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EEPW首頁 >> 主題列表 >> si-cmos

GSA硅片代工價格Q2下降

  • 　　按全球半導體聯(lián)盟GSA經(jīng)過調(diào)查后的報道，全球2010年Q2的硅片代工價格與上個季度相比下降。 　　為了支持與促進半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，一家非盈利組織GSA的報告，用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價格環(huán)比下降9.5%，而同類的300mm硅片代工價格環(huán)比沒有改變，每片平均仍為3200美元。 　　據(jù)GSA說，調(diào)查的參與者也報道200mm CMOS工藝的掩模價格下降，在連續(xù)兩個季度價格上升之后，環(huán)比中間價格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價沒有改變，而且已連續(xù)達3個季度。 　　
  • 關鍵字： 硅片  CMOS  200mm  

基于計數(shù)器的隨機單輸入跳變測試序列生成

俄羅斯國企要求政府封殺同類進口芯片

  • 　　據(jù)路透社援引俄羅斯當?shù)貓蠹埖囊粍t報道稱，俄羅斯一家名為Sistema的公司最近呼吁俄羅斯當局禁止其對手廠商生產(chǎn)的同類IC芯片產(chǎn)品進口到俄羅斯市場。Sistema目前與意法半導體公司有合作關系，雙方正在合作生產(chǎn)90nm制程的電視，GPS,手機，電子護照等產(chǎn)品用的IC芯片。這家公司的國企背景深厚，著名的俄羅斯國有半導體企業(yè)俄羅斯納米技術集團(Rusnano)便是這家公司的大后臺之一，目前Rusnano正在全力支持在俄羅斯國內(nèi)架設一條90nm制程CMOS產(chǎn)線的項目。據(jù)《俄羅斯日報》報道，俄羅斯總理普京9月2
  • 關鍵字： IC芯片  90nm  CMOS  

基于靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設計

  • 　　O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進一次新的制造技術會導致漏
  • 關鍵字： CMOS  單相  乘法器  能量  能量回收  

佳能展示1.2億像素影像傳感器

  • 　　佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS傳感器：1.2億像素的APS-H尺寸產(chǎn)品，它比目前旗艦單反EOS 1D Mark IV的影像傳感器還大7.5倍，可拍攝全幅13280x9184圖像，并可實現(xiàn)9.5FPS的連拍和1080p視頻的錄制(僅需要用到1/60的有效像素)。這款變態(tài)級別的傳感器目前似乎還沒有應用到任何產(chǎn)品的計劃，之前，佳能在2007年展示了5000萬像素的傳感器樣本。
  • 關鍵字： 佳能  CMOS  傳感器  

用CMOS門電路作微功耗放大電路圖

  • CMOS數(shù)字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優(yōu)點。除了在數(shù)字化裝置中廣泛應用外，亦可用于線性電路，發(fā)揮它低功耗的特點。
  • 關鍵字： CMOS  門電路  放大電路圖  微功耗    

傳感器技術面臨新型突破

  • 　　日前，瑞典皇家科學院宣布，博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學獎。CCD圖像傳感器如今已經(jīng)大規(guī)模應用于數(shù)碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業(yè)領域以及醫(yī)學設備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機市場的大規(guī)模增長，八十年代開始出現(xiàn)的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數(shù)碼相機等CCD傳統(tǒng)應用市場。 　　圖像傳感器領域的這一變化只是傳感器技術變化的一個縮影。傳感器技術的最大特點就是不斷引入多學科的新技術發(fā)展新功能，現(xiàn)在，隨著電子、M
  • 關鍵字： 傳感器  CMOS  

一種CMOS綠色模式AC／DC控制器振蕩器電路

  • 摘要：此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術。采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設計，鋸齒波信號的線性度較好，當負載電路減小時，自動進入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效
  • 關鍵字： 控制器  振蕩器  電路  DC  AC  CMOS  綠色  模式  一種  

解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

  • 　　摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中，一直引領著世界半導體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場、更高的經(jīng)濟效益前進。然而，隨著半導體技術逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此，國際半導體技術路線圖組織(ITRS)在2005年的技術路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結合的發(fā)展趨勢，并認為&
  • 關鍵字： 摩爾定律  MEMS  CMOS  

賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器

  • 　　賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數(shù)據(jù)吞吐能力，并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個10-bit數(shù)字低壓差分信號(LVDS)輸出，可以允許圖像數(shù)據(jù)通過標準的工業(yè)協(xié)議進行低功耗、低噪聲傳輸。每個通道以620Mbps的速率運行，從而實現(xiàn)53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機器視覺應用的理想選擇，適用于檢驗機、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
  • 關鍵字： Cypress  圖像傳感器  CMOS  

瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術

  • 　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。 　　在So
  • 關鍵字： 瑞薩電子  SRAM  CMOS  

Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議 共同開拓新技術

  • 　　全球領先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進無線芯片供應商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進CMOS技術進一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設計公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術。
  • 關鍵字： Qualcomm  CMOS  芯片設計  

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設計

  • 本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
  • 關鍵字： CMOS  0.5  um  電流反饋    

光致發(fā)光技術在檢測晶體Si太陽電池缺陷的應用

  • 引言　　近年來，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個行業(yè)的目標。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中，出現(xiàn)了許多嚴重的問題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
  • 關鍵字： 電池  缺陷  應用  太陽  Si  技術  檢測  晶體  發(fā)光  
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