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Micro-LED顯示光學(xué)性能研究*

Micro-LED由于優(yōu)異的顯示特性已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點(diǎn)。由于其為芯片直顯技術(shù)，芯片的光學(xué)性能決定了顯示屏幕大部分的光學(xué)性能。Micro-LED燈板的封膠材料厚度對(duì)光學(xué)影響大，450 μm膠厚時(shí)比裸晶燈板色溫降低了2 800 K。因Micro-LED顯示為L(zhǎng)ED芯片直顯發(fā)光，紅光芯片本身發(fā)光角度比藍(lán)綠光芯片小，再加上芯片表面封膠后經(jīng)過一系列的折反射，紅光折射率比藍(lán)綠光小，藍(lán)綠光出光視角進(jìn)一步放大，導(dǎo)致色溫偏差。
關(guān)鍵字： Micro-LED顯示色溫光形圖 202009 PWM

在可再生能源應(yīng)用的逆變器設(shè)計(jì)中使用SPWM發(fā)生器

可再生能源仍然是世界范圍內(nèi)的大趨勢(shì)。隨著捕獲風(fēng)能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對(duì)公司和消費(fèi)者都越來越有吸引力。實(shí)際上，2016年，全球?qū)稍偕茉吹馁Y本投資跌到了多年來最低水平，但是卻創(chuàng)下了一年內(nèi)可再生能源設(shè)備安裝數(shù)量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中，逆變器是一項(xiàng)尤其關(guān)鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數(shù)可再生能源都是通過直流電（DC）產(chǎn)生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）以有效整合到現(xiàn)有電網(wǎng)中起著關(guān)鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動(dòng)力系統(tǒng)和微電
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氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應(yīng)用

引言在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為設(shè)計(jì)工程師可以考慮的選項(xiàng)之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時(shí)，也帶來了電路設(shè)計(jì)層面的挑戰(zhàn)。并聯(lián)晶體管的
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超低功耗傳感器方案如何賦能智能樓宇

當(dāng)今，物聯(lián)網(wǎng)（loT）的基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)非常完善，其適用范圍已經(jīng)不局限于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心，廣泛使用在我們的家居、辦公和工廠。處于物聯(lián)網(wǎng)最外圍的是傳感器，它會(huì)將數(shù)據(jù)采集起來并中繼回云服務(wù)或者在本地進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。傳感器是樓宇智能不可缺少的一環(huán)，它可以在無人控制的情況下監(jiān)測(cè)控制環(huán)境，帶來非凡的便利性和經(jīng)濟(jì)性，這樣當(dāng)最后一個(gè)人離開房間時(shí)，智能的樓宇也不會(huì)忘記關(guān)燈。傳感器的原型是一種相對(duì)簡(jiǎn)單的控制系統(tǒng)，比如通過占用檢測(cè)和溫度測(cè)量來控制供暖和照明，如今該技術(shù)已發(fā)展成熟。對(duì)于用戶而言，樓宇變得愈加智能，背后其實(shí)是其系統(tǒng)智能
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采用升壓功率因數(shù)校正(PFC)前級(jí)及隔離反激拓?fù)浜蠹?jí)的90W可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅(qū)動(dòng)器IC的最新成員 —— 適合智能照明應(yīng)用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù)，在該公司今天同時(shí)發(fā)布的新設(shè)計(jì)范例報(bào)告 (?DER-920?) 中，展現(xiàn)了
關(guān)鍵字： GaN IC PWM

新基建所需的電力電源方案特點(diǎn)

我國(guó)正在大力興起新基建，帶來了5G、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、特高壓等對(duì)新一代電源產(chǎn)品的需求。為此，本刊邀請(qǐng)了部分業(yè)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)，介紹了相關(guān)的市場(chǎng)機(jī)會(huì)與技術(shù)趨勢(shì)。
關(guān)鍵字： PWM WBG CARG EV 202009

模塊化參考設(shè)計(jì)幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊縮短上市時(shí)間、節(jié)省BOM成本及資源

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布推出一款48V電動(dòng)車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動(dòng)滑板車、電動(dòng)自行車、混合動(dòng)力汽車、UPS和儲(chǔ)能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設(shè)計(jì)在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應(yīng)用，如割草機(jī)、手推車、機(jī)器人清潔器、電動(dòng)工具、移動(dòng)電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強(qiáng)健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動(dòng)器以及用于電機(jī)控制的RX23T 32位
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儲(chǔ)能系統(tǒng)助推電動(dòng)汽車快速充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

電動(dòng)汽車(EV)將獲得越來越多的市場(chǎng)份額，最終取代內(nèi)燃機(jī)汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風(fēng)能等可再生能源將為它們提供動(dòng)力。人們將希望能在不到15分鐘的時(shí)間內(nèi)為電動(dòng)汽車充滿電，他們不愿排隊(duì)等候唯一的充電樁。
關(guān)鍵字： MOSFET PWM BMS

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小?？稍诟哳l率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

使用PWM技術(shù)構(gòu)建高性能流量變送器

傳感器在測(cè)量工廠環(huán)境的過程中，會(huì)通過可編程邏輯控制器（PLC）控制整個(gè)系統(tǒng)的狀況。典型的測(cè)量包括溫度、壓力、流量和液位。在使用流量變送器設(shè)計(jì)時(shí)可以采取不同技術(shù)，但在此我們來先了解一下PWM技術(shù)。以下討論的PWM技術(shù)是否可以用于實(shí)現(xiàn)諸如穩(wěn)定時(shí)間迅速且能耗低的功能？環(huán)路供電、4至20 mA輸出現(xiàn)場(chǎng)變送器實(shí)際上是過程自動(dòng)化的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。出于各類原因，現(xiàn)場(chǎng)變送器使用PWM轉(zhuǎn)4至20mA電路，包括：●? ?簡(jiǎn)易性●? ?穩(wěn)健性●? ?成本優(yōu)化隨著新的應(yīng)用要求
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兆易創(chuàng)新發(fā)布GD32E5系列MCU，以Cortex-33內(nèi)核開啟高性能計(jì)算新里程

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice 近日正式發(fā)布基于全新Arm??Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺(tái)積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟(jì)的開發(fā)成本，進(jìn)一步推動(dòng)嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展，解決數(shù)字電源、電機(jī)變頻、測(cè)量?jī)x器、混合信號(hào)處理、高端消費(fèi)類應(yīng)用等多種功能集成和工作負(fù)載需求。GD32E5產(chǎn)品組合提供了3個(gè)通用系列和1個(gè)專用系列，4種封裝類型23個(gè)型號(hào)選擇，目前已經(jīng)
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高通發(fā)布Quick Charge 5快充技術(shù)：0至50%電量?jī)H需5分鐘

【TechWeb】7月28日消息，日前，高通宣布面向Android終端推出最快速的商用充電技術(shù)Quick Charge 5，與前代平臺(tái)相比，該平臺(tái)不僅能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)提供前所未有的充電速度與效率提升，同時(shí)還支持一系列全新電池技術(shù)、配件和安全特性。據(jù)悉，Quick Charge 5有望成為面向智能手機(jī)提供100W以上充電功率的首個(gè)商用快充平臺(tái)，可以幫助用戶實(shí)現(xiàn)手機(jī)從零電量充至50%電量?jī)H需5分鐘。據(jù)官方介紹，Quick Charge 5的性能較前代平
關(guān)鍵字：高通 Quick Charge 5快充技術(shù)

高通發(fā)布Quick Charge 5技術(shù)：首個(gè)商用化的100W+充電技術(shù)平臺(tái)

高通在今晚發(fā)布了Quick Charge技術(shù)的最新一代Quick Charge 5，這也是2017年發(fā)布Quick Charge 4/4+之后高通時(shí)隔三年的力作，也是全球首個(gè)能夠給智能手機(jī)提供100W+充電功率的商用快充平臺(tái)。智能手機(jī)快充技術(shù)發(fā)展到今天，雖然USB PD大有一統(tǒng)江湖的趨勢(shì)，但各家廠商都仍然保留了自家特色的技術(shù)，以兼容的形式來處理和USB PD之間的關(guān)系。高通的Quick Charge系列快充技術(shù)在此前已經(jīng)通過USB PD 3.0 PPS的方式實(shí)現(xiàn)了兼容，新的Quick Charge
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低漂移、高精度、直插式隔離磁性電機(jī)電流測(cè)量

隨著提升系統(tǒng)效率的需求不斷增長(zhǎng),我們面臨著改善電機(jī)工作效率和控制功能的直接壓力。幾乎所有類型的電機(jī)均面臨著這種需求壓力,包括以下領(lǐng)域中使用的電機(jī):?●? ?白色家電●? ?工業(yè)驅(qū)動(dòng)器●? ?自動(dòng)化●? ?汽車應(yīng)用在工作電壓較高且具有較高功率的系統(tǒng)中尤其如此。對(duì)于確保電機(jī)以峰值效率和性能運(yùn)行而言,反饋到控制算法中的電機(jī)運(yùn)行特性至關(guān)重要。相電流是系統(tǒng)控制器使用的這些重要診斷反饋要素(用于實(shí)現(xiàn)最佳的電機(jī)性能)之一。
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STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

電磁噪聲是指任何一種多余的電磁能量，其強(qiáng)度足以使信號(hào)失真。因此，設(shè)計(jì)高性能數(shù)據(jù)采集應(yīng)用或任何具有特別敏感信號(hào)路徑的系統(tǒng)時(shí)，必須克服噪聲問題。在電源方面，由于其基本的工作原理，高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會(huì)在轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波，也會(huì)產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級(jí)中電壓和電流的快速切換而引起的高頻噪聲。與開關(guān)式穩(wěn)壓器結(jié)合使用的降噪技術(shù)示例包括額外的過濾無源元件，諸如緩沖電路、鐵氧體磁珠和饋通電容器，或在電源路徑中包含線性電源，如低壓差穩(wěn)壓器。雖然這些方案在大多數(shù)應(yīng)用中都能很好地發(fā)揮作用，
關(guān)鍵字： RF PWM