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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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Vishay擴(kuò)展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強(qiáng)型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強(qiáng)后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差為1.0%。 　　增強(qiáng)型E/H貼片電阻適用于對(duì)性能有嚴(yán)格要求的高可靠性軍
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Vishay推出1500W表面貼裝瞬間電壓抑制器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優(yōu)異鉗位能力。 　　今天發(fā)布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統(tǒng)SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達(dá)200A，工作溫度為-55℃～+105℃。 　　TVS器件可用來保護(hù)通信和普通應(yīng)用中的敏感設(shè)備，
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Vishay 推出循環(huán)壽命長達(dá)兩百萬次的面板電位計(jì)

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經(jīng)濟(jì)、長壽命的面板電位計(jì) --- P11L，該電位計(jì)具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。 　　標(biāo)準(zhǔn)的低成本面板電位計(jì)的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長達(dá)2百萬次循環(huán)。對(duì)設(shè)計(jì)者來說，P11L的長壽命可減少對(duì)替換零件的需求，提高可靠性和降低維護(hù)成本。 　　Vishay的這款多功能面板電位計(jì)針對(duì)焊接機(jī)、空調(diào)單元、加工機(jī)械、醫(yī)療系統(tǒng)、X光設(shè)備、卡車和拖車，以及軍用和航天系統(tǒng)中的CMOS放大器增益、
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Vishay推出一系列新型高可靠性鋁電解電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高紋波電流，并可在+105℃高溫下工作的徑向鋁電容器 --- 142 RHS系列。 　　142 RHS系列提供從5mm x 11mm至18mm x 40mm的15種外形尺寸，105℃的最高溫度等級(jí)使器件能在更高的溫度下工作，或是具有比標(biāo)準(zhǔn)的85℃系列更長的器件壽命。其他特性包括在105℃下高達(dá)3100A的額定紋波電流，在10V～450V電壓范圍內(nèi)的容值為1μF～22,000μF。 　　做為一款采用非固態(tài)電解
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Vishay發(fā)布業(yè)界首個(gè)系列超小型SMD紅外接收器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遙控系統(tǒng)的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個(gè)采用兩個(gè)光敏二極管及專利技術(shù)內(nèi)部金屬EMI屏蔽的產(chǎn)品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無鏡片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°寬的角度內(nèi)，輻照度為0.3mW/m2～0.7mW/m2。 　　今天發(fā)布的器件中有三款是自動(dòng)增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控?cái)?shù)據(jù)格式。TSOP7
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Vishay推出新款高速PIN光敏二極管

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環(huán)氧樹脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對(duì)煙霧探測、光柵中的探測器，以及各種消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)傳輸進(jìn)行了優(yōu)化。 　　VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發(fā)射器相匹配的日光阻斷濾波器，例如波長為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。 　　在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級(jí)功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay推出新款高可靠性的鉭外殼液鉭電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器 --- 136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。 　　商用的136D電容器等同于軍用型的CLR90和CLR91器件，軍用型器件是按照軍標(biāo)MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求設(shè)計(jì)的。另外，今天發(fā)布
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Vishay采用Bulk Metal? 1202系列微調(diào)電位器

Vishay推出采用可表面貼裝的模壓封裝液鉭電容器

  • 　　2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。 　　 ? 　　M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電解電容器的優(yōu)點(diǎn)，摒棄了大多數(shù)缺點(diǎn)。在相似的電容量和外殼尺寸的情況下，新器件可耐受比其他類型電解電容器更高的紋波電流。此外，M35系列在+85℃溫度下可承受3V的反向電壓。 　　新器件可以使目前使用Vish
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Vishay推超長壽命高性能徑向鋁電容器

  • 　　近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列徑向鋁電容器---EKX系列，這些器件可實(shí)現(xiàn)+105°C的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
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具有位置檢測能力的光檢測電路(07-100)

  • 　　光檢測電路用LED和光檢測器線性陣列來檢測切斷光束的目標(biāo);然后，觸發(fā)報(bào)警輸出。然而，光檢測電路通常不提供發(fā)生空間的數(shù)據(jù)以指明光束被切斷的位置。本設(shè)計(jì)增加了位置檢測功能，能告知何處光束被切斷并經(jīng)RS-232把切斷光束的位置傳送到PC。
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Vishay發(fā)布先進(jìn)的第七代通用高壓電源模塊

  •         Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其第七代通用高壓電源模塊系列，該系列具有增強(qiáng)的電流處理能力、更輕的重量、更低的熱阻、更高的可靠性及完全無鉛的結(jié)構(gòu)。 　　第七代模塊均采用與 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封裝，將兩個(gè)有源元件整入各系列，并包括標(biāo)準(zhǔn)二極管、可控硅/二極管、可控硅/可控硅及肖特基整流器組合。 　　新器件具有高達(dá) 1600 V 的阻斷電壓、1000 V/µ
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Vishay攜多款產(chǎn)品亮相展會(huì)

  • 　　雖然全球經(jīng)濟(jì)正陷入低迷中，電子行業(yè)也在經(jīng)歷著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。但作為全球最大的分立器件與無源器件供應(yīng)商，Vishay并未因此放慢自己的腳步，反而利用其技術(shù)上的優(yōu)勢，推出了眾多高性能、低功耗、低成本的產(chǎn)品。在繼續(xù)保持其領(lǐng)導(dǎo)地位的同時(shí)，更幫助客戶將Vishay的技術(shù)實(shí)力轉(zhuǎn)化為他們自身的競爭力。 　　在本次IIC期間，Vishay攜帶多款最新產(chǎn)品參展。包括具有 3300μF～72000μF 超高電容范圍的新型HE3液體鉭高能電容器，新器件采用 SuperTan技術(shù)，可提供 0.035?
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