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車規(guī)級UFS 4.0將變得愈發(fā)重要

  • 車載中控屏幕和智能駕駛的不斷升級，已經(jīng)成為影響我們智能出行的重要因素。流暢的車載智能系統(tǒng)交互與功能擴展已經(jīng)成為基本盤。就目前而言，車輛平均存儲數(shù)據(jù)大約在35GB左右，但隨著智能體驗、高階輔助駕駛實裝，數(shù)百GB到上TB的存儲勢在必行。可以看到，一個巨大的車規(guī)級存儲市場需求正在蓄勢待發(fā)，大容量、高性能、高可靠的車規(guī)級存儲已然成為標(biāo)準(zhǔn)配置，并且會隨著需求增長不斷升級。但相對于消費級存儲，車規(guī)級存儲更為苛刻，它對工作溫度范圍、工作穩(wěn)定性、不良率、使用壽命、車規(guī)級安全規(guī)范都有著明確的要求，以確保車輛高速行駛過程中的
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手機性能升級，UFS 4.0的角色很關(guān)鍵

  • 智能手機已經(jīng)成為我們不可或缺的AI設(shè)備，隨身運行的大模型，人工智能圖像與視頻識別，讓手機的易用程度又向上提升了一個臺階。特別是隨著驍龍8至尊版正式發(fā)布，新一輪的裝備升級勢在必行。更強的CPU、GPU和NPU給端側(cè)的AI性能帶來了更多可能，但也給存儲帶來全新的挑戰(zhàn)，搭載AI的系統(tǒng)和本地大模型如何被高效的運用和讀取，在網(wǎng)絡(luò)信號不佳的前提下，存儲能否擔(dān)當(dāng)起及時的AI響應(yīng)，本地存儲空間是否足夠離線模型的存儲？這時候，UFS 4.0存儲方案自然而然擺上了臺面。UFS 4.0存儲其實早已在高性能手機中被廣泛使用，不像
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鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片：連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%

  • IT之家 4 月 23 日消息，鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可選，專為包括高端智能手機在內(nèi)的下一代移動應(yīng)用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
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美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品

  • 2月28日，存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術(shù)，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后，美光進一步縮小UFS4.0的外形規(guī)格以實現(xiàn)更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上，美光UFS4.0的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達4300MBps和4000MBps，較前代產(chǎn)品相比性能提升一倍，據(jù)悉，生成式AI應(yīng)用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強版UFS4.0基于
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美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗

  • 2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗。該手機支持 70 億參數(shù)的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲的加持下，實現(xiàn)了升級版預(yù)測性和
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美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS，助力下一代智能手機設(shè)計搭載更大容量電池

  • 2024 年 2 月28日，中國上海 – Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS）4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型UFS 封裝（9 x 13mm）?；谙冗M的232層3D NAND技術(shù)，美光UFS 4.0解決方案可實現(xiàn)高達 1 TB容量，其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機實現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗。 美光UFS 4.0的順序讀取速度和順序?qū)懭胨?/li>
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鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

  • 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款(2)面向車載應(yīng)用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品(1)。新產(chǎn)品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于多種新一代車載應(yīng)用，諸如車載遠程信息處理系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)以及ADAS系統(tǒng)(4)。鎧俠車載UFS產(chǎn)品的性能顯著提升(5)，順序讀取速度提升約100%，順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘s40%。通過性能提升，相關(guān)應(yīng)用能夠更好地利用5G連接的優(yōu)勢，帶來更快的系統(tǒng)啟動速度和更優(yōu)質(zhì)的用戶體驗。作為首家推出UFS技術(shù)
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三星將推出新版UFS 4.0存儲 將為智能手機運行時的AI進行優(yōu)化

  • 配備 Snapdragon 8 Gen 3 和 Dimensity 9300 芯片組的智能手機現(xiàn)在可以運行設(shè)備上的 LLM（大型語言模型），使其具有與更大的機器相同的功能。 不幸的是，在手機上運行人工智能相關(guān)程序是一項資源密集型任務(wù)，不僅需要計算能力，還需要充足的內(nèi)存和存儲空間，早些時候的一份報告指出，未來智能手機上的 20GB RAM 可能會成為支持此功能的標(biāo)準(zhǔn) 功能。 至于存儲，三星有一個解決方案，據(jù)傳是針對 AI 優(yōu)化的新版本 UFS 4.0 標(biāo)準(zhǔn)。高級研究員還表示，運行 AI 操作將需要智能手機大
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鎧俠推出第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備

  • 為了繼續(xù)推動通用閃存(1)（UFS）技術(shù)的發(fā)展，全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代移動應(yīng)用。鎧俠 UFS 產(chǎn)品性能的改進使這些應(yīng)用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢，從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗。鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品將BiCS FLASH? 3D 閃存和控制器集成在?JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)封裝中，并結(jié)合了?MIPI M-PHY 5.0 和&n
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立足優(yōu)勢 持續(xù)領(lǐng)先：KIOXIA鎧俠新一代UFS嵌入式閃存器件已批量交貨

  • 2022年12月8日，中國上海 — 全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者KIOXIA鎧俠中國近日宣布，今年其最新發(fā)布的業(yè)界首款*1支持MIPI M-PHY*2 v5.0的通用閃存*3Universal Flash Storage (以下簡稱：UFS) 嵌入式閃存器件，目前已率先批量交貨，助力本土手機產(chǎn)商實現(xiàn)存儲速度飛躍。新一代UFS憑借高速讀寫性能，將應(yīng)用于智能手機等其他消費類電子產(chǎn)品中，顯著提升產(chǎn)品的功能性和用戶的使用體驗。             &nb
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美光車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗

  • 全球汽車內(nèi)存領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應(yīng)用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實現(xiàn)最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶提供出色的娛樂和用
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西部數(shù)據(jù)為5G時代的移動應(yīng)用強勢賦能

  • 西部數(shù)據(jù)近日新推出了一款嵌入式通用閃存存儲（UFS, Universal Flash Storage）設(shè)備——西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手機的用戶體驗。作為最早支持實現(xiàn)UFS3.1 規(guī)范中Write Booster特性的供應(yīng)商，西部數(shù)據(jù)在業(yè)界第一批提供了針對5G應(yīng)用優(yōu)化的UFS3.1閃存方案。 <西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521嵌入式閃存設(shè)備>西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521嵌入式閃存設(shè)備幫助移動開發(fā)人員充分利用UFS 3.
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三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA：順?biāo)僮x取速度達510.82MB/s

  • 9月10日消息，據(jù)WinFuture報道，三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA2019展會，它被裝在了海信T91手機上。
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集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

  • 　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?！　≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
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關(guān)于NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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