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數(shù)字RF調(diào)制器為有線網(wǎng)絡(luò)融合接入平臺(tái)提供高效方案

隨著視頻和數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務(wù)對(duì)電纜帶寬需求的提高，下行數(shù)據(jù)速率正在以30%~40%的速率逐年提高。此外，消費(fèi)者也希望以相同的數(shù)據(jù)速率使用家中不斷增加的互聯(lián)裝置。從長(zhǎng)期目標(biāo)來(lái)看，當(dāng)前采用的模擬下行調(diào)制解調(diào)器很難滿足成
關(guān)鍵字：平臺(tái) 提供高效方案接入融合 RF 調(diào)制器有線網(wǎng)絡(luò)

用于單片集成開(kāi)關(guān)IC開(kāi)關(guān)電源的反激式變壓器設(shè)計(jì)(二)

4)變壓器結(jié)構(gòu)對(duì)于反激變壓器的結(jié)構(gòu)有兩種主要的設(shè)計(jì)方法，它們是：1〕邊沿空隙法(Margin Wound)-方法是在骨架邊沿留有空余以提供所需的漏電和安全要求。2〕3層絕緣法(Triple Insulated)-次級(jí)繞組的導(dǎo)線被做成3層絕緣
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源變壓器設(shè)計(jì) IC 開(kāi)關(guān) 單片集成用于

用于單片集成開(kāi)關(guān)IC開(kāi)關(guān)電源的反激式變壓器設(shè)計(jì)(一)

1〕反激式變壓器設(shè)計(jì)介紹反激式電源變換器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一是變壓器的設(shè)計(jì)。在此我們所說(shuō)的變壓器不是真正意義上的變壓器，而更多的是一個(gè)能量存儲(chǔ)裝置。在變壓器初級(jí)導(dǎo)通期間能量存儲(chǔ)在磁芯的氣隙中，關(guān)斷期間存儲(chǔ)
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新穎的均流IC 可輕松平衡兩個(gè)電源

“只許成功，不許失敗”—— 對(duì)于當(dāng)今那些始終保持正常運(yùn)轉(zhuǎn)的電氣基礎(chǔ)設(shè)施 (電信網(wǎng)絡(luò)、互聯(lián)網(wǎng)和電網(wǎng)等) 的設(shè)計(jì)師而言，這很可能是他們的座右銘。問(wèn)題是，此類(lèi)基礎(chǔ)設(shè)施的構(gòu)件 (從不起眼的電容器到
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深度探討高清音頻IC設(shè)計(jì)難題

視頻流和圖像繪制技術(shù)的進(jìn)步，極大地提高了高清 (HD) 運(yùn)動(dòng)圖像的質(zhì)量。加上家庭娛樂(lè)中心逐漸流行，這些因素已成為追求“家庭影院”體驗(yàn)以及便攜式電子設(shè)備發(fā)展的重要推動(dòng)力。除了高清視頻之外，高清音頻(
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 難題 IC 音頻探討高清深度

選擇正確的LED照明驅(qū)動(dòng)IC的方法

在LED照明領(lǐng)域，為體現(xiàn)出LED燈節(jié)能和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)，正確選擇LED驅(qū)動(dòng)IC至關(guān)重要。沒(méi)有好的驅(qū)動(dòng)IC的匹配，LED照明的優(yōu)勢(shì)無(wú)法體現(xiàn)出來(lái)。那么在選用LED驅(qū)動(dòng)IC時(shí)，應(yīng)該注意哪些性能指標(biāo)和使用方法嗎?LED照明燈具在近期得到
關(guān)鍵字： IC 方法驅(qū)動(dòng) 照明正確 LED 選擇

市場(chǎng)嬗變模擬IC廠商轉(zhuǎn)戰(zhàn)空白點(diǎn)

　　對(duì)于模擬IC玩家而言，如今在市場(chǎng)的“吆喝”只圍繞核心芯片之際，并且利潤(rùn)只集中在金字塔尖的廠商之中后，尋求新的增長(zhǎng)點(diǎn)以及轉(zhuǎn)型升級(jí)成為必然的選擇。正如(Active-Semi)技領(lǐng)半導(dǎo)體公司執(zhí)行副總裁王許成所言，IC業(yè)新的商業(yè)模式、新的芯片架構(gòu)很難再出現(xiàn)，單純的產(chǎn)品升級(jí)沒(méi)有太大出路。只是各家廠商都有自身的基因和利器，如何在固有優(yōu)勢(shì)之上進(jìn)一步將其“發(fā)揚(yáng)光大”，考驗(yàn)的是廠商持續(xù)的應(yīng)變力和創(chuàng)新力。　　節(jié)能市場(chǎng)深具潛力　　目前綠色節(jié)能應(yīng)用中均依賴(lài)于MCU來(lái)管
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明年IC領(lǐng)域有望新增10多位億萬(wàn)富豪

明年IC領(lǐng)域有望新增10多位億萬(wàn)富豪“山寨”在一定程度上是“盜版”、“仿制”的代名詞。然而，被譽(yù)為中國(guó)IC ...
關(guān)鍵字： IC

安捷倫公司與中科大共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

　　2012 年10 月31 日，北京――近日，合肥市人民政府-中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)全面戰(zhàn)略合作協(xié)議簽字儀式暨中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院揭牌儀式在合肥市舉行。安徽省委書(shū)記、省人大常委會(huì)主任張寶順作重要批示。安徽省省長(zhǎng)李斌，中國(guó)科學(xué)院副院長(zhǎng)陰和俊，安徽省委常委、常務(wù)副省長(zhǎng)詹夏來(lái)，省委常委、合肥市委書(shū)記吳存榮，副省長(zhǎng)倪發(fā)科、謝廣祥，中國(guó)科技大學(xué)黨委書(shū)記許武、校長(zhǎng)侯建國(guó)出席。　　作為該校企合作項(xiàng)目的重要部分，安捷倫公司與中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院(以下簡(jiǎn)稱(chēng)：先研院)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，旨在通過(guò)先研院的人才和
關(guān)鍵字：安捷倫 IC 仿真

新型汽車(chē)設(shè)計(jì)需要具超低IQ的高壓同步降壓型轉(zhuǎn)換器

摘要：汽車(chē)中非常復(fù)雜的電子系統(tǒng)之快速增加使得對(duì)電源管理 IC 的性能要求更高了。視電源在汽車(chē)電源總線上工作部位的不同，電源可能遇到停/啟、冷車(chē)發(fā)動(dòng)和負(fù)載突降情況，而且必須在這類(lèi)情況發(fā)生時(shí)，能夠自始至終準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)輸出電壓。此外，有些這類(lèi)系統(tǒng)會(huì)以始終保持接通的備用模式工作，需要最小的電源電流。
關(guān)鍵字： IC 轉(zhuǎn)換器 201210

醫(yī)療電子:從治病向保健延伸,便攜產(chǎn)品領(lǐng)風(fēng)騷

摘要：通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外領(lǐng)導(dǎo)與企業(yè)的訪談，分析了醫(yī)療電子業(yè)及元器件的市場(chǎng)與技術(shù)。
關(guān)鍵字：醫(yī)療電子 IC ADC 201210

華潤(rùn)微電子榮膺“中國(guó)十強(qiáng)半導(dǎo)體企業(yè)”稱(chēng)號(hào)

在2012 年 10月23日的“IC China 2012”高峰論壇上，華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)榮膺中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展十年“中國(guó)十強(qiáng)半導(dǎo)體企業(yè)”稱(chēng)號(hào)。這是中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)為推動(dòng)“十二五”中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而進(jìn)行的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展十年表彰項(xiàng)目之一。
關(guān)鍵字：華潤(rùn) IC

用IC構(gòu)建直讀式溫度探頭

本應(yīng)用筆記介紹了可以用作溫度測(cè)量探頭的簡(jiǎn)單電路，探頭測(cè)量的溫度既可以是探針末端的溫度，也可以是安裝了溫度傳感器的PCB溫度。本文給出了電路圖和相關(guān)數(shù)據(jù)，設(shè)計(jì)采用了MAX6610溫度傳感器。圖1所示的簡(jiǎn)易溫度測(cè)量探
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當(dāng)RF遇到模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)

當(dāng)前，對(duì)工程師們來(lái)說(shuō)，EMI (電磁干擾)和EMC(電磁兼容性)即使不算災(zāi)難，也算是非常棘手的任務(wù)。這是因?yàn)槿绻麤](méi)適當(dāng)?shù)墓ぞ?，找到略微超出極限的、討厭的EMI輻射的來(lái)源可能會(huì)非常麻煩，這種EMI輻射可能會(huì)橫跨RF信號(hào)、模
關(guān)鍵字：信號(hào) 數(shù)字模擬遇到 RF

TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇

　　TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)者，并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過(guò)廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列，和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務(wù)，繼續(xù)保持其在高功率射頻半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。憑借其安全可靠的美國(guó)工廠在集成和封裝單個(gè)與多個(gè)晶粒方面的獨(dú)特能力的支持，TriQuint致力于提供世界級(jí)、從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新，包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。　　通過(guò)Richardson RFPD
關(guān)鍵字： TriQuint RF