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PowerShrink平面CMOS平臺(tái)有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺(tái)支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
  • 關(guān)鍵字: SuVolta  CMOS  PowerShrink  

0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

  • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
  • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  0.18  

一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要:設(shè)計(jì)了一種寬帶軌對(duì)軌運(yùn)算放大器,此運(yùn)算放大器在3.3 V單電源下供電,采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實(shí)現(xiàn)輸入級(jí)總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù),采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
  • 關(guān)鍵字: CMOS  運(yùn)算放大器    

雙眼勝過單目:大陸集團(tuán)新推立體攝像機(jī)

低功率CMOS無線射頻芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  • 無線通訊市場的趨勢(shì)一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-RangeDevices)...
  • 關(guān)鍵字: 低功率  CMOS  無線射頻芯片  Zigbee  

應(yīng)用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設(shè)計(jì)

  • 提出一種應(yīng)用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設(shè)計(jì)。該分頻器采用脈沖吞吐結(jié)構(gòu),可編程計(jì)數(shù)器和吞脈沖計(jì)數(shù)器都采用改進(jìn)的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結(jié)構(gòu)的模擬電路實(shí)現(xiàn),相對(duì)于采用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時(shí),對(duì)可編程分頻器中的檢測(cè)和置數(shù)邏輯做了改進(jìn),提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后,采用TSMC的0.13/μm CMOS工藝,利用Cadence Spectre工具進(jìn)行仿真,在4.5 GHz頻率下,該分頻器可實(shí)現(xiàn)200~515的分頻比,整個(gè)功耗不超過19 mW,版圖面積為106 μ
  • 關(guān)鍵字: 可編程  設(shè)計(jì)  CMOS  合成器  頻率  應(yīng)用  

基于CMOS圖像傳感器OV7720的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)設(shè)計(jì)

  • 以網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)為應(yīng)用背景,闡述了數(shù)字CMOS圖像傳感器OV7720芯片的參數(shù)、接口和通信協(xié)議,結(jié)合網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)的開發(fā)環(huán)境,詳細(xì)介紹了芯片與嵌入式CPU的硬件電路和軟件結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)以嵌入式Linux作為操作系統(tǒng),相機(jī)芯片OV7720,OV529對(duì)數(shù)字視頻進(jìn)行采集、壓縮編碼并生成MPEG-4碼流。MPEG-4碼流經(jīng)過AT91SAM7X256控制器外掛的網(wǎng)絡(luò)芯片被輸送到PC機(jī)。PC機(jī)端通過內(nèi)嵌MPEG-4解壓插件的IE瀏覽器實(shí)時(shí)瀏覽視頻和控制網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)的狀態(tài)。
  • 關(guān)鍵字: 網(wǎng)絡(luò)  攝像機(jī)  設(shè)計(jì)  OV7720  傳感器  CMOS  圖像  基于  

一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要:為解決PWM控制器中輸出電壓與基準(zhǔn)電壓的誤差放大問題,設(shè)計(jì)了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器,通過在二級(jí)放大器中間增加一級(jí)緩沖電路,克服補(bǔ)償電容的前饋效應(yīng),同時(shí)消除補(bǔ)償電容引入的零點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: CMOS  PWM  誤差放大器    

一種低壓高線性CMOS模擬乘法器設(shè)計(jì)

  • 摘要:提出了一種新穎的CMOS四象限模擬乘法器電路,該乘法器基于交叉耦合平方電路結(jié)構(gòu),并采用減法電路來實(shí)現(xiàn)。它采用0.18mu;m CMOS工藝,使用HSPICE軟件仿真。仿真結(jié)果顯示,該乘法器電路在1.8 V的電源電壓下工作
  • 關(guān)鍵字: 法器  設(shè)計(jì)  模擬  CMOS  線性  低壓  

0.6 V CMOS軌至軌運(yùn)算放大器

  • 摘要:為適應(yīng)低壓低功耗設(shè)計(jì)的應(yīng)用,設(shè)計(jì)了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運(yùn)算放大器。采用N溝道差分對(duì)和共模電平偏移的P溝道差分對(duì)來實(shí)現(xiàn)軌至軌信號(hào)輸入。當(dāng)輸入信號(hào)的共模電平處于中間時(shí),P溝道差分對(duì)的輸入共模電平
  • 關(guān)鍵字: CMOS  軌至軌  運(yùn)算放大器    

基于0.5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放

  • 摘要:為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動(dòng)能力,依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線,介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì),探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì),并對(duì)其電路各個(gè)器件參數(shù)
  • 關(guān)鍵字: BiCMOS  CMOS  工藝  放大器設(shè)計(jì)    

電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的CMOS誤差放大器設(shè)計(jì)

  • 結(jié)合電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的工作要求,從減小輸出電壓紋波、穩(wěn)定輸出電壓出發(fā),設(shè)計(jì)了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍,使電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器高效率低噪聲工作?;贑HRT 0.35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進(jìn)行仿真,結(jié)果表明,在2.7~5 V工作電壓范圍內(nèi),開環(huán)電壓增益約等于72 dB,相位裕度約等于65°,單位增益帶寬約等于4.6 MHz,共模抑制比CMRR約等于113 dB,電源抑制比PSRR約等于100 dB。
  • 關(guān)鍵字: 放大器  設(shè)計(jì)  誤差  CMOS  LED  驅(qū)動(dòng)器  電荷  

L-系列CMOS自掃描光電二極管陣列

FDSOI韜光養(yǎng)晦以待時(shí)變

  •   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律發(fā)展已有數(shù)十年,生命力之強(qiáng)大令人敬畏,這種生命力的背后是馬不停蹄的技術(shù)創(chuàng)新,每一個(gè)革新技術(shù)都為產(chǎn)業(yè)注入前行的動(dòng)力。SOI(Silicon on Insulator,絕緣體上的硅)技術(shù)就是其中之一。   
  • 關(guān)鍵字: 晶體管  CMOS  

基于噪聲消除技術(shù)的CMOS超寬帶LNA設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: 噪聲消除  CMOS  超寬帶  LNA  噪聲  
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