TMS320F2812芯片開發(fā)中Flash代碼性能的研究

　　然而，相當多的應用設計者常常面臨程序仿真通過，但獨立運行失敗的情況，表現(xiàn)均為程序代碼運行性能比估計的要差很多，以致來不及處理實時數(shù)據(jù)。由于代碼在Flash中運行的時間比在SARAM中仿真的時間長，有的設計試驗出現(xiàn)在Flash中運行比仿真慢4倍以上的結果，使設計只能停留在仿真通過的層次上。

　　1 分析

　　TI公司提供的一篇文檔資料spra958e.pdf，描述了在內部Flash中運行程序的相關知識，說明當在RAM中仿真速度為150 MIPS時，相應Flash中的執(zhí)行速度可達90～1OO MIPS;同時。在此文檔資料中提供了參考實例，但介紹性文字較多，實現(xiàn)高性能的具體配置方式描述不夠具體。經(jīng)反復閱讀TI公司的其他相關文檔資料，并編程對比實驗，筆者摸索出實現(xiàn)Flash中運行速度達到RAM中仿真速度的75%左右的方法，與TI指標相符合。下面詳細說明試驗程序與方法。限于篇幅，只列出與試驗過程密切相關部分的配置情況。試驗程序使用的空間分配如表1所列。

　　試驗程序如下：

　　下面是CMD文件關鍵內容。因RAM仿真與下載Flash所用CMD文件有差異，故為節(jié)省篇幅，混合寫在一起，差異部分參見說明。

　　試驗程序運行時，用示波器在TMS320F2812的XF輸出腳可以測量到重復脈沖(如圖1所示)，表2為對應的測量結果。

　　函數(shù)InitFlash()設置了等待參數(shù)。在100 MHz的系統(tǒng)時鐘條件下，筆者的實例能保證正常執(zhí)行的最佳參數(shù);而其他設置會產生運行速度慢，或過快但運行不穩(wěn)定的結果。觀察表2的測量結果，可以發(fā)現(xiàn)各方式下T1時間不變，原因為指令“asm(“RPT#248||NOP”)”取指令只執(zhí)行一次，然后在DSP中內部循環(huán)執(zhí)行250次，而只有取指令才涉及等待參數(shù)問題，所以在試驗的4種條件下T1基本相同(畢竟還是存在取指令過程，每種條件下T1并非完全一致，有微小差別)。因Flash本身訪問速度比SARAM要慢，指令需要插入等待周期。

　　表2說明了下載到Flash中運行時的速度與在SARAM中仿真時相比，有所下降。T2/T3/T4雖然同為數(shù)據(jù)傳送花費時間，但因分布空間不同，對應匯編指令數(shù)和指令類型相應有增減，故表現(xiàn)出不同的執(zhí)行時間，其中數(shù)據(jù)在外部RAM中傳輸比在內部SARAM中傳輸要慢。

　　表2還顯示出下載到Flash中運行，如果同時對芯片加密，則應當特別注意變量分配的空間位置。加密后Flash處于安全模塊中，如果變量分配到HO，那么由于H0是非安全塊，DSP工作時可以在兩種模塊中動態(tài)切換，不需要開發(fā)者附加代碼。描述參見TI文檔資料中的CSM章節(jié)，但并未說明需要額外增加時間開銷。LOL1是安全塊，如果變量分配到L0L1或是沒有加密，則因不存在安全與非安全模塊的切換時間開銷，速度比較快。當采用保護芯片知識產權而需要加密Flash時必須注意分配變量空間，把對運行速度敏感的參數(shù)分配到LOLl中，否則會發(fā)現(xiàn)程序執(zhí)行速度降低到仿真時的1/4。由于內部SARAM空間有限，應用系統(tǒng)往往需要外擴RAM，數(shù)據(jù)交換將比在內部SARAM執(zhí)行時有所增多。

　　2 結論

　　通過前面的試驗，可以得到幾個在TMS320F2812應用開發(fā)中，運行于Flash中的代碼如何提高性能的指導原則：

　?、俑鶕?jù)系統(tǒng)時鐘選擇合適的等待參數(shù);

　?、跀?shù)據(jù)分配空間從指令類型與數(shù)量上影響程序執(zhí)行效率;

　?、跢lash加密后，對執(zhí)行速度有快速性要求的應用系統(tǒng)，應當在CMD文件中指定運行空間在SARAM的L0L1段，并注意變量分配的段空間。

　　設計系統(tǒng)如果滿足上面幾個原則，那么程序執(zhí)行效率就可達到SARAM仿真時的70%。