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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺(tái)

　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。　　雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無(wú)線(xiàn)設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。　　
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠(chǎng)，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因數(shù)校正IC可提高電源的輕載性能

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因數(shù)校正IC，新器件可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供高功率因數(shù)及高效率。該系列IC非常適合通用輸入下連續(xù)輸出功率要求達(dá)405 W以及高壓輸入下峰值功率要求達(dá)900 W的應(yīng)用，而且在10%負(fù)載點(diǎn)到滿(mǎn)載的范圍內(nèi)其效率均超過(guò)95%，空載功耗則低于60 mW。功率因數(shù)在20%負(fù)載點(diǎn)可輕松達(dá)到0.92以上。　　高度集成的HiperPFS-3器件包含變頻CCM控制器、高壓功率MOSFET
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點(diǎn)？

　　身為記者，我有時(shí)候會(huì)需要經(jīng)過(guò)一系列的資料收集──通常包含非正式評(píng)論、隨機(jī)事實(shí)(random facts)、推特文章、研討會(huì)/座談會(huì)資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線(xiàn)索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個(gè)例子。　　我從美國(guó)旅行到中國(guó)接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個(gè)不容易了解的名詞，逐漸變得越來(lái)越“有形”。關(guān)于這個(gè)技術(shù)，我在最近這幾個(gè)星期所收集到的隨機(jī)
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Power Integrations推出寬范圍CAPZero-2 IC，X電容安全放電可達(dá)6 μF

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列創(chuàng)新的雙端子X(jué)電容放電IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵蓋寬范圍的應(yīng)用和輸出功率，可提高設(shè)計(jì)的靈活性。由于涵蓋0.1 µF至6 µF的寬范圍X電容，并且額定1 kV的擊穿電壓可經(jīng)受6 kV的瞬態(tài)電壓，因此CAPZero-2 IC可耐受劇烈的輸入浪涌和電壓驟升。　　CAPZero-2 IC是一種智能的高壓開(kāi)關(guān)
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國(guó)產(chǎn)POWER服務(wù)器來(lái)了,成就了誰(shuí)？

　　近日，華勝天成的成員公司北京新云東方系統(tǒng)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“新云東方”)宣布：基于安全可靠的IBM POWER微處理器以及AIX操作系統(tǒng)技術(shù)的新云東方全系列國(guó)產(chǎn)服務(wù)器上市。　　簡(jiǎn)單的新聞，信息量卻不小。　　國(guó)產(chǎn)POWER服務(wù)器：背靠大樹(shù)好乘涼　　從2013年8月OpenPOWER基金會(huì)成立，到2014年11月北京市經(jīng)信委、IBM、華勝天成就建立完整的可信高端計(jì)算系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈簽署三方合作諒解備忘錄，再到4月20日“新云東方”P(pán)ower S
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順勢(shì)而為：IBM向中國(guó)企業(yè)授權(quán)基礎(chǔ)技術(shù)

　　美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》網(wǎng)絡(luò)版撰文稱(chēng)，由于中美兩國(guó)政府在網(wǎng)絡(luò)安全方面存在一些分歧，因此IBM選擇向中國(guó)部分企業(yè)授權(quán)了基礎(chǔ)技術(shù)，希望以此適應(yīng)當(dāng)下的趨勢(shì)，更好地融入中國(guó)市場(chǎng)。　　作為中國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的頂尖專(zhuān)家，沈昌祥對(duì)中國(guó)過(guò)度依賴(lài)美國(guó)科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風(fēng)險(xiǎn)警告。　　但在去年12月，這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國(guó)科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開(kāi)了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)的官方消息，沈昌祥的任務(wù)是幫助一家不知名的中國(guó)公司消化和整合IBM的技術(shù)。　　過(guò)去16個(gè)月，IBM已經(jīng)同意向這家名叫華勝天成的
關(guān)鍵字： IBM Open Power

順勢(shì)而為：IBM向中國(guó)企業(yè)授權(quán)基礎(chǔ)技術(shù)

　　導(dǎo)語(yǔ)：美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》網(wǎng)絡(luò)版今天撰文稱(chēng)，由于中美兩國(guó)政府在網(wǎng)絡(luò)安全方面存在一些分歧，因此IBM選擇向中國(guó)部分企業(yè)授權(quán)了基礎(chǔ)技術(shù)，希望以此適應(yīng)當(dāng)下的趨勢(shì)，更好地融入中國(guó)市場(chǎng)。　　以下為文章主要內(nèi)容：　　作為中國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的頂尖專(zhuān)家，沈昌祥對(duì)中國(guó)過(guò)度依賴(lài)美國(guó)科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風(fēng)險(xiǎn)警告。　　但在去年12月，這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國(guó)科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開(kāi)了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)的官方消息，沈昌祥的任務(wù)是幫助一家不知名的中國(guó)公司消化和整合IBM的技術(shù)。　　過(guò)去16個(gè)
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Peregrine半導(dǎo)體公司在大中華市場(chǎng)推出UltraCMOS? 單片相位幅度控制器

　　Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的奠基者和先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)，宣布在大中華市場(chǎng)推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產(chǎn)品中集成了一個(gè)90度混合分離器、移相器、數(shù)字步進(jìn)衰減器以及一個(gè)數(shù)字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線(xiàn)性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調(diào)諧靈活性極強(qiáng)，對(duì)于兩路動(dòng)態(tài)負(fù)載調(diào)制放大器結(jié)構(gòu)，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
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Power Integrations新推出的智能移動(dòng)設(shè)備充電器設(shè)計(jì)展現(xiàn)了InnoSwitch IC的高功率密度能力

　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日發(fā)布全新的參考設(shè)計(jì)套件RDK-420，這款10 W恒壓/恒流USB充電器基于PI公司革新性的InnoSwitch™-CH系列高集成度開(kāi)關(guān)IC設(shè)計(jì)而成。InnoSwitch IC將初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)與初級(jí)控制器、次級(jí)控制器和反饋電路同時(shí)集成到一個(gè)符合全球安全標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝封裝內(nèi)。　　InnoSwitch IC采用精確的次級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)(SSR)及高速數(shù)字FluxLink&trade
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國(guó)產(chǎn)Power能否攻破英特爾的壟斷地位

美國(guó)國(guó)家安全局的數(shù)據(jù)收集活動(dòng)，增加了中國(guó)對(duì)美國(guó)科技公司的不信任。國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)在逐漸擴(kuò)大，而IBM充分利用這一形勢(shì)，把Power技術(shù)完全開(kāi)放，英特爾在中國(guó)的市場(chǎng)地位必將受到有力挑戰(zhàn)。
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它為什么能拿到IBM服務(wù)器芯片架構(gòu)授權(quán)？

　　IBM公司不僅擁有強(qiáng)大的服務(wù)企業(yè)制造業(yè)務(wù)，其也能夠自行制造Power架構(gòu)的服務(wù)器處理器，不過(guò)這種芯片，很少被IBM之外的公司采用。而據(jù)美國(guó)權(quán)威媒體報(bào)道，IBM已經(jīng)將Power架構(gòu)芯片技術(shù)對(duì)行業(yè)伙伴授權(quán)，而中國(guó)的一家公司，即將生產(chǎn)出定制化的服務(wù)器處理器，客戶(hù)主要瞄準(zhǔn)中國(guó)國(guó)內(nèi)大企業(yè)。　　　　獲得IBM技術(shù)授權(quán)的是位于中國(guó)蘇州的蘇州中晟宏芯信息科技有限公司，該公司生產(chǎn)的Power架構(gòu)處理器，也將是IBM對(duì)外開(kāi)放授權(quán)的OpenPower計(jì)劃中，第三方授權(quán)公司所制造的第一款處理器。
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華虹半導(dǎo)體推出0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)工具包

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)-華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱(chēng)「集團(tuán)」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設(shè)計(jì)工具包(Process Design Kit，PDK)。這標(biāo)志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺(tái)已成功通過(guò)驗(yàn)證，并正式投入供客戶(hù)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)使用。工藝設(shè)計(jì)工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶(hù)快速完成高質(zhì)量射頻器件的設(shè)計(jì)與流片。　　華虹半導(dǎo)體的0.2微米SOI工藝平臺(tái)是專(zhuān)為無(wú)線(xiàn)射頻前端開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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Power Integrations新推出的LinkSwitch-4開(kāi)關(guān)IC滿(mǎn)足美國(guó)DoE-6和歐盟CoC效率標(biāo)準(zhǔn)

　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布LinkSwitch™-4系列恒壓/恒流初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)(PSR)開(kāi)關(guān)IC。LinkSwitch-4產(chǎn)品系列采用高級(jí)自適應(yīng)基極-發(fā)射極開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，支持使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)開(kāi)關(guān)，從而大幅提高電源轉(zhuǎn)換效率并消除次級(jí)擊穿產(chǎn)生的可靠性問(wèn)題。新的系列器件專(zhuān)門(mén)適用于要求滿(mǎn)足美國(guó)能源部(DoE)和歐盟行為準(zhǔn)則(CoC)嚴(yán)格的新效率標(biāo)準(zhǔn)的充電器和適配器，這兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)均計(jì)劃于2016年1月正式生效。DoE新標(biāo)準(zhǔn)即為
關(guān)鍵字： Power Integrations LinkSwitch-4