華潤上華200V SOI工藝開發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺階

　　華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。華潤上華的這項技術(shù)填補了國內(nèi)技術(shù)空白，并已成功打入國際市場，為三星、長虹等國內(nèi)外著名PDP電視廠家提供芯片。

　　200V SOI CDMOS第一代工藝技術(shù)依托華潤上華現(xiàn)有的低壓CMOS工藝平臺，結(jié)合深槽刻蝕技術(shù)及SOI介質(zhì)隔離技術(shù)，開發(fā)了200V NLDMOS 以及200V PLDMOS 以及200V 高壓特種器件NLIGBT，實現(xiàn)了芯片高電壓大電流驅(qū)動能力。該工藝所采用的深槽刻蝕、填充方法與傳統(tǒng)的CMOS工藝生產(chǎn)線基本兼容，開發(fā)成本低，不需要增加專用的深槽填充與平坦化設(shè)備，能較好地實現(xiàn)器件之間的隔離，是實現(xiàn)高壓器件工藝與普通低壓CMOS工藝相兼容的關(guān)鍵技術(shù)之一。二代工藝與一代工藝一樣，集成了多種MOS器件，包括：低壓5V 標準CMOS、200V高壓NLDMOS、200V 高壓PLDMOS、200V 高壓IGBT及作為ESD保護器件200V 高壓二極管。與一代工藝相比，二代工藝采用0.5μm 后段并對關(guān)鍵器件做了優(yōu)化調(diào)整，達到了更高的性價比。在研發(fā)過程中，該技術(shù)已累計申請涉及SOI的器件、結(jié)構(gòu)、工藝、制造、測試驗證等多個方面的發(fā)明專利105項。

　　華潤上華的200V SOI CDMOS工藝可滿足國內(nèi)設(shè)計公司對高壓、高功率產(chǎn)品的開發(fā)需求，同時也可滿足客戶對高壓電源驅(qū)動管理——LED和PDP驅(qū)動及控制類芯片的巨大市場需求。采用的SOI圓片襯底材料由國內(nèi)硅片廠家提供，可有效降低成本，提高了產(chǎn)品競爭力。與Si基比，SOI制造的芯片具有顯著的節(jié)電效果，有利于大幅降低用電量。另外，SOI在高溫下性能非常穩(wěn)定，具有高可靠性。目前全球能提供基于SOI工藝的PDP驅(qū)動芯片僅有4家，采用華潤上華工藝的這款芯片在部分性能上已達到國際先進水平。

　　SOI的應(yīng)用非常廣泛，市場前景可觀。隨著微處理器(CPU)、游戲機芯片(GPU)制程對SOI 技術(shù)需求愈來愈強，SOI 已成為各大晶圓代工角逐核心客戶青睞的武器，其應(yīng)用市場已拓展到功率和靈巧器件以及MEMS 應(yīng)用，特別是在汽車電子、顯示、無線通訊等方面發(fā)展迅速。VLSI研究預(yù)測，SOI市場未來幾年將會以健康的速率持續(xù)成長，預(yù)期SOI未來5年的年均復(fù)合增長率將達11%，到2012年 銷售額將達到11億美元。