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基于Flash構架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應用設計

  • 基于Flash構架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
  • 關鍵字： 心電  監(jiān)控  應用  設計  FPGA  混合  Flash  構架  模數(shù)  基于  

Flash單片機自編程技術

  • Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進行擦除/編程，但是，要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
  • 關鍵字： 技術  編程  單片機  Flash  

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術

  • C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術, DSP是針對實時數(shù)字信號處理而設計的數(shù)字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點，非常適合應用于嵌入式實時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
  • 關鍵字： MBM29LV800BA  接口  技術  存儲器  FLASH  C6701  DSP  處理器  

Flash越來越受到支持

  • 　　根據(jù)Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平臺支援這項技術。 　　
  • 關鍵字： Apple  Flash  

基于CAN總線的大容量漢字火災樓層顯示器設計

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

  • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
  • 關鍵字： 芯片  設計  控制  flash  SD  NAND  用于  

NAND Flash的壞塊管理設計

  • NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
  • 關鍵字： 設計  管理  Flash  NAND  

NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
  • 關鍵字： 設計  實現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND  

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

  • 　　因應MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關IP與制程技術。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術，為下一代FlashMCU帶來的技術變革。 　　
  • 關鍵字： MCU  Flash  

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計

  • 基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計,1 引言

    FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
  • 關鍵字： 系統(tǒng)  設計  存儲  嵌入式  FLASH  基于  

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關鍵字： 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

  • 　　NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  Flash  

分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關鍵字： 南科  DRAM   Flash  
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