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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性

  • Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級(jí)和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開(kāi)關(guān)。適配器開(kāi)關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開(kāi)啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級(jí)應(yīng)用

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級(jí)應(yīng)用制定的“T”-level要求。 　　為達(dá)到T級(jí)的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16進(jìn)行了額外測(cè)試，對(duì)原材料和產(chǎn)品批次定義進(jìn)行嚴(yán)格控制，并達(dá)到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下進(jìn)行了100%的C浪涌試驗(yàn)。此外，電容器進(jìn)行了完備的視覺(jué)和
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。 　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級(jí)產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay推出其最小的IHLP器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP®小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。 　　IHLP-1212BZ-11具有0.22µH~1.5µH的感值范圍，飽和電流范
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Vishay推出適用在極端惡劣環(huán)境下的薄膜貼片電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。 　　新的Vishay Sfernice RMKHT打線式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，最高儲(chǔ)存溫度可達(dá)+230℃，是業(yè)界首款達(dá)到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經(jīng)過(guò)1000小時(shí)后的負(fù)載壽命穩(wěn)定率依然可達(dá)0.5%，并同時(shí)保持嚴(yán)格的TCR和容差。 　　新款分立電阻的
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Vishay推出新的外形尺的寸電阻器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴(kuò)充了MC AT系列專(zhuān)用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。 　　越來(lái)越多的電子設(shè)計(jì)要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應(yīng)，因?yàn)檫@些效應(yīng)會(huì)影響到器件的穩(wěn)定性和性能。Vishay的MC AT專(zhuān)業(yè)和精密電阻能夠在這些應(yīng)用當(dāng)中提供穩(wěn)定的性能。 　　今天發(fā)布的新款專(zhuān)業(yè)系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時(shí)
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過(guò)了DSCC Drawing 10004認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，擴(kuò)展的SuperTan® 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。 　　10004
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開(kāi)關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時(shí)避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級(jí)，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電
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Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件

  • 　　日前，Vishay宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP®電感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高頻率、高達(dá)92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。 　　新款I(lǐng)HLP-6767DZ-01的頻率范圍達(dá)2MHz，是終端產(chǎn)品中電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)和DC-DC應(yīng)用的高效能、節(jié)省空間和低功耗的解決方案，這些應(yīng)用領(lǐng)域包括下一代移動(dòng)設(shè)備、桌面電腦、服務(wù)器、圖形卡和汽車(chē)電子系統(tǒng)，低外形、
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Vishay發(fā)布新款集成功率光敏

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴(kuò)充了其光電產(chǎn)品組合。這些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和電源TRIAC兩個(gè)器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC，這些器件可節(jié)省電路板空間和降低成本。這些光耦產(chǎn)品采用8引腳的DIP封裝，可保護(hù)人體免受電擊，在家電和很多其他系統(tǒng)中，可對(duì)低壓控制電路與高壓電源進(jìn)行光電隔離，避免出現(xiàn)過(guò)流情況。 　　VO2223和VO2223A的
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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。 　　2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對(duì)于+28V應(yīng)
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Vishay推出保護(hù)USB-OTG端口的新款ESD保護(hù)陣列

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內(nèi)可提供3路USB ESD保護(hù)，在12V工作電壓范圍內(nèi)提供1路VBUS保護(hù)。 　　VBUS053BZ-HNH-G-08采用無(wú)鉛的LLP1713-9M,封裝，具有0.6mm的超低外形，可在高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中減少有源ESD保護(hù)所需的電路板
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Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，具有先進(jìn)的控制器IC和柵極驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)針對(duì)PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨(dú)立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動(dòng)開(kāi)關(guān)，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。 　　microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨(dú)特的分立MOSFET設(shè)計(jì)、IC專(zhuān)長(zhǎng)和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
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Vishay發(fā)布基于光敏二極管的環(huán)境光傳感器的視頻演示

  • 　　日前，Vishay宣布，為幫助客戶了解在應(yīng)用中使用環(huán)境光傳感器的益處，Vishay公司將在官方網(wǎng)站上發(fā)布其光電產(chǎn)品組的視頻產(chǎn)品演示。 　　Vishay的環(huán)境光傳感器采用獨(dú)家的紅外濾波環(huán)氧樹(shù)脂技術(shù)，能夠使感光光譜匹配人眼的敏感度特性，而對(duì)非可見(jiàn)光的敏感度則很小。這種特性可避免自然光、白熾燈和鹵素?zé)襞莸热斯ふ彰髦屑t外成分對(duì)傳感器的干擾。這段5分鐘的新視頻演示了亮度測(cè)試，顯示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品和標(biāo)準(zhǔn)的硅光敏晶體管。 　　這段演示表明，在不同的光源下，其他技術(shù)
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