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NAND閃存大科普

  •   在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。  在使用期的性能恒定?! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機(jī)數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器,可能會(huì)表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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如何快速?gòu)膃MMC轉(zhuǎn)移到UFS?

  • 在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡(jiǎn)單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸,抖動(dòng)、串?dāng)_、信號(hào)偏移、傳輸路徑不
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LPDDR5、UFS 3.0存儲(chǔ)介紹:我們何時(shí)能用上?

  •   相較于處理器芯片,存儲(chǔ)性能這些年在智能手機(jī)上的重要性也開始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結(jié),LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲(chǔ)卡將會(huì)成為新一輪旗艦智能機(jī)將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點(diǎn)?! 【唧w來說,LPDDR5的速度將達(dá)到6400Mbps,比LPDDR4翻番,比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的,LPDDR5將引入WCK差分時(shí)鐘,類似于GDDR5,從而在不增加引腳的情況下提升頻率。  此外,LPDDR5還將引入
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三星不再霸權(quán)!美光強(qiáng)勢(shì)殺入U(xiǎn)FS 2.1手機(jī)閃存

  •   2月26日,美光發(fā)布了專為安卓旗艦機(jī)打造的UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)閃存,容量設(shè)計(jì)為64GB、128GB和256GB。   顆粒選用TLC,3D 64層堆疊,美光強(qiáng)調(diào)基于人工智能技術(shù)進(jìn)行了APP打開、運(yùn)行有關(guān)的性能優(yōu)化。   由于是第二代3D閃存,美光稱性能提升了50%。   單Die面積59.341mm2,32GB,號(hào)稱業(yè)內(nèi)最小。因此,在同樣芯片面積下的總?cè)萘糠?   新閃存將于今春發(fā)貨,2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機(jī)中。   由于此前,UFS2.1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝,導(dǎo)致價(jià)格較高,美
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UFS 3.0進(jìn)軍車用儲(chǔ)存 三星256GB Flash量產(chǎn)

  •   三星電子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快閃儲(chǔ)存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解決方案已開始量產(chǎn), 是業(yè)界首款將固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)的UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)入汽車應(yīng)用的儲(chǔ)存設(shè)備。   三星電子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技術(shù)有所突破之后,于近日發(fā)布量產(chǎn)256GB eUFS 2.1車用內(nèi)存。 該儲(chǔ)存設(shè)備將為下一代駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車用娛樂系統(tǒng)與儀表板應(yīng)用帶來更好的
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TrendForce:2018年NAND Flash價(jià)格有望縮減10%-20%

  •   TrendForce研究指出,明年上半年步入淡季,NANDFlash價(jià)格有機(jī)會(huì)走跌,下半年需求回升,可能再次供不應(yīng)求,預(yù)估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價(jià))將較2017年縮減10%-20%。   相對(duì)而言,TrendForce預(yù)計(jì),2018年DRAM產(chǎn)能擴(kuò)增效益有限,價(jià)格趨勢(shì)與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。   TrendForce表示,就移動(dòng)存儲(chǔ)來看,智能手機(jī)應(yīng)用的存儲(chǔ)零組件價(jià)格從2016年第三季開始不斷攀升,以主流規(guī)格而言,到今年第四季價(jià)格平均上升40%,不僅影響各大品牌在智能手機(jī)的
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群聯(lián)UFS新芯片獲高通和海思認(rèn)證

  •   NAND Flash解決方案供應(yīng)商群聯(lián)9、10月連續(xù)兩月份的固態(tài)硬盤(SSD)出貨量都破歷史新高,上月更達(dá)到100萬組的水準(zhǔn),另一個(gè)好消息是,群聯(lián)在下一代的嵌入式快閃存儲(chǔ)器新款的UFS芯片PS8313上,已經(jīng)通過手機(jī)芯片大廠高通(Qualcomm)和海思等智能手機(jī)芯片平臺(tái)的測(cè)試,新產(chǎn)品布局有成。   群聯(lián)今年全力沖刺SSD和嵌入式存儲(chǔ)器解決方案eMMC產(chǎn)品線,繼9月SSD出貨量突破90萬片后,10月再創(chuàng)新高達(dá)100萬片水準(zhǔn)。   以第3季表現(xiàn)來看,群聯(lián)第3季獲利創(chuàng)下單季歷史新高,主要是受惠多項(xiàng)主流
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eMMC使命完成,UFS時(shí)代來臨,如何快速?gòu)膃MMC轉(zhuǎn)移到UFS

  • eMMC使命完成,UFS時(shí)代來臨,如何快速?gòu)膃MMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡(jiǎn)單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸,抖動(dòng)、串?dāng)_、信號(hào)偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時(shí)間窗口,從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。
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UFS 3.0曝光:2666MB/s速度 快到飛起

  •   智能手機(jī)體驗(yàn)優(yōu)秀與否,除了處理器芯片,閃存芯片也是一大影響因素,目前手機(jī)上常搭載的閃存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等標(biāo)準(zhǔn)。其中UFS標(biāo)準(zhǔn)于2011年誕生,升級(jí)到2.0版本是在2013年,2.1版本則是在2016年發(fā)布的,而近日據(jù)網(wǎng)友爆料其下一代標(biāo)準(zhǔn)3.0也已經(jīng)在研發(fā)了。        根據(jù)網(wǎng)友爆料使用的圖片顯示,UFS 3.0的速度最高達(dá)2666MB/s,較UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。   除了快到飛起的速度外,USF 3.0占據(jù)的
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ADAS帶動(dòng)車用內(nèi)存升級(jí) 除錯(cuò)機(jī)制成決勝關(guān)鍵

  •   車內(nèi)信息娛樂系統(tǒng)(IVI)越來越普及,先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、無人駕駛技術(shù)亦逐漸成熟,車載系統(tǒng)突飛猛進(jìn)造就日益龐大的數(shù)據(jù)處理需求,所需內(nèi)存容量、輸出/入帶寬不得不隨之升級(jí)。 不僅如此,車用儲(chǔ)存組件相較3C電子等一般應(yīng)用,更須考慮車輛要求之極高可靠性、安全性,進(jìn)一步納入完善的硬/韌體除錯(cuò)與實(shí)時(shí)反饋等相應(yīng)機(jī)制。   內(nèi)存控制芯片主力供貨商慧榮(SMI)產(chǎn)品企劃部項(xiàng)目經(jīng)理胡文基表示,從早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盤等演進(jìn)至今,目前車載系統(tǒng)是以16G起跳之內(nèi)嵌式多媒體記憶卡(e
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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢(mèng)碎

  • UFS普及并不缺乏機(jī)會(huì),F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解,成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
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吹牛必備常識(shí)之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

  • 華為P10“閃存門”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購(gòu)買P10手機(jī)后,經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn),華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測(cè)試結(jié)果顯示,有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒,而根據(jù)網(wǎng)上公布的評(píng)測(cè)參數(shù)來看,以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測(cè)試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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體驗(yàn)一致?eMMC和UFS間各項(xiàng)差異分析

  • 對(duì)于UFS閃存和eMMC閃存之間究竟存在著什么不同,到底在哪些方面會(huì)影響用戶的使用體驗(yàn)?這些問題恐怕不是每一個(gè)玩家都可以輕松答出,這次我們就順藤摸瓜,給大家理一理UFS閃存與eMMC閃存之間的那些事。
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手機(jī)儲(chǔ)存的未來:eMMC快速轉(zhuǎn)向UFS

  • 隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及,以及手機(jī)處理器性能的提升,eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對(duì)于內(nèi)存讀寫性能的要求,新一代的通用閃存儲(chǔ)存(UFS)規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。
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UFS可望5年內(nèi)取代eMMC 成為移動(dòng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存新主流

  •   通用快閃存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)(UFS)可望取代eMMC,成為移動(dòng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng)新主流,將成為未來旗艦手機(jī)標(biāo)準(zhǔn)配備,吸引存儲(chǔ)器控制芯片廠群聯(lián)與慧榮爭(zhēng)相推出產(chǎn)品卡位。   隨著4K影音與虛擬實(shí)境等技術(shù)日漸成熟,引爆旗艦智能手機(jī)對(duì)更高速、超高畫質(zhì)影音的儲(chǔ)存需求,研調(diào)機(jī)構(gòu)IHS預(yù)期,UFS可望在5年內(nèi)取代eMMC,成為移動(dòng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng)新主流。   瞄準(zhǔn)UFS未來發(fā)展?jié)摿?,群?lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲(chǔ)器控制芯片PS8311,預(yù)計(jì)今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計(jì)劃今年再推出一系列UFS芯片
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