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SAW元件,汽車用小型GPS濾波器
- TDK公司推出了最新EPCOS(愛普科斯) 微型聲表濾波器系列中的首款產(chǎn)品 -- EPCOS B4300 GPS濾波器。該款GPS濾波器經(jīng)過AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,目前在全球同類產(chǎn)品中體積最小(殼體尺寸1.4 x 1.1 mm),可適應(yīng)汽車電子系統(tǒng)惡劣的使用環(huán)境。除了結(jié)構(gòu)緊湊以外,該元件的另一顯著特征就是其電氣性能極佳。比如,插入損耗僅為1 dB,同時阻帶的衰減亦很高。對來自移動電話頻段的干擾,衰減值能達到45-50 dB。 由于采用了CSSP. 技術(shù)(即“芯片尺寸聲表封裝&rdq
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TDK高交會聚焦三大熱門應(yīng)用
- 近日,在深圳高交會電子展上,TDK攜手旗下TDK-Lambda和愛普科斯(EPCOS),以汽車電子、移動通信和工業(yè)與能源三大熱門應(yīng)用為主題高調(diào)亮相,展示了基于傳統(tǒng)磁性材料為核心的最新產(chǎn)品和技術(shù)。 TDK以鐵氧體磁性材料起家,隨著對磁性材料不斷的研發(fā),TDK不僅在傳統(tǒng)磁性技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域繼續(xù)保持領(lǐng)先,并將其開拓到新的市場,比如這次高交會展出的用于風(fēng)力和水利發(fā)電的磁性產(chǎn)品就是全新的節(jié)能環(huán)保應(yīng)用。在傳統(tǒng)磁性材料的研究方面,TDK開發(fā)的不含稀土元素的鐵氧磁鐵性能已經(jīng)接近稀土磁鐵,成本卻可以大幅下降。不使用L
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電子元件行業(yè)新趨勢:技術(shù)創(chuàng)新與服務(wù)支持并重
- 隨著中國電子制造業(yè)在全球市場的比重持續(xù)提升,創(chuàng)新能力不斷增強,當(dāng)前市場不但對各種基礎(chǔ)電子元件提出了更高的規(guī)格要求,而且也需要供應(yīng)廠商能夠跟上瞬息萬變的市場變化,為企業(yè)提供強有力的服務(wù)保障。 TDK集團旗下的愛普科斯(上海)產(chǎn)品服務(wù)有限公司的電容、保護元件、及傳感器產(chǎn)業(yè)市場部大中華區(qū)副總裁王智娟 對此,TDK集團旗下的愛普科斯(上海)產(chǎn)品服務(wù)有限公司的電容、保護元件、及傳感器產(chǎn)業(yè)市場部大中華區(qū)副總裁王智娟表示,今年我們公司的業(yè)務(wù)增長點聚焦在智能手機和汽車電子市場,
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電磁兼容性 (EMC) 濾波器擴展變頻器專用電抗器組合
- TDK 株式會社推出了全新的愛普科斯 (EPCOS) B86305L*系列標(biāo)準(zhǔn)三相線路電抗器,用于帶 整流級輸入的變頻器。該系列產(chǎn)品有 7 種型號,電流范圍為 4 A 至 230 A。這些線路電抗器專 為 520 V AC 額定電壓而設(shè)計,依電抗器型號不同,短路電壓為 5%到 6%,因此可以有效抑制 變頻器引起的所有電磁干擾。 該全新線路電抗器系列還具有另外一個特征,那就是飽和磁感應(yīng)強度較高。因此,其電感值在 1.5 倍額定電流情況下可保持不變,甚至在 3 倍額定電流下,電感值仍能保持在額定值的
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功率電容器產(chǎn)品系列范圍,能量密度更高
- TDK 株式會社擴展了旗下愛普科斯(EPCOS) 的 MKK 功率電容器產(chǎn)品系列,推出了 MKK DCi- R 系列新型產(chǎn)品。MKK DCi-R 系列采用了樹脂浸漬技術(shù),基于 MKK DC 系列氣體浸漬電容器 和 MKK DC-I 系列油浸電容器的成熟技術(shù)而研發(fā)。新型 B25640*電容器額定電容值為 10000 μF,工作電壓高達 4000 V DC,同時其能量密度也比氣體浸漬型電容器高 10%。扁平卷繞技 術(shù)確保了新型電容器具有高達 95%的體積填充系數(shù),進一步縮小了產(chǎn)品體積,實現(xiàn)緊湊化。
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電磁兼容性(EMC)元件適用于再生式變頻器系統(tǒng)的 LCL 濾波器
- TDK 株式會社最新推出了適用于再生式變頻器系統(tǒng)的愛普科斯(EPCOS) 高性能 LCL 濾波器 (B84143*405)系列產(chǎn)品。該系列濾波器由一個電源扼流圈、帶阻尼電阻器的電容器組以及一個 牢固的扼流圈組成,其濾波器電路能夠大幅減弱時鐘頻率,完全符合 IEC / TS 62578 標(biāo)準(zhǔn)有 關(guān) EMI 發(fā)射范圍為 9 kHz 至 150 kHz 的設(shè)備的規(guī)定。此外,在再生式變頻器系統(tǒng)中,愛普科 斯 LCL 濾波器還可以顯著降低線側(cè)電流諧波(低于 5%)。最后,在高直流鏈路(DC link)電壓 應(yīng)用
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干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍
- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場?! RAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點?! DK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)
- 氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣
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Mouser Electronics 榮獲 TDK-Lambda 頒發(fā)的最佳成長大獎
- 半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計資源與全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲 TDK Corporation 旗下的集團公司 TDK-Lambda Americas Inc.頒發(fā)的 2013 年度最佳成長大獎。 本獎項旨在表彰分銷商 Mouser 在2013年協(xié)助 TDK-Lambda 突破業(yè)績增長和銷售目標(biāo)方面的突出成就。TDK-Lambda 作為領(lǐng)先的工業(yè)電源制造商,致力于為全球工業(yè)領(lǐng)域提供高可靠性產(chǎn)品,Mouser.cn 為您提供了所有這些產(chǎn)品。 Mo
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EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn),而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司,他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品,并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字: MOSFET EPC eGaN 201406
TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列
- 據(jù)悉,TDK株式會社(社長:上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列,該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD,通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴充至64GByte,并支持串行ATAⅡ。 目前,在消費用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注,而在工業(yè)用途方面,預(yù)計M.2的采用也會得到推進。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時,更加重視可靠性,許多裝置的使用年限都超過了10年。 因此,考
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