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Vishay Siliconix 推出符合DrMOS規(guī)定的新款器件

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內(nèi),該器件集成了對PWM信號優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅(qū)動IC,以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規(guī)定的服務器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器(VR)標準。該器件的工作頻率超過1MHz,效率高達92%。 SiC7
- 關鍵字: Vishay 驅(qū)動IC PowerPAK SiC762CD
Vishay推出新TANTAMOUNT低ESR固鉭貼片電容器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出內(nèi)置熔絲的新系列TANTAMOUNT®低ESR固鉭貼片電容器 --- TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸,可在以安全為首要考慮的應用中為短路故障提供非常高級別的保護。 TF3系列器件具有一個內(nèi)部的電子式熔斷裝置,在+25℃、最小5A電流條件下,熔斷裝置可以0.1秒的時間內(nèi)起作用。在因電流過大引發(fā)故障的情況下,可以防止對電路元器件造成損傷。 這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25&
- 關鍵字: Vishay 貼片電容器 TF3 TANTAMOUNT
Vishay推出Bulk Metal箔電阻

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列,在精度、穩(wěn)定性和速度上都設定了新的行業(yè)基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差,5Ω~1.84MΩ的阻值范圍,在至少6年內(nèi)(未受潮)的工廠壽命穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%),上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃,Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
- 關鍵字: Vishay 箔電阻 Bulk Metal
Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產(chǎn)品,使用了自對準工藝技術,在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)
- 關鍵字: Vishay MOSFET TrenchFET
Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布,推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A,最大峰值反向額定電壓為600V~1000V,外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器,產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm,厚度為3.8mm。 與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比,PowerBridge器件先進的導熱結構使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此,PowerBrid
- 關鍵字: Vishay 整流器 PowerBridge
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