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采用Zynq SoC實現(xiàn)Power-Fingerprinting 網(wǎng)絡(luò)安全性

  • 驅(qū)動工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 的“任意連接”實現(xiàn)了超高速增長，這不僅僅只是連接眾多迥然不同的設(shè)備。這還與跨各種廣泛應(yīng)用收集、分析和操作的數(shù)
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格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。 　　隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計，并縮短產(chǎn)品上市時間。 　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點設(shè)計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。 　　通過格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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Power 9將為IBM拉攏更多合作伙伴？

  • 　　IBM于年度Hot Chips技術(shù)大會上介紹Power 9處理器的更多細(xì)節(jié)，它可望成為一款突破性的晶片，催生系統(tǒng)廠商與加速器供應(yīng)商建立新的夥伴關(guān)系， 　　IBM首度于上周在美國矽谷舉行的年度Hot Chips技術(shù)大會上介紹Power 9處理器的更多細(xì)節(jié)，它可望成為一款突破性的晶片，催生系統(tǒng)廠商與加速器供應(yīng)商建立新的夥伴關(guān)系，并重新點燃IBM陣營與對手Intel在高階伺服器市場的戰(zhàn)火。 　　采用14奈米制程的Power 9是在今年3月首度被提及，在正熱門的加速器應(yīng)用領(lǐng)域采取了大膽、在某種程度上又有些
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工信部副部長會見IBM副總裁 加強Power技術(shù)領(lǐng)域合作

  • 　　記者從8月26日工信部獲悉，8月25日，工業(yè)和信息化部副部長懷進(jìn)鵬會見美國IBM公司全球高級副總裁羅思民，就進(jìn)一步加強Power技術(shù)領(lǐng)域合作交換意見。 　　懷進(jìn)鵬對IBM公司與中國業(yè)界在Power芯片、服務(wù)器系統(tǒng)和軟件服務(wù)領(lǐng)域合作取得的積極進(jìn)展表示贊賞，希望IBM公司繼續(xù)秉持開放合作的態(tài)度，深化與中國業(yè)界在技術(shù)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系建設(shè)方面的合作，服務(wù)經(jīng)濟社會信息化發(fā)展，實現(xiàn)雙方互利共贏。 　　工業(yè)和信息化部電子信息司司長刁石京、信息化和軟件服務(wù)業(yè)司司長謝少鋒、國際合作司副司長程建軍等參加會見。
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Power Integrations任命Thomas Simonis為大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁

  • 　　高壓IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今天宣布任命Thomas Simonis為公司大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁，負(fù)責(zé)產(chǎn)品管理、研發(fā)和營銷。Simonis先生在高壓電機驅(qū)動器及半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)超過25年，加入Power Integrations之前，他先后在ATB、CPM和Infineon等數(shù)家知名公司擔(dān)任技術(shù)及業(yè)務(wù)管理職務(wù)，是一名業(yè)內(nèi)資深人士。Simonis先生是從退休的Wolfgang Ademmer手中接任該職的，Wolfgang Ademmer于20
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

  • 　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。 　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%

  • 　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外，設(shè)計中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
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中晟宏芯拿到Power 8架構(gòu)和指令集永久授權(quán)

  • 　　中國政府日漸寬松的安全政策，令I(lǐng)BM可以通過將專利授權(quán)給中國廠商的方式，間接進(jìn)入對外資IT企業(yè)來說門檻頗高的政府部門和工業(yè)核心領(lǐng)域的服務(wù)器市場 　　6月22日，蘇州中晟宏芯信息科技有限公司(下稱“中晟宏芯”)對外公布，該公司已拿到IBM服務(wù)器處理器芯片Power 8芯片架構(gòu)和指令系統(tǒng)的永久授權(quán)，并可以基于該芯片進(jìn)行自主創(chuàng)新。所謂“指令系統(tǒng)”，是指用來計算和控制計算機系統(tǒng)的一套指令的集合。 　　中晟宏芯成立于2013年，其員工主要來自中科院計算所和IB
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FD-SOI制程決勝點在14nm！

  • 　　產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 　　半 導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮 減時，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會降低，帶來較高的閘成本。 　　  
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開發(fā)

  • 　　Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　Globalfoundries聲稱其針對不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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RF-SOI技術(shù)：加強5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

  • 　　今天的智能手機和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關(guān)、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區(qū)域為無線設(shè)備提供持續(xù)強勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接?！　∫苿邮袌鰧F SOI的追捧持續(xù)升溫，因為它以高性價比實現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！　?/li>
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

  • 　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

  • 　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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FD-SOI會是顛覆性技術(shù)嗎？

  • 　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項技術(shù)背書。 　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  FinFET  
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