qlc nand 文章 最新資訊

2021年DRAM與NAND增長(zhǎng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

• 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，該公司舉辦了線上媒體溝通會(huì)，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對(duì)DRAM、NAND的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(zhǎng)19%展望2021年，全球GDP增長(zhǎng)約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)12%，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲(chǔ)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
• 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

• 存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長(zhǎng)Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)。目前主要有兩種存儲(chǔ)器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。在DRAM領(lǐng)域，韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
• 關(guān)鍵字： 美光科技  DRAM  NAND  

Intel全球首發(fā)144層QLC SSD！最大30.72TB、壽命媲美TLC

• 今天舉辦的2020內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上，Intel一口氣發(fā)布了六款全新的內(nèi)存、存儲(chǔ)新產(chǎn)品，首先來(lái)看面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同時(shí)全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存，都支持PCIe 4.0。Intel雖然已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務(wù)和工廠賣給SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路線圖也會(huì)繼續(xù)執(zhí)行，同時(shí)交易也不涉及傲騰技術(shù)和產(chǎn)品，Intel會(huì)持續(xù)推進(jìn)。2016年，Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存，次年翻番到64層并進(jìn)化為TLC顆粒，存儲(chǔ)密度提高了13
• 關(guān)鍵字： QLC  SSD  Intel  

TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產(chǎn)品包括5個(gè)系列共計(jì)6個(gè)尺寸TDK株式會(huì)社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個(gè)系列，并針對(duì)工業(yè)、醫(yī)療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。5個(gè)系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
• 關(guān)鍵字： TDK  3D NAND  閃存  SSD  

美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級(jí) SSD 產(chǎn)品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級(jí)半導(dǎo)體峰會(huì)之一的 Flash Memory 峰會(huì)將于 2020 年 11 月 10 日在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲(chǔ)單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來(lái)所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設(shè)計(jì)，算是美光的過(guò)渡節(jié)點(diǎn)。而目前在三星的存儲(chǔ)技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒(méi)有特
• 關(guān)鍵字： 美光  3D NAND  

SK海力士90億美元接盤英特爾NAND業(yè)務(wù)，存儲(chǔ)芯片格局或生變

• 半導(dǎo)體并購(gòu)再起。2020年以來(lái)，半導(dǎo)體的重磅收購(gòu)不斷。英偉達(dá)擬收購(gòu)ARM，AMD洽談收購(gòu)賽靈思，半導(dǎo)體領(lǐng)域接連出現(xiàn)重大變數(shù)，金額屢創(chuàng)新高。今天新的主角又登場(chǎng)了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發(fā)布公示官宣將以90億美元收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購(gòu)范圍包括英特爾的固態(tài)硬盤 (SSD) 業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶元業(yè)務(wù)，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過(guò)，英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。這是韓國(guó)公司有史以來(lái)最大規(guī)模的海外收購(gòu)交易，超過(guò)三星在20
• 關(guān)鍵字： SK海力士  英特爾  NAND  存儲(chǔ)芯片  

QLC SSD不好？只是價(jià)格還不夠理想而已！

• 說(shuō)到QLC SSD，就不得不提三星 860 QVO SSD。作為最早搭載QLC閃存顆粒的消費(fèi)級(jí)SATA SSD，三星 860 QVO SSD剛發(fā)布的時(shí)候就因?yàn)槠湫阅鼙憩F(xiàn)欠佳，而引發(fā)了不少用戶和媒體人的討論：QLC（4bit MLC）到底有沒(méi)有實(shí)際意義？它是不是大號(hào)U盤？等等。雖然剛開(kāi)始大家都視QLC SSD為洪水猛獸，紛紛對(duì)三星 860 QVO SSD持保留態(tài)度，但是隨著其售價(jià)不斷的下探，主打的大容量和讀寫性能的強(qiáng)勁，還是有不少玩家無(wú)法逃脫“真香定律”選擇入手，相比一開(kāi)始消費(fèi)者的遲疑反應(yīng)而言，無(wú)論
• 關(guān)鍵字： QLC  SSD  

群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤：15.36TB、掀翻HDD

• HDD硬盤的出貨量不斷下滑，現(xiàn)在大容量方面也要遇到SSD的挑戰(zhàn)了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續(xù)讀取為530MB/s，連續(xù)寫入為220MB/s，4K隨機(jī)讀取90K IOPS，4K隨機(jī)寫入10K IOPS，功耗4.5W。這個(gè)QLC硬盤的性
• 關(guān)鍵字： QLC  閃存硬盤  

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存首次公開(kāi)亮相

• Q3季度閃存價(jià)格又要跌10%，今年6大原廠將會(huì)把重點(diǎn)轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來(lái)。國(guó)產(chǎn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)也趕上來(lái)了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國(guó)電子信息博覽會(huì)首次亮相。長(zhǎng)江存儲(chǔ)這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國(guó)內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，單位面積的存儲(chǔ)密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國(guó)科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長(zhǎng)江存儲(chǔ)展示的另一個(gè)重點(diǎn)是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
• 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  128  QLC  閃存  

第八屆中國(guó)電子信息博覽前瞻！這些亮點(diǎn)不容錯(cuò)過(guò)！

• 寂半年之后，無(wú)論是業(yè)內(nèi)人士還是廣大消費(fèi)者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會(huì)展中心看一場(chǎng)科技盛宴再適合不過(guò)。8K智慧屏、5G芯片、機(jī)器人、新能源汽車，還有會(huì)跳舞的機(jī)器人，這些來(lái)自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側(cè)重世界科技創(chuàng)新合作，也更聚焦于時(shí)代風(fēng)口下的“科技”之爭(zhēng)，注重科技與生活的結(jié)合。對(duì)于即將到來(lái)的CITE2020，面對(duì)那些不勝枚舉的震撼現(xiàn)場(chǎng)，你準(zhǔn)備好了嗎？搭建電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈展示、交流平臺(tái)！作為中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的窗口和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo),第八
• 關(guān)鍵字： CITE2020  CMO  QLC  

Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級(jí)NVMe?固態(tài)硬盤控制器

• 隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）工作負(fù)載越來(lái)越多，市場(chǎng)需要具備更寬存儲(chǔ)帶寬和更高單機(jī)架存儲(chǔ)密度的云級(jí)別基礎(chǔ)設(shè)施。因此，市場(chǎng)的趨勢(shì)是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)工業(yè)協(xié)會(huì)（SINA）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲(chǔ)器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤。這些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)，能驅(qū)動(dòng)NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時(shí)保持這種企業(yè)級(jí)NVMe固態(tài)硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
• 關(guān)鍵字： QLC  TLC  AI  ML  SINA  IOPS  

研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%

• 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)率將達(dá)到27.2%，銷售額將達(dá)到560.07億美元。從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來(lái)看，在集成電路的33個(gè)產(chǎn)品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長(zhǎng)率，將是最高的，是增長(zhǎng)最明顯的一類。就預(yù)期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會(huì)是集成電路中的第二大細(xì)分市場(chǎng)，僅次于DRAM，后者的銷售額預(yù)計(jì)為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)中，在全球集成電路市場(chǎng)，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
• 關(guān)鍵字： NAND  閃存  

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
• 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺 三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限

• 根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查，盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降，但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生，加上部份客戶因擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當(dāng)前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻，初步觀察因新款游戲機(jī)的年底上市計(jì)劃不變，首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
• 關(guān)鍵字： NAND Flash  

國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世 武漢基地二期開(kāi)工

• 4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開(kāi)工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開(kāi)工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
• 關(guān)鍵字： 國(guó)產(chǎn)  128層  QLC  閃存