意識(shí)到成績(jī)并不是一蹴而就的，需要持續(xù)的耕耘。”

其中一個(gè)機(jī)遇在于全球晶圓廠紛紛擴(kuò)產(chǎn)12寸、8寸產(chǎn)能，韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸都在持續(xù)投入。統(tǒng)計(jì)顯示，全球半導(dǎo)體制造商在2020年至2024年將持續(xù)提高8寸晶圓廠產(chǎn)能，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)95萬片/月，增幅達(dá)17%，達(dá)到660萬/月的歷史紀(jì)錄。從區(qū)域來看，2021年8寸晶圓產(chǎn)能中國(guó)大陸占大多數(shù)，占比為18%。

13. SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

10月20日，SK海力士宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3DRAM。

HBM3是第四代HBM(HighBandwidthMemory)技術(shù)*，由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價(jià)值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實(shí)現(xiàn)24GB，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm,10-6m)，相當(dāng)于A4紙厚度的1/3，然后使用TSV技術(shù)垂直連接12個(gè)芯片。

SK海力士研發(fā)的HBM3能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%。

14. 中芯國(guó)際公司今年擬擴(kuò)建1萬片成熟12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產(chǎn)能

10月18日，中芯國(guó)際在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司今年擬擴(kuò)建1萬片成熟12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產(chǎn)能，以滿足更多的客戶需求。

今年9月，中芯國(guó)際發(fā)布公告稱，已與上海臨港管委會(huì)簽訂合作框架協(xié)議，將成立合資公司規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目。

15. SEMI ：2021年硅晶圓出貨量將同比增長(zhǎng)13.9%

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）今日（19日）發(fā)布了半導(dǎo)體行業(yè)年度硅晶圓出貨量預(yù)測(cè)報(bào)告。2021年硅晶圓出貨量將同比增長(zhǎng)13.9%，達(dá)到近14000百萬平方英寸（millionsquareinch,MSI）的歷史新高。

16. 臺(tái)積電最新路線圖

2023N3

“N3風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)計(jì)劃在2021年，生產(chǎn)將在2022年下半年開始，”  臺(tái)積電首席執(zhí)行官CC Wei表示。“因此，2022 年下半年將是我們的大規(guī)模生產(chǎn)，但您可以預(yù)期收入將在 2023 年第一季度出現(xiàn)，因?yàn)檫@需要很長(zhǎng)時(shí)間——所有這些晶圓都需要周期時(shí)間。”

雖然 EUV 層的確切數(shù)量未知，但它的層數(shù)將比 N5 中使用的 14 層多。該技術(shù)的極端復(fù)雜性將進(jìn)一步增加工藝步驟的數(shù)量——使其超過 1000 個(gè)——這將進(jìn)一步增加cycle時(shí)間。 

2024年的N3E

2025年的N2

但隨著 N2 越來越近，臺(tái)積電正在慢慢鎖定一些額外的細(xì)節(jié)。特別是，該公司現(xiàn)在正式確認(rèn) N2 節(jié)點(diǎn)定于 2025 年。盡管他們沒有詳細(xì)說明這是否意味著 2025 年的 HVM，或 2025 年的出貨量。

迄今為止，臺(tái)積電的 N2 制造工藝在很大程度上仍是個(gè)謎。該公司已確認(rèn)正在考慮為此節(jié)點(diǎn)使用環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GAAFET)，但從未表示該決定是最終決定。此外，它之前從未披露過 N2 的時(shí)間表。

需要HNA EUV設(shè)備 及 double pattening EUV 技術(shù)。

17. 探秘臺(tái)積電美國(guó)工廠

建造晶圓廠和制造芯片需要大量的水，而不是沙漠中的豐富資源。亞利桑那州最大的水源是地下水，但大型農(nóng)場(chǎng)的深井用水速度快于自然補(bǔ)充。陳說，臺(tái)積電每天需要大約 470 萬加侖的水來支持生產(chǎn)。

臺(tái)積電技術(shù)總監(jiān) Tony Chen 帶著 CNBC 參觀了正在建造一座 230 萬平方英尺的四層晶圓廠的現(xiàn)場(chǎng)。在臺(tái)積電工作的 23 年里，陳先生領(lǐng)導(dǎo)了其他 17 個(gè)晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目。 

在那里，世界上最大的起重機(jī)之一正在被提升到 200 英尺的全高。這臺(tái) 2,300 噸的起重機(jī)由 153 輛半卡車運(yùn)到現(xiàn)場(chǎng)?，F(xiàn)場(chǎng)主管吉姆·懷特 (Jim White) 表示，自 4 月開始施工以來，承包商已搬運(yùn)了近 400 萬立方碼的泥土，并使用了超過 2.6 億加侖的水。