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ZigBee聯(lián)盟推具Green Power功能的免電池選項
- 為能源管理、商業(yè)和消費應用產(chǎn)品創(chuàng)建無線解決方案的全球性企業(yè)生態(tài)系統(tǒng)ZigBee? 聯(lián)盟(ZigBee? Alliance) 今日宣布,該組織已開發(fā)出通過新型Green Power 功能來為ZigBee 產(chǎn)品供電的最環(huán)保的方法。開關(guān)和調(diào)光器等多種產(chǎn)品現(xiàn)在可以很容易地使用能量采集裝置來供電,而不是用電池或交流電源,一種免維護的環(huán)保解決方案由此誕生。該聯(lián)盟將于1月24日舉辦一場以Green Power 為主題的公眾網(wǎng)絡研討會。 Green Power 是ZigBee PRO 功能集中的
- 關(guān)鍵字: ZigBee 電池 Green Power
下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點,直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出,14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當,而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
- 關(guān)鍵字: ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日,意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節(jié)點提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時,而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設(shè)計平臺和設(shè)
- 關(guān)鍵字: ST 晶圓 FD-SOI
隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
- 關(guān)鍵字: 門極驅(qū)動光耦 隔離驅(qū)動IGBT Power MOSFET
華潤上華第二代200V SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級,達到更高的性價比,這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù),具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字: 華潤微電子 半導體 SOI
電源管理趨勢專訪
- 1. 您眼中的2012年電源管理市場是怎樣的? 下半年的市場會有大幅增長嗎?
2011 年對凌力爾特 (Linear Technology) 來說是非常成功的一年。2012 年,我們滿懷期待能在中國和全球不斷獲得機會。目前,公司已推出針 - 關(guān)鍵字: Trends Q&A Management Power Product China Electronic Linear
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