power-soi 文章進(jìn)入power-soi技術(shù)社區(qū)

Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動(dòng)器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%

　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級(jí)非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計(jì)中只需采用一個(gè)簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外，設(shè)計(jì)中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
關(guān)鍵字： Power Integrations LYTSwitch-7 IC

中晟宏芯拿到Power 8架構(gòu)和指令集永久授權(quán)

　　中國政府日漸寬松的安全政策，令I(lǐng)BM可以通過將專利授權(quán)給中國廠商的方式，間接進(jìn)入對(duì)外資IT企業(yè)來說門檻頗高的政府部門和工業(yè)核心領(lǐng)域的服務(wù)器市場　　6月22日，蘇州中晟宏芯信息科技有限公司(下稱“中晟宏芯”)對(duì)外公布，該公司已拿到IBM服務(wù)器處理器芯片Power 8芯片架構(gòu)和指令系統(tǒng)的永久授權(quán)，并可以基于該芯片進(jìn)行自主創(chuàng)新。所謂“指令系統(tǒng)”，是指用來計(jì)算和控制計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一套指令的集合。　　中晟宏芯成立于2013年，其員工主要來自中科院計(jì)算所和IB
關(guān)鍵字：中晟宏芯 Power 8

FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

　　產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 　　半導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮減時(shí)，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低，帶來較高的閘成本。　　
關(guān)鍵字： FD-SOI 14nm

Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開發(fā)

　　Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。　　Globalfoundries聲稱其針對(duì)不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺(tái)四種制程，能提
關(guān)鍵字： Globalfoundries FD-SOI

RF-SOI技術(shù)：加強(qiáng)5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

　　今天的智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關(guān)、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號(hào)——在更廣泛的區(qū)域?yàn)闊o線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接?！　∫苿?dòng)市場對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因?yàn)樗愿咝詢r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！　?/li>
關(guān)鍵字： RF-SOI 5G

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT

FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET

Power Integrations推出InnoSwitch-CE開關(guān)電源IC，可提高效率和待機(jī)功耗性能

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch?-CE IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CE IC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費(fèi)電子應(yīng)用(TEC法規(guī)是由政府認(rèn)定的重要總能耗法規(guī))?！　nnoSwitch IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術(shù)，該技術(shù)由Power Integrations發(fā)明，可在省去不可靠的光耦器
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch

Power Integrations推出InnoSwitch-CE開關(guān)電源IC，可提高效率和待機(jī)功耗性能

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power?Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch?-CE?IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CE?IC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費(fèi)電子應(yīng)用(TEC法規(guī)是由政府認(rèn)定的重要總能耗法規(guī))?！　nnoSwitch?IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術(shù)，該技術(shù)由Power?Integrations發(fā)明，可在省去不可靠的光耦器
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch

中國真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關(guān)于“熱門”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。　　因為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那些題目不關(guān)他們
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET

FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國芯片業(yè)彎道超車機(jī)會(huì)

本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET 制造 201604

Power Integrations推出全新900V InnoSwitch-EP IC，適用于工業(yè)及三相電源應(yīng)用

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布900 V恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC器件，為InnoSwitch?-EP產(chǎn)品系列再添新成員。新器件適用于由高壓直流或三相電供電的工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儀表計(jì)量和可再生能源方面的應(yīng)用，同時(shí)也適用于在輸入浪涌和電壓驟升情況下要求電源仍能連續(xù)工作的標(biāo)準(zhǔn)電網(wǎng)電壓的應(yīng)用。900 V InnoSwitch-EP IC實(shí)現(xiàn)的電源效率非常高，在雙路輸出的18 W設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch-EP

Power Integrations推出全新900V InnoSwitch-EP IC，適用于工業(yè)及三相電源應(yīng)用

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布900 V恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC器件，為InnoSwitch?-EP產(chǎn)品系列再添新成員。新器件適用于由高壓直流或三相電供電的工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儀表計(jì)量和可再生能源方面的應(yīng)用，同時(shí)也適用于在輸入浪涌和電壓驟升情況下要求電源仍能連續(xù)工作的標(biāo)準(zhǔn)電網(wǎng)電壓的應(yīng)用。900 V InnoSwitch-EP IC實(shí)現(xiàn)的電源效率非常高，在雙路輸出的18 W設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch-EP