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TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和強(qiáng)大的保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種
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是德科技 5G 測(cè)試解決方案助力中國(guó)泰爾實(shí)驗(yàn)室按照 3GPP 規(guī)范認(rèn)證 5G 設(shè)備

是德科技日前宣布，該公司的?5G?測(cè)試解決方案被?中國(guó)泰爾實(shí)驗(yàn)室?（CTTL）選中，用以按照?5G NR（新空口）3GPP?規(guī)范在?FR1（450?到?6000 MHz）和?FR2（24250?到?52600 MHz）兩個(gè)頻率范圍對(duì)?5G?設(shè)備進(jìn)行認(rèn)證。是德科技是一家領(lǐng)先的技術(shù)公司，致力于幫助企業(yè)、服務(wù)提供商和政府客戶加速創(chuàng)新，創(chuàng)造一個(gè)安全互聯(lián)的世界。CTTL&nbs
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Qorvo憑借RF FUSION? 5G芯片組解決方案贏得久負(fù)盛名的GTI大獎(jiǎng)

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布Qorvo RF Fusion? 5G芯片組贏得2020年GTI移動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新突破大獎(jiǎng)。此獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)Qorvo在5G芯片組領(lǐng)域突破性創(chuàng)新的認(rèn)可；其開創(chuàng)性地兼顧了緊湊、高性能的5G功能與領(lǐng)先智能手機(jī)制造商對(duì)快速上市時(shí)間的要求。這已是Qorvo的5G產(chǎn)品第二次獲得GTI大獎(jiǎng)。TD-LTE全球發(fā)展倡議（GTI）是由運(yùn)營(yíng)商和供應(yīng)商組建的開放性全球協(xié)會(huì)，致力于推進(jìn)TD-LTE和5G的發(fā)展。GTI獎(jiǎng)勵(lì)
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢(shì)，包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率（3.4eV對(duì)比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.

領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國(guó)一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。通過(guò)此協(xié)議，MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動(dòng)力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認(rèn)為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗(yàn)。獲得這一技術(shù)對(duì)正在探索電力傳動(dòng)系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測(cè)試儀表應(yīng)用而設(shè)計(jì)，擁有多項(xiàng)性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號(hào)增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時(shí)減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)

奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因?yàn)镚aN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達(dá)到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開關(guān)拓?fù)?。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長(zhǎng)，而這正是所有電動(dòng)汽車消費(fèi)者最關(guān)心的問(wèn)題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車
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羅德與施瓦茨和泰雷茲進(jìn)一步合作，最大限度減少IoT模塊的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試

隸屬于泰雷茲（Thales）公司的金雅拓（Gemalto），正在使用測(cè)試與測(cè)量領(lǐng)域?qū)＜伊_德與施瓦茨公司（Rohde & Schwarz）的測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試，以確保該公司的Cinterion? IoT模組可以在所有網(wǎng)絡(luò)和條件下同步運(yùn)行。這將大大減少IoT（Cat-M和NB-IoT）方案在不同國(guó)家的實(shí)際網(wǎng)絡(luò)環(huán)境測(cè)試，從而加快IoT方案的上市。羅德與施瓦茨公司和隸屬于泰雷茲的金雅拓在開展合作，以大大減少昂貴且耗時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。3GPP定義了IoT的協(xié)議棧功能，但是 IoT終端需要適配
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納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

小米集團(tuán)和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機(jī)。小米董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會(huì)上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對(duì)Mi 10 PRO進(jìn)行0至100％的充電。
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Qorvo推出完整的V2X前端解決方案

近日，移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.今日推出首個(gè) 47 頻段/Wi-Fi 體聲波 (BAW) 共存濾波器和基于此的V2X前端產(chǎn)品套件，可在確?？煽啃缘那疤嵯聦?shí)現(xiàn)在遠(yuǎn)程通信單元 (TCU) 和天線中啟用車對(duì)萬(wàn)物 (V2X) 鏈路。由于從 2019 年到 2025 年，全球預(yù)計(jì)將增加 2.86 億輛聯(lián)網(wǎng)乘用車，該產(chǎn)品組合可為 V2X 通信提供了一個(gè)現(xiàn)成的解決方案。圖一注釋：Qorvo 車聯(lián)網(wǎng) - V2X、V2V、V2I、V2P 和 V2NV2X 是
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5G帶給功放的一些新轉(zhuǎn)變

5G 無(wú)線革命正在給 RF 設(shè)計(jì)領(lǐng)域帶來(lái)巨大的變化，手機(jī)和無(wú)線電基站的功率放大器也不例外。首先，5G 無(wú)線應(yīng)用中的功率放大器芯片與 4G 網(wǎng)絡(luò)中使用的功率放大器芯片大不相同。
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Qorvo收發(fā)器芯片簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)——率先支持所有開源智能家居協(xié)議同時(shí)運(yùn)行

?, Inc.近日推出突破性的物聯(lián)網(wǎng)收發(fā)器 Qorvo QPG7015M，這款收發(fā)器支持所有低功率開源標(biāo)準(zhǔn)智能家居技術(shù)同時(shí)運(yùn)行。這款收發(fā)器結(jié)合 Qorvo 獲得專利的天線分集和獨(dú)有的接收器設(shè)計(jì)，在覆蓋范圍、干擾穩(wěn)定性和能耗方面性能出色，有助于大幅簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)。在利用片上系統(tǒng) (SoC) 控制器產(chǎn)品提供多協(xié)議功能方面，Qorvo 已經(jīng)是成熟的領(lǐng)導(dǎo)者。QPG7015M 收發(fā)器主要面向網(wǎng)關(guān)物聯(lián)網(wǎng)解決方案，后者需要全面采用 Blue
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5G、測(cè)試測(cè)量、消費(fèi)電子、工業(yè)等熱點(diǎn)為RF和模擬帶來(lái)巨大機(jī)會(huì)

　　趙軼苗?（ADI公司?系統(tǒng)解決方案事業(yè)部?總經(jīng)理）　　1 5G驅(qū)動(dòng)RF等新一代芯片問(wèn)世　　5G將在未來(lái)在更多的國(guó)家和地區(qū)部署，將帶來(lái)無(wú)線電應(yīng)用的一波機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)。ADI作為最早把軟件無(wú)線電的概念真正落地的公司，非常關(guān)注軟件無(wú)線電在未來(lái)的應(yīng)用。ADI在2013年在一個(gè)單芯片里把所有模擬的放大器、濾波器、ADC、DAC、PL集成在一個(gè)芯片里，推出了向3G和4G基站應(yīng)用的高性能、高集成度的射頻捷變收發(fā)器AD9361，2018年推出了寬帶寬、高性能RF（射頻）集成收發(fā)器ADRV9009，在2020年ADI將會(huì)推
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采用LFCSP和法蘭封裝的RF放大器的熱管理計(jì)算

簡(jiǎn)介射頻(RF)放大器可采用引腳架構(gòu)芯片級(jí)封裝(LFCSP)和法蘭封裝，通過(guò)成熟的回流焊工藝安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB不僅充當(dāng)器件之間的電氣互聯(lián)連接，還是放大器排熱的主要途徑（利用封裝底部的金屬塊）。本應(yīng)用筆記介紹熱阻概念，并且提供一種技術(shù)，用于從裸片到采用LFCSP或法蘭封裝的典型RF放大器的散熱器的熱流動(dòng)建模。熱概念回顧熱流材料不同區(qū)域之間存在溫度差時(shí)，熱量從高溫區(qū)流向低溫區(qū)。這一過(guò)程與電流類似，電流經(jīng)由電路，從高電勢(shì)區(qū)域流向低電勢(shì)區(qū)域。熱阻所有材料都具有一定的導(dǎo)熱性。熱導(dǎo)率是衡量材料導(dǎo)熱能
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Nordic Semiconductor提供nRF21540射頻前端模塊樣品

Nordic Semiconductor宣布推出首款功率放大器/低噪聲放大器(PA/LNA)產(chǎn)品nRF21540TM?RF前端模塊(FEM)，完美補(bǔ)充了Nordic的nRF52和nRF53系列多協(xié)議系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。這款RF FEM的PA提供了高達(dá)+21 dBm的高度可調(diào)TX功率提升，而LNA則提供了+13 dB的RX增益。LNA的低噪聲系數(shù)(NF)僅為2.5 dB，確保可提高Nordic藍(lán)牙5/低功耗藍(lán)牙?(Bluetooth?Low Energy /Bluetooth
關(guān)鍵字：射頻前端模塊 RF