qlc nand 文章 最新資訊

2021年DRAM與NAND增長快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

• 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預(yù)測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達(dá)12%，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲預(yù)計增長可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

• 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領(lǐng)域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
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Intel全球首發(fā)144層QLC SSD！最大30.72TB、壽命媲美TLC

• 今天舉辦的2020內(nèi)存存儲日活動上，Intel一口氣發(fā)布了六款全新的內(nèi)存、存儲新產(chǎn)品，首先來看面向數(shù)據(jù)中心市場的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同時全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存，都支持PCIe 4.0。Intel雖然已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務(wù)和工廠賣給SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路線圖也會繼續(xù)執(zhí)行，同時交易也不涉及傲騰技術(shù)和產(chǎn)品，Intel會持續(xù)推進(jìn)。2016年，Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存，次年翻番到64層并進(jìn)化為TLC顆粒，存儲密度提高了13
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產(chǎn)品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個系列，并針對工業(yè)、醫(yī)療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級 SSD 產(chǎn)品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導(dǎo)體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設(shè)計，算是美光的過渡節(jié)點(diǎn)。而目前在三星的存儲技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
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SK海力士90億美元接盤英特爾NAND業(yè)務(wù)，存儲芯片格局或生變

• 半導(dǎo)體并購再起。2020年以來，半導(dǎo)體的重磅收購不斷。英偉達(dá)擬收購ARM，AMD洽談收購賽靈思，半導(dǎo)體領(lǐng)域接連出現(xiàn)重大變數(shù)，金額屢創(chuàng)新高。今天新的主角又登場了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發(fā)布公示官宣將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購范圍包括英特爾的固態(tài)硬盤 (SSD) 業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶元業(yè)務(wù)，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過，英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲業(yè)務(wù)。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易，超過三星在20
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QLC SSD不好？只是價格還不夠理想而已！

• 說到QLC SSD，就不得不提三星 860 QVO SSD。作為最早搭載QLC閃存顆粒的消費(fèi)級SATA SSD，三星 860 QVO SSD剛發(fā)布的時候就因為其性能表現(xiàn)欠佳，而引發(fā)了不少用戶和媒體人的討論：QLC（4bit MLC）到底有沒有實(shí)際意義？它是不是大號U盤？等等。雖然剛開始大家都視QLC SSD為洪水猛獸，紛紛對三星 860 QVO SSD持保留態(tài)度，但是隨著其售價不斷的下探，主打的大容量和讀寫性能的強(qiáng)勁，還是有不少玩家無法逃脫“真香定律”選擇入手，相比一開始消費(fèi)者的遲疑反應(yīng)而言，無論
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群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤：15.36TB、掀翻HDD

• HDD硬盤的出貨量不斷下滑，現(xiàn)在大容量方面也要遇到SSD的挑戰(zhàn)了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續(xù)讀取為530MB/s，連續(xù)寫入為220MB/s，4K隨機(jī)讀取90K IOPS，4K隨機(jī)寫入10K IOPS，功耗4.5W。這個QLC硬盤的性
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長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相

• Q3季度閃存價格又要跌10%，今年6大原廠將會把重點(diǎn)轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來。國產(chǎn)的長江存儲也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，單位面積的存儲密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長江存儲的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個重點(diǎn)是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
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第八屆中國電子信息博覽前瞻！這些亮點(diǎn)不容錯過！

• 寂半年之后，無論是業(yè)內(nèi)人士還是廣大消費(fèi)者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會展中心看一場科技盛宴再適合不過。8K智慧屏、5G芯片、機(jī)器人、新能源汽車，還有會跳舞的機(jī)器人，這些來自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側(cè)重世界科技創(chuàng)新合作，也更聚焦于時代風(fēng)口下的“科技”之爭，注重科技與生活的結(jié)合。對于即將到來的CITE2020，面對那些不勝枚舉的震撼現(xiàn)場，你準(zhǔn)備好了嗎？搭建電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈展示、交流平臺！作為中國電子信息產(chǎn)業(yè)的窗口和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo),第八
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Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級NVMe?固態(tài)硬盤控制器

• 隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）工作負(fù)載越來越多，市場需要具備更寬存儲帶寬和更高單機(jī)架存儲密度的云級別基礎(chǔ)設(shè)施。因此，市場的趨勢是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò)存儲工業(yè)協(xié)會（SINA）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤。這些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)，能驅(qū)動NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時保持這種企業(yè)級NVMe固態(tài)硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
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研究機(jī)構(gòu)預(yù)計全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%

• 據(jù)國外媒體報道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長，同比增長率將達(dá)到27.2%，銷售額將達(dá)到560.07億美元。從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計來看，在集成電路的33個產(chǎn)品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長率，將是最高的，是增長最明顯的一類。就預(yù)期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會是集成電路中的第二大細(xì)分市場，僅次于DRAM，后者的銷售額預(yù)計為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計中，在全球集成電路市場，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限

• 根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查，盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降，但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生，加上部份客戶因擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當(dāng)前為NAND Flash第三季議價的關(guān)鍵時刻，初步觀察因新款游戲機(jī)的年底上市計劃不變，首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
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國產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

• 4年前的2016年，國家在武漢建設(shè)了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設(shè)3D NAND
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